Транзистор КП303И

  • Транзистор КП303И
Артикул: 26675
на складе (2477 шт.)
11 грн.
Доступные скидки
Название Скидка Скидка, % Цена
10+ 0,55 грн. 5 10,45 грн.
50+ 1,10 грн. 10 9,90 грн.
100+ 2,20 грн. 20 8,80 грн.

Транзисторы КП303И кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.

Основные технические характеристики транзистора КП303И:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,5... 2 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: 1,5...5 мА;
• S - Крутизна характеристики: 2... 6 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ.

БрендСНГ
СтруктураМОП n-канальный
Тип транзистора Полевой
Напряжение сток-исток25В
Ток стока20мА
Мощность200мВт
Тип корпуса транзистораКТ-1
Тип монтажаDIP
Вес г.0.4
Заводская упаковка100шт.

Оставьте отзыв об этом товаре первым!


Скидка− 0 грн.
Партнерская скидка− 0 грн.
Итого0 грн.

Ваша корзина пуста.