Транзистори вітчизняні

Результатів: 425

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
Фототранзистор ФТ-8 гр.А
Фототранзистор ФТ-8 гр.А
#12174
 24467 СНГ 317 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Призначений для застосування як приймачів та датчиків інфрачервоного випромінювання у складі оптико-електронної апаратури, систем фотоелектричної автоматики та безконтактного вимірювання температури, обчислювальної та вимірювальної техніки. Основні технічні параметри фототранзистора ФТ-8: • Розмір фоточутливого елемента діаметр 0,5 мм; • Довжина хвилі максимуму спектрального розподілу фоточутливості: 0,9...0,95 мкм; • Номінальна робоча напруга: 5 В; • Темновий струм: трохи більше 1 мкА; • Токова фоточутливість: не менше 0,2 мкА/лк. 0.3 — Фото DIP — — 400шт. — — — —
Транзистор 2Т903Б (=КТ903Б)
Транзистор 2Т903Б (=КТ903Б)
#12229
 24608 СНГ 311 шт
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
Основні технічні характеристики транзистора 2Т903Б: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: понад 120 МГц; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 3 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 10 А; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 40...180; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 180 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1 Ом; • Рвых – вихідна потужність транзистора: не менше 10 Вт на частоті 50 МГц. 22 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 30Вт 20шт. 60В 10А — 180
Транзистор КТ3128А
Транзистор КТ3128А
#10341
 22328 СНГ 300 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Призначений для застосування у селекторах телевізійних каналів з автоматичним регулюванням посилення. 0.4 КТ-1 Біполярний DIP PNP 100мВт 500шт. 20В 20мА 800МГц 150
Транзистор КТ3107Ж
Транзистор КТ3107Ж
#10104
 21843 СНГ 297 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 300мВт 1000шт. 25В 200мА 200МГц 450
Транзистор 2Т208М1 (=КТ208М)
Транзистор 2Т208М1 (=КТ208М)
#10315
 22264 СНГ 296 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор 2Т208М1 служить для посилення, генерації та перетворення електричних сигналів. 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 200мВт 1000шт. 60В 300мА — 40
Транзистор МП114
Транзистор МП114
#13683
 25842 СНГ 295 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори МП114 кремнієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 60В 10мА 0,1МГц 10
Транзистор МП26
Транзистор МП26
#3441
 23003 СНГ 278 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП26 германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний. Призначений для посилення та перемикання сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 200мВт 100шт. 70В 150мА — 25
Транзистор П306А
Транзистор П306А
#14717
 26935 СНГ 266 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори П306А германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 10 — Біполярний DIP PNP 10Вт 40шт. 80В 400мА — 35
Транзистор КТ837Ж
Транзистор КТ837Ж
#15472
 27711 INTEGRAL 266 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP 30Вт 100шт. 40В 7,5A 1МГц 80
Транзистор П304
Транзистор П304
#13928
 26107 СНГ 259 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори П304 кремнієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 10 — Біполярний DIP PNP 10Вт 50шт. 50В 500мА 0,05МГц —
Транзистор МП14Б
Транзистор МП14Б
#10811
 23001 СНГ 258 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистор МП14Б германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 60
Транзистор П302
Транзистор П302
#16928
 29175 СНГ 257 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори П302 кремнієві сплавні структури p-n-p універсальні. Призначені для застосування в приладах, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 10 — Біполярний DIP PNP 7Вт 50шт. 30В 500мА 0,2МГц 10
Транзистор МП40А
Транзистор МП40А
#3440
 24735 СНГ 252 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори МП40А сплавні германієві pnp підсилювальні низькочастотні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. 1.8 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 30В 30мА 1МГц 40
Транзистор П213
Транзистор П213
#14710
 26928 СНГ 252 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П213: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 11,5 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,15 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...50; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,16 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP 11,5Вт 20шт. 40В 5А 0,15МГц 50
Транзистор МП105
Транзистор МП105
#13969
 26149 СНГ 241 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори МП105 кремнієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 30В 10мА 0,1МГц 45
Транзистор П214
Транзистор П214
#14712
 26930 СНГ 230 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П214: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,3 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...60; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP 10Вт 20шт. 55В 5А 0,15МГц 60
Транзистор КТ3130Г9
Транзистор КТ3130Г9
#14527
 26743 INTEGRAL 229 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.1 SOT23 Біполярний SMD NPN 100мВт 1000шт. 15В 100мА 150МГц 1000
Транзистор ГТ346А
Транзистор ГТ346А
#12505
 24839 СНГ 227 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистори ГТ346А германієві епітаксійно-планарні структури pnp підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частотах 800 та 200 МГц. Призначені для застосування в селекторах телевізійних каналів метрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль з автоматичним регулюванням посилення. 0.4 КТ-1 Біполярний DIP PNP 50мВт 1000шт. 15В 10мА 700МГц 150
Транзистор П216В
Транзистор П216В
#14716
 26934 СНГ 227 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П216В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 35 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 30; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP 24Вт 20шт. 30В 7,5A 0,1МГц 30
Транзистор КТ801Б
Транзистор КТ801Б
#3436
 21835 СНГ 226 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Структура NPN Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е.(Uкеr макс), 60 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 2 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 30 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 10.00 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 5 Корпус КТЮ-3-9 3.5 КТЮ-3-9 Біполярний DIP NPN 5Вт 25шт. 60В 2А 10МГц 30
Транзистор МП113А
Транзистор МП113А
#13537
 25665 СНГ 218 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП113А германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 120
Транзистор П214Б
Транзистор П214Б
#12365
 24700 СНГ 211 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П214Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 11,5 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,15 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...150; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP 11,5Вт 20шт. 55В 5А 0,15МГц 150
Транзистор КТ209Б
Транзистор КТ209Б
#11446
 23574 СНГ 210 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 15В 350мА — 120
Транзистор КТ361К-2
Транзистор КТ361К-2
#11373
 23484 INTEGRAL 209 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 150мВт 1000шт. 60В 100мА 250МГц 350
Транзистор КТ3102АМ
Транзистор КТ3102АМ
#10317
 22267 СНГ 205 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 250мВт 1000шт. 50В 200мА — 250
Транзистор КТ857А
Транзистор КТ857А
#13955
 26135 СНГ 192 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
Транзистор КТ857А кремнієвий епітаксійно-планарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. Основні технічні характеристики транзистора КТ857А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 60 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: більше 10 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 250 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 6 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 10 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мА (250В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 7,5; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,33 Ом; • tрас - час розсмоктування: не більше 2500 нс 2 TO220 Біполярний DIP NPN 60Вт 100шт. 250В 7А 10МГц 10
Тиранзистор КТ681А
Тиранзистор КТ681А
#10110
 21849 СНГ 186 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 25В 600мА 120МГц 85
Транзистор КТ818А
Транзистор КТ818А
#10793
 22982 СНГ 185 шт
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Транзистор кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP 60Вт 100шт. 40В 10А 3МГц 15
Транзистор МП113
Транзистор МП113
#13681
 25840 СНГ 185 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП113 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 45
Транзистор МП25Б
Транзистор МП25Б
#10816
 23009 СНГ 182 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП25Б германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний. Призначений для посилення та перемикання сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 200мВт 100шт. 40В 150мА — 80