Транзистори вітчизняні

Результатів: 425

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
60008 — —
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
— — — — — — — — — — — — — — —
60009 — —
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
— — — — — — — — — — — — — — —
25680 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Транзистори ГТ313А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої та надвисокої частот та перемикаючих пристроїв. 1.2 — Біполярний DIP PNP — — 100мВт 100шт. 15В 30мА 300МГц 230
28783 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Транзистори ГТ313Б германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої та надвисокої частот та перемикаючих пристроїв. 1.2 — Біполярний DIP PNP — — 100мВт 100шт. 15В 30мА 450МГц 75
60013 — —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— — — — — — — — — — — — — — —
60014 — —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— — — — — — — — — — — — — — —
60015 — —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
— — — — — — — — — — — — — — —
24128 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 300мВт 1000шт. 50В 200мА 200МГц 220
24238 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— Транзистор КТ3157А кремнієвий епітаксійно-планарний структури pnp перемикач. Призначений для застосування в перемикальних та імпульсних пристроях. 0.4 TO92 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 200шт. 250В 20мА 60МГц 50
23570 INTEGRAL —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 1000шт. 45В 300мА — 120
23563 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Транзистори КТ502Д кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 60В 350мА 5МГц 120
24705 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Транзистори КТ503Е кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 350мВт 1000шт. 80В 350мА 5МГц 120
23556 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
— Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 800 шт. 40В 100мА 250МГц 120
23554 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
— Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 800 шт. 35В 100мА 250МГц 350
23558 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
— Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN — — 100мВт 800 шт. 20В 50мА 250МГц 250
23483 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
— Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. 0.2 КТ-13 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 1000шт. 40В 50мА 250МГц 160
24623 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
— Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. 0.2 КТ-13 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 1000шт. 40В 50мА 250МГц 90
25670 СНГ —
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
— Транзистори ГТ308Б германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для використання в автогенераторах, підсилювачах потужності, імпульсних пристроях. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 50мА 120МГц 120
25669 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
— Транзистори 1Т308В германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для використання в автогенераторах, підсилювачах потужності, імпульсних пристроях. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 50мА 120МГц 150
21706 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
— Основні технічні характеристики транзистора П214Г: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1,5 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: не нормується; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 10 — Біполярний DIP PNP — — 10Вт 20шт. 55В 5А — —
21850 INTEGRAL —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 1 TO126 Біполярний DIP NPN — — 2.5Вт 500шт. 40В 1А 250МГц 150
22268 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— Структура P-FET Максимальна напруга сток-витік Uсі, 10 Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., 17 Максимальна розсіювана потужність Pсі макс., Вт 0.12 Крутизна характеристики S, мА/В 1.3…4.4 Корпус КТ-17 0.7 — Польовий DIP — — — 125мВт 200шт. — — — —
22390 СНГ —
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
— Складання призначене для застосування у вхідних каскадах диференціальних малошумливих підсилювачів низької частоти та постійного струму з високим вхідним опором. 2 — Польовий DIP МОП n-канальний 25В — 50мВт 40шт. — — — —
22796 СНГ —
3,50 грн.
10+3,32 грн.
50+3,15 грн.
100+2,80 грн.
— Транзистори кремнієві планарні структури npn універсальні. 0.7 TO126 Біполярний DIP NPN — — 1.2Вт 200шт. 60В 1А 50МГц 480
22797 СНГ —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
— Транзистори кремнієві планарні структури npn універсальні. 0.7 TO126 Біполярний DIP NPN — — 1.2Вт 200шт. 150В 1А 50МГц 480
22798 СНГ —
3,50 грн.
10+3,32 грн.
50+3,15 грн.
100+2,80 грн.
— Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури п-р-п підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 200шт. 20В 20мА 10МГц 60
23557 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
— Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 800 шт. 40В 100мА 250МГц 90
— СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
— Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 800 шт. 35В 100мА 250МГц 350
22838 СНГ —
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
— Транзистори кремнієві польові планарні з ізольованим затвором і індукованим каналом р-типу. Призначені для застосування у вхідних каскадах підсилювачів малошумящих, нелінійних малосигнальних ланцюгах, каскадах з високим вхідним опором. 0.43 КТ-14 Польовий DIP МОП р-канальний 20В 15мА 200мВт 100шт. — — — —
22969 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— Транзистори кремнієві епітаксійні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у вихідних каскадах малої розгортки, пристроях запалювання двигунів внутрішнього згоряння та інших пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN — — 30Вт 100шт. 70В 5А 20МГц 25