Транзистори вітчизняні

Результатів: 425

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
Транзистор П216
Транзистор П216
#14713
 26931 СНГ 179 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори П216 германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 10 — Біполярний DIP PNP 30Вт 20шт. 40В 7,5A 0,1МГц 20
Транзистор КТ837Е
Транзистор КТ837Е
#10809
 22999 INTEGRAL 178 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP 30Вт 100шт. 55В 7,5A 1МГц 150
Транзистор П217В
Транзистор П217В
#16932
 29179 СНГ 166 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П217В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 3 мА; • h21е – Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером: більше 5; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 11 — Біполярний DIP PNP 24Вт 40шт. 60В 7,5A 0,1МГц —
Транзистор ГТ403А
Транзистор ГТ403А
#10839
 23036 СНГ 159 шт
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
Транзистор ГТ403А германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP 4Вт 100шт. 30В 1,25А — 60
Транзистор П307ВМ
Транзистор П307ВМ
#14350
 26558 СНГ 158 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Кремнієвий npn транзистор для роботи в радіомовних приймачах та приймально-підсилювальній апаратурі. 0.5 TO126 Біполярний DIP NPN 250мВт 1000шт. 60В 30мА 20МГц 150
Транзистор КТ3117А1
Транзистор КТ3117А1
#9736
 21146 СНГ 154 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Транзистор NPN 60В 0.4А 0.3Вт 200Мгц TO92 (КТ-26) 0.4 TO92 Біполярний DIP NPN 500мВт 500шт. 60В 400мА 200МГц 40
Транзистор КТ342БМ
Транзистор КТ342БМ
#13767
 25933 СНГ 153 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ342БМ: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 250 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 300 МГц; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 50 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,05 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 200...500; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 8 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 10 Ом; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 200 пс. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 250мВт 1000шт. 25В 50мА 300МГц 500
Транзистор П201АЕ
Транзистор П201АЕ
#16182
 28456 СНГ 151 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Характеристики транзистора П201АЕ: Структура PNP Uк-е.макс. 22В Uк-б.макс. 30В Iк.макс. (постійний) 1.5А Iб.макс. (постійний) 0,75А Pк.макс. (без тепловідведення) 1,0Вт Pк.макс. (з тепловідведенням) 10Вт Потужність, що перемикається, макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC трохи більше 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC трохи більше 0,2-3,5мА h21е 40..100 fгр. 200КГц Uб-е. нас 0,5-2,0В Uк-е. нас 0,5-2,5В Температурний діапазон -55...+70°C. 10 — Біполярний DIP PNP 10Вт 50шт. 30В 1.5А 0,2МГц 100
Транзистор П417А
Транзистор П417А
#11887
 24140 СНГ 139 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Германієві дифузійні високочастотні (200 МГц) pnp транзистори малої потужності. 1.8 — Біполярний DIP PNP 50мВт 100шт. 10В 10мА 200МГц 200
Фототранзистор КТФ104А
Фототранзистор КТФ104А
#11586
 23817 СНГ 135 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Кремнієвий планарний npn фототранзистор із площею фоточутливого елемента 0.64 мм2 випускають у пластмасовому корпусі. 0.2 — Фото — NPN — 200шт. — — — —
Транзистор П216Д
Транзистор П216Д
#14718
 26936 СНГ 135 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П216Д: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 50 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 15...30; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP 24Вт 20шт. 50В 7,5A 0,1МГц 30
Транзистор КТ361А
Транзистор КТ361А
#6843
 24622 СНГ 134 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. 0.2 КТ-13 Біполярний DIP PNP 150мВт 1000шт. 25В 50мА 250МГц 90
Транзистор П306
Транзистор П306
#11879
 24132 СНГ 128 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори П306 германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 10 — Біполярний DIP PNP 10Вт 40шт. 60В 400мА — 25
Транзистор МП111
Транзистор МП111
#11391
 23502 СНГ 118 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор кремнієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 20В 100мА 0,5МГц 25
Транзистор П216Б
Транзистор П216Б
#14715
 26933 СНГ 115 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П216Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 35 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1,5 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 10; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP 24Вт 20шт. 30В 7,5A 0,1МГц 10
Транзистор МП102
Транзистор МП102
#16894
 29141 СНГ 115 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистори МП102 кремнієві сплавні npn низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. Призначені для посилення та перемикання сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 100мВт 100шт. 10В 20мА 0,5МГц 45
Транзистор П210Б
Транзистор П210Б
#12950
 25221 СНГ 110 шт
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
П210Б Транзистори П210Б германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. Тип приладу вказано на корпусі. Маса транзистора не більше 37 г з наконечниками висновків і не більше 48,5 г з фланцем кріплення. Технічні умови: аА0.336.483 ТУ. Основні технічні характеристики транзистора П210Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 45 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкео проб - Пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та розімкнутого ланцюга бази: 65 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 25 В; • Iк max – Максимально допустимий постійний струм колектора: 12 А. • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 15 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 10 34 — Біполярний DIP PNP 45Вт 10 шт. 65В 12А — 10
Транзисторне складання 2ТС393Б-1
Транзисторне складання 2ТС393Б-1
#11638
 23868 СНГ 104 шт
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Транзисторні зборки, що складаються з двох кремнієвих епітаксійно-планарних структур pnp підсилювальних транзисторів на одному кристалі з роздільними висновками. Призначені для застосування у широкосмугових балансних, диференціальних та операційних підсилювачах та інших каскадах герметизованої апаратури, в яких потрібна ідентичність параметрів двох транзисторів. 2 — Біполярний SMD PNP x2 20мВт 200шт. 15В 20мА 500МГц 140
Транзистор КТ807А
Транзистор КТ807А
#14151
 26345 СНГ 104 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в генераторах кадрової та малої розгорток, підсилювачах низької частоти, джерелах вторинного електроживлення. 2.5 — Біполярний DIP NPN 10Вт 20шт. 100В 500мА 5МГц 45
Транзистор 1Т308Б (=ГТ308Б)
Транзистор 1Т308Б (=ГТ308Б)
#6851
 24599 СНГ 98 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Основні технічні характеристики транзистора 1Т308Б: • Структура: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • Fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 120 МГц; • Uкбо - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 20 В; • Uебо - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 50 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 50...120 (1В; 10мА); • Ск - Ємність колекторного переходу: трохи більше 8 (5В); • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 24 Ом; • Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не нормується; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 400 пс. 2 — Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 20В 120мА 120МГц 120
Транзистор МП10
Транзистор МП10
#13698
 25858 СНГ 98 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор МП10 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. Призначений посилення сигналів низької частоти. Основні технічні характеристики транзистора МП10: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 30 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 10...30; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 5000 пс; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 10 дБ на частоті 1 кГц. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 15В 20мА 1МГц 30
Транзистор МП42А
Транзистор МП42А
#12255
 24637 СНГ 97 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Основні технічні характеристики транзистора МП42А: • Структура транзистора: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 200 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1 МГц; • Uкеr проб - Пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 15 В; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 200 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 30...50; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 20 Ом. 1.6 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP 200мВт 100шт. 15В 200мА 1МГц 50
Транзистор КТ807Б
Транзистор КТ807Б
#11375
 23486 СНГ 94 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистор кремнієвий мезапланарний структури npn універсальний. Призначений для застосування в генераторах кадрової та малої розгорток, підсилювачах низької частоти, джерелах вторинного електроживлення. 2.5 — Біполярний DIP NPN 10Вт 100шт. 100В 500мА 5МГц 100
Транзистор КТ3107К
Транзистор КТ3107К
#6836
 22261 СНГ 92 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 300мВт 1000шт. 25В 200мА 200МГц 220
Транзистор П213Б
Транзистор П213Б
#14711
 26929 СНГ 87 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П213Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мА; • h21Е – Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 40; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1,25 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP 10Вт 20шт. 30В 5А 0,15МГц 40
Транзистор МП21Г
Транзистор МП21Г
#16150
 28392 СНГ 86 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21Г германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 60В 100мА 1МГц 80
Транзистор КТ818В
Транзистор КТ818В
#10791
 22980 СНГ 85 шт
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
Транзистор кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP 60Вт 100шт. 70В 10А 3МГц 15
Транзистор МП111Б
Транзистор МП111Б
#14145
 26336 СНГ 84 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор кремнієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 20В 100мА 1МГц 45
Транзистор П417
Транзистор П417
#16885
 29132 СНГ 82 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Германієві дифузійні високочастотні (200 МГц) pnp транзистори малої потужності. 1.8 — Біполярний DIP PNP 50мВт 100шт. 10В 10мА 200МГц 100
Транзистор КТ313А1
Транзистор КТ313А1
#11374
 23485 СНГ 80 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
Транзистори кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 300мВт 1000шт. 50В 350мА 200МГц 120