Бренд «INTEGRAL»

Результатов: 36

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Назначение Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
28901 INTEGRAL 65 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 30Вт 100шт. 40В 7,5A 1МГц 80
28158 INTEGRAL 9126 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 500мВт 1000шт. 40В 300мА
27711 INTEGRAL 266 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 30Вт 100шт. 40В 7,5A 1МГц 80
27710 INTEGRAL 14 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 80
27709 INTEGRAL 1 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 150
27708 INTEGRAL 22 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 30Вт 100шт. 40В 7,5A 1МГц 80
26743 INTEGRAL 229 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.1 SOT23 Биполярный SMD NPN 100мВт 1000шт. 15В 100мА 150МГц 1000
26618 INTEGRAL 1 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 80
25921 INTEGRAL 2 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Основные технические характеристики транзистора КТ352А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 25... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3 Ом. 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 300мВт 500шт. 15В 200мА 200МГц 120
23484 INTEGRAL 209 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 150мВт 1000шт. 60В 100мА 250МГц 350
23479 INTEGRAL 31 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
0.5 DIP8 DIP Телефония 100шт.
22999 INTEGRAL 178 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 30Вт 100шт. 55В 7,5A 1МГц 150
22804 INTEGRAL 19 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 30Вт 100шт. 60В 7,5A 1МГц 40
22380 INTEGRAL 10 шт
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
Восьмиразрядный универсальный сдвиговый регистр с выходом на три состояния. 0.7 SO20 SMD Логика 30шт.
22316 INTEGRAL 38 шт
19 грн.
10+18,05 грн.
50+17,10 грн.
100+15,20 грн.
4 логических элемента 2И-НЕ. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
22315 INTEGRAL 20 шт
23 грн.
10+21,85 грн.
50+20,70 грн.
100+18,40 грн.
1.3 DIP18 DIP Усилители 80шт.
22312 INTEGRAL 56 шт
19 грн.
10+18,05 грн.
50+17,10 грн.
100+15,20 грн.
6 логических элементов И. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
22301 INTEGRAL 68 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
2 DIP20 DIP Логика 70шт.
22265 INTEGRAL 628 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 500мВт 1000шт. 50В 300мА
22263 INTEGRAL 1072 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 500мВт 1000шт. 45В 800мА 220
22262 INTEGRAL 425 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 200мВт 1000шт. 30В 300мА 240
21846 INTEGRAL 626 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
0.1 SOT23 Биполярный SMD NPN 100мВт 1000шт. 40В 100мА 150МГц 250
21845 INTEGRAL 397 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 1Вт 1000шт. 25В 1.5А 100МГц 300
21840 INTEGRAL 413 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 1Вт 1000шт. 25В 1.5А 100МГц 80
21839 INTEGRAL 409 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 625мВт 1000шт. 300В 500мА 50МГц 40
21707 INTEGRAL 663 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
500+4,20 грн.
1 TO126 Биполярный DIP NPN 12.5Вт 1000шт. 80В 1.5А
21318 INTEGRAL 290 шт
13 грн.
10+12,35 грн.
50+11,70 грн.
100+10,40 грн.
2 логических элемента 4И. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
22801 INTEGRAL 22 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Стабилизатоp -9V/1A 2.5 TO-220 DIP Питание 100шт.
24682 INTEGRAL
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 30Вт 100шт. 40В 7,5A 1МГц 150
23480 INTEGRAL
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы КП959А кремниевые ключевые эпитаксиально-планарные с вертикальным каналом n-типа со статической индукцией предназначены для применения в схемах высокочастотных источников питания и других быстродействующих ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры. 0.6 TO126 Полевой DIP МОП n-канальный 220В 200мА 7Вт 100шт.