Транзистори вітчизняні

Результатів: 425

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
28728 СНГ 2 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори КТ321Е кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 200
29359 СНГ 2 шт
240 грн.
10+228 грн.
50+216 грн.
100+192 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ825Г: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 125 Вт; • fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму 4 МГц; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Ік max - Максимально допустимий постійний струм колектора: 20 А; • Ік і max - максимальний допустимий h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 750...18000; • Ск - Ємність колекторного переходу: не більше 600 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,4 Ом. 16 TO3 Біполярний DIP PNP 125Вт 10 шт. 90В 40А 18000
23012 СНГ 1 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП20Б германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 30В 50мА 2МГц 200
25673 СНГ 1 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори ГТ321Бгерманієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 120
26618 INTEGRAL 1 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 80
26619 СНГ 1 шт
13 грн.
10+12,35 грн.
50+11,70 грн.
100+10,40 грн.
Транзистори П304М кремнієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP 10Вт 20шт. 50В 500мА 0,05МГц
27709 INTEGRAL 1 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 150
29168 СНГ 1 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403Ж германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 Біполярний DIP PNP 4Вт 100шт. 60В 1,25А 60
29178 СНГ 1 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П217Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,2 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером: більше 20; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,5 Ом. 11 Біполярний DIP PNP 30Вт 40шт. 60В 7,5A 0,1МГц
СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 250мВт 1000шт. 20В 200мА 1000
24241 СНГ
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
КТ602АМ Транзистори кремнієві планарні структури npn. Призначені для генерування та посилення сигналів. 1.2 TO126 Біполярний DIP NPN 2.8Вт 100шт. 100В 75мА 150МГц 80
СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Структура P-FET Максимальна напруга сток-витік Uсі, 10 Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., 10 Максимальна розсіювана потужність Pсі макс., Вт 0.007 Крутизна характеристики S, мА/В 0.4…2.4 Корпус КТ-17 0.7 Польовий DIP 125мВт 200шт.
23590 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 300мВт 1000шт. 50В 200мА 200МГц 450
22330 СНГ
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
Транзистори ГТ905А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування у перемикаючих та імпульсних підсилювальних пристроях, у вихідних каскадах підсилювачів потужності низької частоти. 5 Біполярний DIP PNP 6Вт 50шт. 65В 30МГц 100
23553 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN 150мВт 800 шт. 20В 100мА 250МГц 350
23029 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор П416Б германієвий сплавний pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних та генераторних каскадах в діапазоні від довгих до коротких та ультракоротких хвиль, а також імпульсних каскадах радіоелектронних пристроїв. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 100мВт 100шт. 12В 25мА 80МГц 200
25861 СНГ
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Структура PNP Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е. (Uкеr макс), 15 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 0.2 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 45…100 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 1 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 0.2 1.6 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP 200мВт 100шт. 15В 200мА 1МГц 100
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
77,79 г.
23011 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП15А германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. Призначений для посилення малих сигналів низької частоти, посилення, перемикання, формування імпульсів 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 100
24617 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП41 сплавний германієвий pnp підсилювальний низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 30мА 1МГц 60
26623 СНГ
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
Транзистори КТ808АМ кремнієві мезапланарні структури npn високовольтні, перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, генераторах малої розгортки, електронних регуляторах напруги. 13 TO3 Біполярний DIP NPN 70Вт 20шт. 130В 10А 8МГц 125
23004 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор КП327Б кремнієвий планарний з двома ізольованими затворами, захищеними діодами, та каналом n-типу 0.3 КТ-29 Польовий SMD МОП n-канальний 14В 30мА 200мВт 100шт.
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
89,90 г.
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
87 г.
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
89,83 г.
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
Структура: N-FET Максимальна напруга сток-витік Uсі, В: 20 Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., 6.5 Опір каналу у відкритому стані Rси вкл.,мОм: - Максимальна розсіювана потужність Pсі макс., Вт: - Крутизна характеристики S, мА/В: 90
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
89 г.
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
91 г.
25678 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Структура NPN Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е. (Uкеr макс), 15 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 0.2 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 15...30 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 1 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 0.15 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 30
25662 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Структура NPN Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е. (Uкеr макс), 15 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 0.15 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 15...30 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 1 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 0.15 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 50