Транзистори вітчизняні

Результатів: 425

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
Транзистор КТ361Б
Транзистор КТ361Б
#6844
 23551 СНГ 876 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. 0.2 КТ-13 Біполярний DIP PNP 150мВт 1000шт. 20В 50мА 250МГц 350
Транзистор КТ503Д
Транзистор КТ503Д
#10351
 22339 СНГ 800 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ503Д кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 350мВт 1000шт. 60В 350мА 5МГц 120
Транзистор КТ3115А-2
Транзистор КТ3115А-2
#10726
 22783 СНГ 775 шт
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
Призначений для застосування у вхідних та наступних каскадах малошумливих підсилювачів надвисоких частот. 0.1 КТ-22 Біполярний SMD NPN 75мВт 200шт. — 8,5мА 5ГГц 110
Транзистор МП104
Транзистор МП104
#13968
 26148 СНГ 750 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистори МП104 кремнієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 60В 10мА 0,1МГц 10
Транзистор КТ604БМ
Транзистор КТ604БМ
#10321
 22271 СНГ 741 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
КТ604БМ Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn. 1 TO126 Біполярний DIP NPN 3Вт 200шт. 250В 200мА 40МГц 120
Транзистор КТ361Г1
Транзистор КТ361Г1
#10352
 22340 СНГ 680 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. 0.2 КТ-13 Біполярний DIP PNP 150мВт 1000шт. 35В 50мА 250МГц 350
Транзистор МП13
Транзистор МП13
#14471
 26682 СНГ 645 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистори МП13 германієві сплавні pnp універсальні низькочастотні малопотужні. Призначені для посилення малих сигналів низької частоти, посилення, перемикання, формування імпульсів, застосування у фериттранзисторних осередках. Основні технічні характеристики транзистора МП13: • Структура транзистора: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 0,5 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 200 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 25...55; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 10 дБ на частоті 1 кГц. 1.8 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 20мА 0,5МГц 12
Транзистор КТ315Е
Транзистор КТ315Е
#6840
 23555 СНГ 638 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN 150мВт 800 шт. 35В 100мА 250МГц 350
Транзистор КТ645А
Транзистор КТ645А
#10316
 22265 INTEGRAL 628 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 500мВт 1000шт. 50В 300мА — —
Транзистор КТ3130А9 (= ВСW71)
Транзистор КТ3130А9 (= ВСW71)
#10107
 21846 INTEGRAL 626 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
0.1 SOT23 Біполярний SMD NPN 100мВт 1000шт. 40В 100мА 150МГц 250
Транзистор П214В
Транзистор П214В
#12366
 24701 СНГ 584 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П214В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1,5 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 20; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP 10Вт 50шт. 55В 5А — —
Транзистор МП15
Транзистор МП15
#3476
 23010 СНГ 533 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП15 германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. Призначений для посилення малих сигналів низької частоти, посилення, перемикання, формування імпульсів 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 60
Транзисторне складання 2ТС393А-1Н
Транзисторне складання 2ТС393А-1Н
#11806
 24035 СНГ 492 шт
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
Транзисторні зборки, що складаються з двох кремнієвих епітаксійно-планарних структур pnp підсилювальних транзисторів на одному кристалі з роздільними висновками. Призначені для застосування у широкосмугових балансних, диференціальних та операційних підсилювачах та інших каскадах герметизованої апаратури, в яких потрібна ідентичність параметрів двох транзисторів. 2 — Біполярний SMD PNP x2 20мВт 150шт. 10В 20мА 500МГц 180
Транзистор КТ502А
Транзистор КТ502А
#10350
 22338 СНГ 486 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ502А кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 25В 350мА 5МГц 120
Транзистор МП25
Транзистор МП25
#10814
 23007 СНГ 457 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП25 германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний. Призначений для посилення та перемикання сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 200мВт 100шт. 40В 150мА — 25
Транзистор КТ805АМ
Транзистор КТ805АМ
#10782
 22970 СНГ 435 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у вихідних каскадах малої розгортки, пристроях запалювання двигунів внутрішнього згоряння та інших пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 30Вт 100шт. 60В 5А 20МГц 15
Транзистор КТ209Е
Транзистор КТ209Е
#10313
 22262 INTEGRAL 425 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 200мВт 1000шт. 30В 300мА — 240
Транзистор КТ680А
Транзистор КТ680А
#14422
 26631 СНГ 422 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор KT680A кремнієвий епітаксійно-планарний структури npn підсилювальний. Призначений для застосування у підсилювачах низької частоти. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 350мВт 1000шт. 25В 600мА 120МГц 300
Транзистор КТ6114В (=SS8050)
Транзистор КТ6114В (=SS8050)
#10102
 21840 INTEGRAL 413 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 1Вт 1000шт. 25В 1.5А 100МГц 80
Транзистор КТ520А (=MPSA42)
Транзистор КТ520А (=MPSA42)
#10101
 21839 INTEGRAL 409 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 625мВт 1000шт. 300В 500мА 50МГц 40
Транзистор МП103
Транзистор МП103
#13682
 25841 СНГ 398 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП103 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 100мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 45
Транзистор КТ6115В (=SS8550)
Транзистор КТ6115В (=SS8550)
#10106
 21845 INTEGRAL 397 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 1Вт 1000шт. 25В 1.5А 100МГц 300
Транзистор КТ817Б
Транзистор КТ817Б
#12236
 24615 СНГ 389 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор КТ817Б кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний. 0.7 TO126 Біполярний DIP NPN 25Вт 200шт. 45В 3А 3МГц 40
Транзистор КТ853В
Транзистор КТ853В
#13954
 26134 СНГ 377 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори КТ853В планарні кремнієві структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. Основні технічні характеристики транзистора КТ853В: • Структура транзистора: pnp; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 60 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 7 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 8 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 12 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 200 мкА (60В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 750; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 120 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,66 Ом; • tвикл - Час вимкнення:: не більше 3300 нс 2 TO220 Біполярний DIP PNP 60Вт 100шт. 60В 8А 7МГц 750
Транзистор КТ3101АМ
Транзистор КТ3101АМ
#14485
 26697 СНГ 362 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори КТ3101А-2 кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частотах 1 та 2,25 ГГц. Призначені для застосування у вхідних та наступних каскадах підсилювачів надвисоких частот. Основні технічні характеристики транзистора КТ3101АМ: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 100 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 4000 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 2,5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мкА (15В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером: 35...300; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 1,5 пФ; • Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не більше 4,5 дБ на частоті 2,25 ГГц • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 10 пс. 0.25 КТ-14 Біполярний SMD NPN 100мВт 20шт. 15В 20мА 4ГГц 300
Транзистор МП106
Транзистор МП106
#13536
 25664 СНГ 356 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори МП106 кремнієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 10мА 0,5МГц 100
Транзистор МП116
Транзистор МП116
#11961
 24250 СНГ 339 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори МП116 кремнієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 10мА 0,5МГц 100
Транзистор П216А
Транзистор П216А
#14714
 26932 СНГ 327 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П216А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 40 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...80; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,2 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP 30Вт 20шт. 40В 7,5A 0,1МГц 80
Транзистор П605А
Транзистор П605А
#11215
 23349 СНГ 326 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистор германієвої структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних, генераторних та імпульсних каскадах низької та високої частоти до 30 МГц. 9.2 — Біполярний DIP PNP 3Вт 50шт. 40В 1.5А 30МГц 120
Транзистор МП103А
Транзистор МП103А
#13712
 25876 СНГ 326 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП103А германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 100мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 30