Транзистори вітчизняні

Результатів: 425

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
Транзистор КТ837У
Транзистор КТ837У
#16662
 28901 INTEGRAL 65 шт
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 100шт. 40В 7,5A 1МГц 80
Транзистор МП111Б
Транзистор МП111Б
#14145
 26336 СНГ 64 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор кремнієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 20В 100мА 1МГц 45
Транзистор П216Г
Транзистор П216Г
#16926
 29173 СНГ 63 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П216Г: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 50 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: >5; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP — — 24Вт 20шт. 50В 7,5A 0,1МГц —
Транзистор 1Т308А (=ГТ308А)
Транзистор 1Т308А (=ГТ308А)
#6848
 29130 СНГ 61 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистори 1Т308А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для використання в автогенераторах, підсилювачах потужності, імпульсних пристроях. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 120мА 120МГц 75
Транзистор 1Т905А
Транзистор 1Т905А
#14616
 26832 СНГ 60 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистори 1Т905А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування у перемикаючих та імпульсних підсилювальних пристроях, у вихідних каскадах підсилювачів потужності низької частоти. Основні технічні характеристики транзистора 1Т905А: • Структура: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 6 Вт; • fгр – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 75 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 3 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 35...100; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 200 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,17 Ом; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 300 пс. 3.5 — Біполярний DIP PNP — — 6Вт 50шт. 65В 3А 30МГц 100
Транзистор МП101А
Транзистор МП101А
#16893
 29140 СНГ 58 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори МП101Б кремнієві сплавні npn підсилювальні низькочастотні з ненормованим МП101, МП101Б та нормованим МП101А коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. Призначені для посилення та перемикання сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 20мА 0,5МГц 30
Транзистор МП42А
Транзистор МП42А
#12255
 24637 СНГ 57 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Основні технічні характеристики транзистора МП42А: • Структура транзистора: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 200 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1 МГц; • Uкеr проб - Пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 15 В; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 200 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 30...50; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 20 Ом. 1.6 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 100шт. 15В 200мА 1МГц 50
Транзистор П210В
Транзистор П210В
#12951
 25222 СНГ 57 шт
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
Транзистори П210В германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. Тип приладу вказано на корпусі. Маса транзистора не більше 37 г з наконечниками висновків і не більше 48,5 г з фланцем кріплення. Технічні умови: аА0.336.483 ТУ. Основні технічні характеристики транзистора П210В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 45 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 25 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 12 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 15 мА; • h21Е – Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 10. 34 — Біполярний DIP PNP — — 45Вт 10 шт. 45В 12А — 10
Транзистор П306М
Транзистор П306М
#15477
 27717 СНГ 57 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори П306М германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 10Вт 100шт. 60В 400мА 1МГц 25
Транзистор П217
Транзистор П217
#16929
 29176 СНГ 52 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П217: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутій: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером: більше 15; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,5 Ом. 11 — Біполярний DIP PNP — — 30Вт 40шт. 60В 7,5A 0,1МГц —
Транзистор КТ805А з кріпленням
Транзистор КТ805А з кріпленням
#9781
 21351 СНГ 50 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у вихідних каскадах малої розгортки, пристроях запалювання двигунів внутрішнього згоряння та інших пристроях, що перемикають. Транзистори КТ805А, КТ805Б випускаються в металостеклянному корпусі із жорсткими висновками. Тип пристрою вказується на корпусі. Маса транзистора трохи більше 24 р. Тип корпусу КТЮ-3-20. Технічні умови: аА0.336.341 ТУ. 30 kt-282 Біполярний DIP NPN — — 30Вт 20шт. 60В 5А 20МГц 15
Транзистор 1Т403Б (=ГТ403Б)
Транзистор 1Т403Б (=ГТ403Б)
#16886
 29133 СНГ 41 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403Б германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 100шт. 30В 1,25А — 150
Транзистор П201Е
Транзистор П201Е
#16183
 28457 СНГ 40 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Характеристики транзистора П201Е: Структура PNP Uк-е.макс. 22В Uк-б.макс. 30В Iк.макс. (постійний) 1.5А Iб.макс. (постійний) 0,75А Pк.макс. (без тепловідведення) 1,0Вт Pк.макс. (з тепловідведенням) 10Вт Потужність, що перемикається, макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC трохи більше 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC трохи більше 0,2-3,5мА h21е 40..100 fгр. 100КГц Uб-е. нас 0,5-2,0В Uк-е. нас 0,5-2,5В Температурний діапазон -55...+70°C. 10 — Біполярний DIP PNP — — 10Вт 50шт. 30В 1.5А 0,1МГц 100
Транзистор 2Т826А (=КТ826А)
Транзистор 2Т826А (=КТ826А)
#9782
 21353 СНГ 39 шт
100 грн.
10+95 грн.
50+90 грн.
100+80 грн.
Транзистор кремнієвий мезапланарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в перемикаючих пристроях, перетворювачів постійної напруги, високовольтних стабілізаторів. Транзистор 2Т826А випускається у металевому корпусі зі скляними ізоляторами та жорсткими висновками. Тип пристрою вказується на корпусі. Транзистор 2Т826А випускається у вигляді кристалів нерозділених з контактні майданчики на пластині для гібридних інтегральних мікросхем. Тип приладу вказується на етикетці. Маса транзистора в металевому корпусі трохи більше 20 р, кристала трохи більше 0,01 р. Тип корпусу: КТ-9 (ТО-3). Технічні умови: аА0.339.058 ТУ. 14 kt-9 Біполярний DIP NPN — — 15Вт 40шт. 700В 1А 6МГц 10
Транзистор КТ3102ИМ
Транзистор КТ3102ИМ
#10105
 21844 СНГ 32 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 250мВт 1000шт. 50В 200мА — 500
Транзистор МП111А
Транзистор МП111А
#10784
 22972 СНГ 28 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор кремнієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з нормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 20В 100мА 0,5МГц 30
Транзистор КТ382АМ
Транзистор КТ382АМ
#14423
 26632 СНГ 28 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистори КТ382АМ кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 400 МГц. Призначені для застосування у вхідних та наступних каскадах підсилювачів високої та надвисокої частот. 0.25 КТ-14 Біполярний SMD NPN — — 100мВт 20шт. 10В 20мА 1.8ГГц 330
Транзистор 2Т826Б (=КТ826Б)
Транзистор 2Т826Б (=КТ826Б)
#9783
 21354 СНГ 25 шт
100 грн.
10+95 грн.
50+90 грн.
100+80 грн.
Транзистор кремнієвий мезапланарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в перемикаючих пристроях, перетворювачів постійної напруги, високовольтних стабілізаторів. Транзистор 2Т826Б випускається у металевому корпусі зі скляними ізоляторами та жорсткими висновками. Тип пристрою вказується на корпусі. Транзистор 2Т826Б випускається у вигляді кристалів нерозділених з контактні майданчики на пластині для гібридних інтегральних мікросхем. Тип приладу вказується на етикетці. Маса транзистора в металевому корпусі трохи більше 20 р, кристала трохи більше 0,01 р. Тип корпусу: КТ-9 (ТО-3). Технічні умови: аА0.339.058 ТУ. 14 kt-9 Біполярний DIP NPN — — 15Вт 40шт. 700В 1А 6МГц 10
Транзистор КТ826А
Транзистор КТ826А
#13930
 26109 СНГ 24 шт
70 грн.
10+66,50 грн.
50+63 грн.
100+56 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ826А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 15 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 6 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 700 В (0,01кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 1 А; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 10...120; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 25 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 5 Ом. 14 kt-9 Біполярний DIP NPN — — 15Вт 40шт. 700В 1А 6МГц 10
Транзистор ГТ320А
Транзистор ГТ320А
#14473
 26684 СНГ 23 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори ГТ320А германієві дифузійно-сплавні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 100шт. 12В 150мА 80МГц 80
Транзистор КТ837І
Транзистор КТ837І
#15469
 27708 INTEGRAL 22 шт
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 100шт. 40В 7,5A 1МГц 80
Транзистор КТ837Л
Транзистор КТ837Л
#10739
 22804 INTEGRAL 19 шт
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 100шт. 60В 7,5A 1МГц 40
Транзистор П303
Транзистор П303
#13778
 25957 СНГ 19 шт
13 грн.
10+12,35 грн.
50+11,70 грн.
100+10,40 грн.
Транзистори П303 кремнієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 10 — Біполярний DIP PNP — — 10Вт 20шт. 65В 500мА 0,1МГц —
Транзистор МП21А
Транзистор МП21А
#16884
 29131 СНГ 15 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21А германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 35В 100мА 1МГц 150
Транзистор 2Т371А (=КТ371А)
Транзистор 2Т371А (=КТ371А)
#6827
 22329 СНГ 14 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn надвисокочастотні підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму. 0.2 КТ-14 Біполярний SMD NPN — — 100мВт 200шт. 10В 20мА 3ГГц 240
Транзистор ГТ403И
Транзистор ГТ403И
#10843
 23040 СНГ 14 шт
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
Транзистор ГТ403И германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 50шт. 60В 1,25А — 30
Транзистор КТ837М
Транзистор КТ837М
#15471
 27710 INTEGRAL 14 шт
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 80
Транзистор 2Т321Д ОС (= КТ321Д)
Транзистор 2Т321Д ОС (= КТ321Д)
#11953
 24242 СНГ 13 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори 2Т321Д кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 120
Транзистор П217А
Транзистор П217А
#16930
 29177 СНГ 13 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П217А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером: 20... 60; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,5 Ом. 11 — Біполярний DIP PNP — — 30Вт 40шт. 60В 7,5A 0,1МГц —
Транзистор 3П328А-2
Транзистор 3П328А-2
#11195
 23319 СНГ 11 шт
35 грн.
10+33,25 грн.
50+31,50 грн.
100+28 грн.
Транзистор польовий арсенідгаллієвий планарний із двома затворами з каналом n-типу та бар'єром Шоттки підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 8 ГГц. 0.1 КТ-21 Польовий SMD МОП n-канальний 6В 1мА 50мВт 120шт. — — 8ГГц —