Транзистор КП303И

Транзистори КП303И кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу.

Основні технічні характеристики транзистора КП303И:
• Структура транзистора: з pn-переходом та n-каналом;
• Рсі max - потужність, що розсіюється, стік-витік: 200 мВт;
• Uзі отс - напруга відсічення транзистора - напруга між затвором і витоком: 0,5...2 В;
• Uсі max - Максимальна напруга сток-витік: 25 В;
• Uзс max - Максимальна напруга затвор-стік: 30 В;
• Uзі max - Максимальна напруга затвор-витік: 30 В;
• Iс - Струм стоку (постійний): 20 мА;
• Iс поч - Початковий струм стоку: 1,5 ... 5 мА;
• S - Крутизна характеристики: 2...6 мА/В;
• С11і – Вхідна ємність транзистора – ємність між затвором та витоком: не більше 6 пФ;
• С12і - Ємність зворотного зв`язку у схемі із загальним витоком при короткому замиканні на вході змінного струму: не більше 2 пФ.