Транзистори вітчизняні

Результатів: 425

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
Транзистор КТ629А
Транзистор КТ629А
#11376
 23487 СНГ 11 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистори КТ629А кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp перемикальні безкорпусні на керамічному кристалотримачі із захисним покриттям з гнучкими висновками. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних пристроях у складі гібридних інтегральних мікросхем. 1.8 — Біполярний SMD PNP — — 1Вт 100шт. — 1А 250МГц 25
Транзистор 2Т831В
Транзистор 2Т831В
#16614
 28852 СНГ 11 шт
44 грн.
10+41,80 грн.
50+39,60 грн.
100+35,20 грн.
Основні технічні характеристики транзистора 2Т831В: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 4 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 80 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 2 А; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 25; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,6 Ом. 1 TO39 Біполярний DIP NPN — — 1Вт 100шт. 70В 2А 4МГц 25
Транзистор КТ350А
Транзистор КТ350А
#10810
 23000 СНГ 10 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор КТ350А кремнієвий епітаксійно-планарний структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 300мВт 500шт. 15В 60мА 100МГц 200
Транзистор 2Т903А (=КТ903А)
Транзистор 2Т903А (=КТ903А)
#11605
 23831 СНГ 10 шт
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
Транзистор 2Т903А мезапланарний кремнієвий структури npn генераторний. Призначений для застосування в підсилювачах потужності та автогенераторах. 22 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 30Вт 20шт. 60В 10А 120МГц 70
Транзистор 1Т403В (=ГТ403В)
Транзистор 1Т403В (=ГТ403В)
#16923
 29170 СНГ 10 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403В германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 100шт. 45В 1,25А — 60
Транзистор П605
Транзистор П605
#16946
 29193 СНГ 10 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистор германієвої структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних, генераторних та імпульсних каскадах низької та високої частоти до 30 МГц. 9.2 — Біполярний DIP PNP — — 3Вт 50шт. 40В 1.5А 30МГц 60
Транзистор МП21Б
Транзистор МП21Б
#16890
 29137 СНГ 9 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21Б, германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 40В 100мА 1,5МГц 80
Транзистор МП112
Транзистор МП112
#10785
 22973 СНГ 8 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор сплавний германієвий npn підсилювальний низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 100мА 2МГц 45
Транзистор П214А
Транзистор П214А
#13777
 25956 СНГ 7 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори П214А германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. Основні технічні характеристики транзистора П214А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,3 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 50...150; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 11 — Біполярний DIP PNP — — 10Вт 20шт. 55В 5А 0,15МГц 150
Транзистор 1Т403А (=ГТ403А)
Транзистор 1Т403А (=ГТ403А)
#16922
 29169 СНГ 7 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403А германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 100шт. 30В 1,25А — 60
Транзистор 2Т321Б (=КТ321Б)
Транзистор 2Т321Б (=КТ321Б)
#11952
 24240 СНГ 6 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори 2Т321Б кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 210мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 120
Транзистор КТ835А
Транзистор КТ835А
#3432
 22976 СНГ 5 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Структура PNP Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до і розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),40 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е. (Uкеr макс), 30 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 3 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 25 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 1.00 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 25 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 25Вт 100шт. 30В 3А 1МГц 20
Транзистор МП26Б
Транзистор МП26Б
#10813
 23006 СНГ 5 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП26Б германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний. Призначений для посилення та перемикання сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 100шт. 70В 150мА — 80
Транзистор КТ819ВМ
Транзистор КТ819ВМ
#16516
 28764 СНГ 5 шт
75 грн.
10+71,25 грн.
50+67,50 грн.
100+60 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ819ВМ: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна розсіювана потужність колектора: 2 Вт; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 100 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 70 В (0,1 кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 15 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 20 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мА (40В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 15; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,4 Ом. 16 TO3 Біполярний DIP NPN — — 100Вт 20шт. 70В 20А — —
Транзистор КТ803А
Транзистор КТ803А
#11875
 24127 СНГ 4 шт
170 грн.
10+161,50 грн.
50+153 грн.
100+136 грн.
Транзистори КТ803А кремнієві мезапланарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах постійного струму, генераторах малої розгортки, джерел вторинного електроживлення. 19 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 60Вт 20шт. 60В 10А 20МГц 50
Транзистор П701А
Транзистор П701А
#13738
 25906 СНГ 4 шт
38 грн.
10+36,10 грн.
50+34,20 грн.
100+30,40 грн.
Транзистори П701А кремнієві сплавно-дифузійні структури підсилювальні npn низькочастотні. Призначені для застосування в підсилювачах та генераторах радіоелектронних пристроїв. 10 — Біполярний DIP NPN — — 10Вт 20шт. 60В 500мА 20МГц 60
Транзистор ГТ308В
Транзистор ГТ308В
#6850
 25668 СНГ 3 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори ГТ308В германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для використання в автогенераторах, підсилювачах потужності, імпульсних пристроях. Основні технічні характеристики транзистора ГТ308В: • Структура: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • Fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 120 МГц; • Uкбо - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 20 В; • Uебо - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 50 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 80...150 (1В; 10мА); • Ск - Ємність колекторного переходу: трохи більше 8 (5В); • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 24 Ом; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 8 дБ (1,6 МГц); • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 400 пс. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 50мА 120МГц 150
Транзистор КТ840Б
Транзистор КТ840Б
#16613
 28851 СНГ 3 шт
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ840Б: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 60 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 8 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 750 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 6 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 3 мА (750В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 10; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,75 Ом. 17.5 TO3 Біполярний DIP NPN — — 60Вт 40шт. 350В 6А 8МГц 10
Транзистор 1Т403И (=ГТ403И)
Транзистор 1Т403И (=ГТ403И)
#16924
 29171 СНГ 3 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403И германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 100шт. 60В 1,25А — 30
Транзистор КП707В2 (=BUZ90)
Транзистор КП707В2 (=BUZ90)
#10738
 22803 СНГ 2 шт
52 грн.
10+49,40 грн.
50+46,80 грн.
100+41,60 грн.
2.5 TO220 Польовий DIP МОП n-канальний 800В 7А 50Вт 100шт. — — — —
Транзистор МП21Д
Транзистор МП21Д
#10821
 23017 СНГ 2 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21Д германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 60В 100мА 0,7МГц 200
Транзистор 1Т321В (=ГТ321В)
Транзистор 1Т321В (=ГТ321В)
#13543
 25674 СНГ 2 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори 1Т321В германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 200
Транзистор ГТ321В
Транзистор ГТ321В
#13711
 25875 СНГ 2 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори ГТ321В германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 200
Транзистор КТ352А
Транзистор КТ352А
#13753
 25921 INTEGRAL 2 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ352А: • Структура транзистора: pnp; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 300 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 20 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 200 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 25...120; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 3 Ом. 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 300мВт 500шт. 15В 200мА 200МГц 120
Транзистор КТ321Г
Транзистор КТ321Г
#16477
 28726 СНГ 2 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори КТ321Г кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 60
Транзистор КТ321Д
Транзистор КТ321Д
#16478
 28727 СНГ 2 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори КТ321Д кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 120
Транзистор КТ321Е
Транзистор КТ321Е
#16479
 28728 СНГ 2 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори КТ321Е кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 200
Транзистор КТ825Г
Транзистор КТ825Г
#17110
 29359 СНГ 2 шт
240 грн.
10+228 грн.
50+216 грн.
100+192 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ825Г: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 125 Вт; • fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму 4 МГц; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Ік max - Максимально допустимий постійний струм колектора: 20 А; • Ік і max - максимальний допустимий h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 750...18000; • Ск - Ємність колекторного переходу: не більше 600 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,4 Ом. 16 TO3 Біполярний DIP PNP — — 125Вт 10 шт. 90В 40А — 18000
Транзистор МП20Б
Транзистор МП20Б
#10817
 23012 СНГ 1 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП20Б германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 30В 50мА 2МГц 200
Транзистор ГТ321Б
Транзистор ГТ321Б
#13542
 25673 СНГ 1 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори ГТ321Бгерманієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 120