Транзисторы отечественные

Результатов: 425

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
Транзистор 1Т313В (=ГТ313В)
Транзистор 1Т313В (=ГТ313В)
#14259
 26458 СНГ 68363 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы 1Т313В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. 1.2 — Биполярный DIP PNP — — 100мВт 100шт. 15В 30мА 350МГц 230
Транзистор 1Т313А (=ГТ313А)
Транзистор 1Т313А (=ГТ313А)
#16492
 28741 СНГ 59575 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы 1Т313А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. 1.2 — Биполярный DIP PNP — — 100мВт 100шт. 15В 30мА 300МГц 230
Транзистор 1Т313В ОС (=ГТ313В)
Транзистор 1Т313В ОС (=ГТ313В)
#16495
 28744 СНГ 32404 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы 1Т313В ОС германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. 1.2 — Биполярный DIP PNP — — 100мВт 100шт. 15В 30мА 350МГц 230
Транзистор 1Т313Б (=ГТ313Б)
Транзистор 1Т313Б (=ГТ313Б)
#16493
 28742 СНГ 22626 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы 1Т313Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. 1.2 — Биполярный DIP PNP — — 100мВт 100шт. 15В 30мА 450МГц 75
Транзистор КТ601АМ
Транзистор КТ601АМ
#676
 21841 СНГ 22190 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Материал Si Структура npn Pc,max 500mW Ucb,max 100V Uce,max 100V Ueb,max 3V Ic,max 30mA Tj,max 175єC Ft,max 40MHz Cctip,pF 15 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN — — 500мВт 500шт. 100В 30мА 40МГц 25
Транзистор МП26А
Транзистор МП26А
#10812
 23005 СНГ 10089 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП26А германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный. Предназначен для усиления и переключения сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 200мВт 100шт. 70В 150мА — 50
Транзистор КТ645Б
Транзистор КТ645Б
#15924
 28158 INTEGRAL 9126 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 500мВт 1000шт. 40В 300мА — —
Транзистор П40А
Транзистор П40А
#12407
 24742 СНГ 8919 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы МП40А германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 1.8 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 30В 30мА 1МГц 80
Транзистор КТ361Г
Транзистор КТ361Г
#6846
 23589 СНГ 8176 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. 0.2 КТ-13 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 1000шт. 35В 50мА 250МГц 350
Транзистор КТ315А
Транзистор КТ315А
#6837
 22799 СНГ 3459 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 800 шт. 25В 100мА 250МГц 120
Транзистор 1Т313Б ОС (=ГТ313Б)
Транзистор 1Т313Б ОС (=ГТ313Б)
#16494
 28743 СНГ 3456 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы 1Т313Б ОС германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. 1.2 — Биполярный DIP PNP — — 100мВт 100шт. 15В 30мА 450МГц 75
Транзистор МП21В
Транзистор МП21В
#3479
 23014 СНГ 3425 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21В германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 40В 100мА 1,5МГц 100
Транзистор МП25А
Транзистор МП25А
#10815
 23008 СНГ 2993 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП25А германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный. Предназначен для усиления и переключения сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 200мВт 100шт. 40В 150мА — 50
Транзистор КП303И Ni
Транзистор КП303И Ni
#14463
 26675 СНГ 2090 шт
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
Транзисторы КП303И кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Основные технические характеристики транзистора КП303И: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,5... 2 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: 1,5...5 мА; • S - Крутизна характеристики: 2... 6 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ. 0.4 КТ-1 Полевой DIP МОП n-канальный 25В 20мА 200мВт 100шт. — — — —
Транзистор КТ801А
Транзистор КТ801А
#9884
 21664 СНГ 1989 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзисторы КТ801А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 4 г. Тип корпуса: КТЮ-3-9. 3.5 КТЮ-3-9 Биполярный DIP NPN — — 5Вт 200шт. 80В 2А 10МГц 50
Транзистор МП14А
Транзистор МП14А
#10829
 23025 СНГ 1909 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистор МП14А германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный маломощный. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 40
Транзисторная сборка 2ТС393А-1
Транзисторная сборка 2ТС393А-1
#11645
 23875 СНГ 1748 шт
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами. Предназначены для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов. 4.1 — Биполярный SMD PNP x2 — — 20мВт 100шт. 10В 20мА 500МГц 180
Транзистор П416А
Транзистор П416А
#10834
 23031 СНГ 1521 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор П416А германиевый сплавный p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 100мВт 100шт. 12В 25мА 60МГц 125
Транзистор П213А
Транзистор П213А
#9905
 21705 СНГ 1500 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзисторы П213А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. 10 — Биполярный DIP PNP — — 10Вт 50шт. 30В 5А — 20
Транзистор КТ339АМ
Транзистор КТ339АМ
#11372
 23482 СНГ 1462 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 250мВт 500шт. 25В 25мА 300МГц 25
Транзистор П416
Транзистор П416
#10833
 23030 СНГ 1293 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор П416 германиевый сплавный p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 100мВт 100шт. 12В 25мА 40МГц 80
Транзистор МП13Б
Транзистор МП13Б
#10820
 23016 СНГ 1206 шт
9 грн.
10+8,55 грн.
50+8,10 грн.
100+7,20 грн.
Транзистор МП13Б германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный маломощный. Предназначен для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов. Основные технические характеристики транзистора МП13Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 45...100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 1МГц 60
Транзистор МП101
Транзистор МП101
#13535
 25663 СНГ 1201 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы МП101 кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным МП101, МП101Б и нормированным МП101А коэффициентами шума на частоте 1 кГц. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 20В 20мА 0,5МГц 25
Транзистор КТ321Б
Транзистор КТ321Б
#13703
 25866 СНГ 1185 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы КТ321Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP — — 210мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 120
Транзистор КТ660А
Транзистор КТ660А
#10314
 22263 INTEGRAL 1072 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 500мВт 1000шт. 45В 800мА — 220
Транзистор МП14
Транзистор МП14
#10830
 23026 СНГ 1044 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистор МП14 германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный маломощный. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 1МГц 40
Транзистор КТ829Г
Транзистор КТ829Г
#13386
 25510 СНГ 1006 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы КТ829Г кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 60Вт 200шт. 45В 8А 4МГц 750
Транзистор МП101Б
Транзистор МП101Б
#13702
 25863 СНГ 1005 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы МП101Б кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным МП101, МП101Б и нормированным МП101А коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 20В 20мА 0,5МГц 45
Транзистор МП115
Транзистор МП115
#13700
 25860 СНГ 887 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Кремниевые биполярные сплавные p-n-p тпранзисторы типов МП115 в металлостеклянном корпусе, предназначенны для работы в импульсных схемах, в стабилизаторах напряжения, усилителях постоянного тока и в других устройствах бытовой техники. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 60мВт 100шт. 30В 200мА 0,1МГц 45
Транзистор КТ315И
Транзистор КТ315И
#6842
 23552 СНГ 883 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN — — 100мВт 800 шт. 60В 50мА 250МГц 30