Транзистори вітчизняні

Результатів: 425

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
Транзистор 1Т313В (=ГТ313В)
Транзистор 1Т313В (=ГТ313В)
#14259
 26458 СНГ 68363 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори 1Т313В германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої та надвисокої частот та перемикаючих пристроїв. 1.2 — Біполярний DIP PNP — — 100мВт 100шт. 15В 30мА 350МГц 230
Транзистор 1Т313А (=ГТ313А)
Транзистор 1Т313А (=ГТ313А)
#16492
 28741 СНГ 59575 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори 1Т313А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої та надвисокої частот і пристроях, що перемикають. 1.2 — Біполярний DIP PNP — — 100мВт 100шт. 15В 30мА 300МГц 230
Транзистор 1Т313В ОС (=ГТ313В)
Транзистор 1Т313В ОС (=ГТ313В)
#16495
 28744 СНГ 32404 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори 1Т313В ОС германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої та надвисокої частот і пристроях, що перемикають. 1.2 — Біполярний DIP PNP — — 100мВт 100шт. 15В 30мА 350МГц 230
Транзистор 1Т313Б (=ГТ313Б)
Транзистор 1Т313Б (=ГТ313Б)
#16493
 28742 СНГ 22626 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори 1Т313Б германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої та надвисокої частот і пристроях, що перемикають. 1.2 — Біполярний DIP PNP — — 100мВт 100шт. 15В 30мА 450МГц 75
Транзистор КТ601АМ
Транзистор КТ601АМ
#676
 21841 СНГ 22190 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Матеріал Si Структура npn Pc,max 500mW Ucb,max 100V Uce,max 100V Ueb,max 3V Ic,max 30mA Tj,max 175єC Ft,max 40MHz Cctip,pF 15 0.7 TO126 Біполярний DIP NPN — — 500мВт 500шт. 100В 30мА 40МГц 25
Транзистор МП26А
Транзистор МП26А
#10812
 23005 СНГ 10089 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП26А германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний. Призначений для посилення та перемикання сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 100шт. 70В 150мА — 50
Транзистор КТ645Б
Транзистор КТ645Б
#15924
 28158 INTEGRAL 9126 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 500мВт 1000шт. 40В 300мА — —
Транзистор П40А
Транзистор П40А
#12407
 24742 СНГ 8919 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори МП40А сплавні германієві pnp підсилювальні низькочастотні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. 1.8 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 30В 30мА 1МГц 80
Транзистор КТ361Г
Транзистор КТ361Г
#6846
 23589 СНГ 8176 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. 0.2 КТ-13 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 1000шт. 35В 50мА 250МГц 350
Транзистор КТ315А
Транзистор КТ315А
#6837
 22799 СНГ 3459 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 800 шт. 25В 100мА 250МГц 120
Транзистор 1Т313Б ОС (=ГТ313Б)
Транзистор 1Т313Б ОС (=ГТ313Б)
#16494
 28743 СНГ 3456 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори 1Т313Б ОС германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої та надвисокої частот і пристроях, що перемикають. 1.2 — Біполярний DIP PNP — — 100мВт 100шт. 15В 30мА 450МГц 75
Транзистор МП21В
Транзистор МП21В
#3479
 23014 СНГ 3425 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21В германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 40В 100мА 1,5МГц 100
Транзистор МП25А
Транзистор МП25А
#10815
 23008 СНГ 2993 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП25А германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний. Призначений для посилення та перемикання сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 100шт. 40В 150мА — 50
Транзистор КП303И Ni
Транзистор КП303И Ni
#14463
 26675 СНГ 2090 шт
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
Транзистори КП303И кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. Основні технічні характеристики транзистора КП303И: • Структура транзистора: з pn-переходом та n-каналом; • Рсі max - потужність, що розсіюється, стік-витік: 200 мВт; • Uзі отс - напруга відсічення транзистора - напруга між затвором і витоком: 0,5...2 В; • Uсі max - Максимальна напруга сток-витік: 25 В; • Uзс max - Максимальна напруга затвор-стік: 30 В; • Uзі max - Максимальна напруга затвор-витік: 30 В; • Iс - Струм стоку (постійний): 20 мА; • Iс поч - Початковий струм стоку: 1,5 ... 5 мА; • S - Крутизна характеристики: 2...6 мА/В; • С11і – Вхідна ємність транзистора – ємність між затвором та витоком: не більше 6 пФ; • С12і - Ємність зворотного зв`язку у схемі із загальним витоком при короткому замиканні на вході змінного струму: не більше 2 пФ. 0.4 КТ-1 Польовий DIP МОП n-канальний 25В 20мА 200мВт 100шт. — — — —
Транзистор КТ801А
Транзистор КТ801А
#9884
 21664 СНГ 1989 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори КТ801А кремнієві сплавно-дифузійні структури npn перемикальні. Призначені для застосування в кадровій та малі розгортки, джерелах вторинного електроживлення. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. Тип пристрою вказується на корпусі. Маса транзистора трохи більше 4 р. Тип корпусу КТЮ-3-9. 3.5 КТЮ-3-9 Біполярний DIP NPN — — 5Вт 200шт. 80В 2А 10МГц 50
Транзистор МП14А
Транзистор МП14А
#10829
 23025 СНГ 1909 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистор МП14А германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 40
Транзисторне складання 2ТС393А-1
Транзисторне складання 2ТС393А-1
#11645
 23875 СНГ 1748 шт
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Транзисторні зборки, що складаються з двох кремнієвих епітаксійно-планарних структур pnp підсилювальних транзисторів на одному кристалі з роздільними висновками. Призначені для застосування у широкосмугових балансних, диференціальних та операційних підсилювачах та інших каскадах герметизованої апаратури, в яких потрібна ідентичність параметрів двох транзисторів. 4.1 — Біполярний SMD PNP x2 — — 20мВт 100шт. 10В 20мА 500МГц 180
Транзистор П416А
Транзистор П416А
#10834
 23031 СНГ 1521 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор П416А германієвий сплавний pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних та генераторних каскадах в діапазоні від довгих до коротких та ультракоротких хвиль, а також імпульсних каскадах радіоелектронних пристроїв. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 100мВт 100шт. 12В 25мА 60МГц 125
Транзистор П213А
Транзистор П213А
#9905
 21705 СНГ 1500 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори П213А германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. 10 — Біполярний DIP PNP — — 10Вт 50шт. 30В 5А — 20
Транзистор КТ339АМ
Транзистор КТ339АМ
#11372
 23482 СНГ 1462 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 250мВт 500шт. 25В 25мА 300МГц 25
Транзистор П416
Транзистор П416
#10833
 23030 СНГ 1293 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор П416 германієвий сплавний pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних та генераторних каскадах в діапазоні від довгих до коротких та ультракоротких хвиль, а також імпульсних каскадах радіоелектронних пристроїв. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 100мВт 100шт. 12В 25мА 40МГц 80
Транзистор МП13Б
Транзистор МП13Б
#10820
 23016 СНГ 1206 шт
9 грн.
10+8,55 грн.
50+8,10 грн.
100+7,20 грн.
Транзистор МП13Б германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. Призначений для посилення малих сигналів низької частоти, посилення, перемикання, формування імпульсів. Основні технічні характеристики транзистора МП13Б: • Структура транзистора: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 200 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 45...100; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 10 дБ на частоті 1 кГц. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 1МГц 60
Транзистор МП101
Транзистор МП101
#13535
 25663 СНГ 1201 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори МП101 кремнієві сплавні npn низькочастотні підсилювальні з ненормованим МП101, МП101Б і нормованим МП101А коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 20В 20мА 0,5МГц 25
Транзистор КТ321Б
Транзистор КТ321Б
#13703
 25866 СНГ 1185 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори КТ321Б кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 210мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 120
Транзистор КТ660А
Транзистор КТ660А
#10314
 22263 INTEGRAL 1072 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 500мВт 1000шт. 45В 800мА — 220
Транзистор МП14
Транзистор МП14
#10830
 23026 СНГ 1044 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистор МП14 германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 1МГц 40
Транзистор КТ829Г
Транзистор КТ829Г
#13386
 25510 СНГ 1006 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори КТ829Г кремнієві мезапланарні структури npn складові підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, що перемикають пристрої. 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN — — 60Вт 200шт. 45В 8А 4МГц 750
Транзистор МП101Б
Транзистор МП101Б
#13702
 25863 СНГ 1005 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори МП101Б кремнієві сплавні npn низькочастотні підсилювальні з ненормованим МП101, МП101Б і нормованим МП101А коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. Призначені для посилення та перемикання сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 20В 20мА 0,5МГц 45
Транзистор МП115
Транзистор МП115
#13700
 25860 СНГ 887 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Кремнієві біполярні сплавні pnp тпранзистори типів МП115 в металостеклянному корпусі, призначені для роботи в імпульсних схемах, стабілізаторах напруги, підсилювачах постійного струму та інших пристроях побутової техніки. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 60мВт 100шт. 30В 200мА 0,1МГц 45
Транзистор КТ315И
Транзистор КТ315И
#6842
 23552 СНГ 883 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN — — 100мВт 800 шт. 60В 50мА 250МГц 30