Транзистор КТ825Г
| Manufacturer | СНГ |
| Артикул | |
| Категории | Транзисторы отечественные |
Характеристики
| Тип | Описание | |
|---|---|---|
| Бренд | СНГ | |
| Структура | PNP | |
| Тип транзистора | Биполярный | |
| Мощность | 125Вт | |
| Тип корпуса транзистора | TO3 | |
| Тип монтажа | DIP | |
| Вес г. | 16 | |
| Заводская упаковка | 10шт. | |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 90В | |
| Ток коллектора | 40А | |
| Коэффициент усиления по току | 18000 |
Описание
Основные технические характеристики транзистора КТ825Г:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750...18000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом.