Транзистори вітчизняні

Результатів: 425

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
23002 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП20А германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 20В 50мА 2МГц 150
60005
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
60006
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
60007
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
60008
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
60009
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
25680 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори ГТ313А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої та надвисокої частот та перемикаючих пристроїв. 1.2 Біполярний DIP PNP 100мВт 100шт. 15В 30мА 300МГц 230
28783 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори ГТ313Б германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої та надвисокої частот та перемикаючих пристроїв. 1.2 Біполярний DIP PNP 100мВт 100шт. 15В 30мА 450МГц 75
60013
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
60014
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
60015
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
24128 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 300мВт 1000шт. 50В 200мА 200МГц 220
24238 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
Транзистор КТ3157А кремнієвий епітаксійно-планарний структури pnp перемикач. Призначений для застосування в перемикальних та імпульсних пристроях. 0.4 TO92 Біполярний DIP PNP 200мВт 200шт. 250В 20мА 60МГц 50
23570 INTEGRAL
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 200мВт 1000шт. 45В 300мА 120
23563 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ502Д кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 60В 350мА 5МГц 120
24705 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ503Е кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 350мВт 1000шт. 80В 350мА 5МГц 120
23556 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN 150мВт 800 шт. 40В 100мА 250МГц 120
23554 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN 150мВт 800 шт. 35В 100мА 250МГц 350
23558 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN 100мВт 800 шт. 20В 50мА 250МГц 250
23483 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. 0.2 КТ-13 Біполярний DIP PNP 150мВт 1000шт. 40В 50мА 250МГц 160
24623 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. 0.2 КТ-13 Біполярний DIP PNP 150мВт 1000шт. 40В 50мА 250МГц 90
25670 СНГ
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистори ГТ308Б германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для використання в автогенераторах, підсилювачах потужності, імпульсних пристроях. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 50мА 120МГц 120
25669 СНГ
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Транзистори 1Т308В германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для використання в автогенераторах, підсилювачах потужності, імпульсних пристроях. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 50мА 120МГц 150
21706 СНГ
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основні технічні характеристики транзистора П214Г: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1,5 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: не нормується; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 10 Біполярний DIP PNP 10Вт 20шт. 55В
21850 INTEGRAL
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
1 TO126 Біполярний DIP NPN 2.5Вт 500шт. 40В 250МГц 150
22268 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Структура P-FET Максимальна напруга сток-витік Uсі, 10 Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., 17 Максимальна розсіювана потужність Pсі макс., Вт 0.12 Крутизна характеристики S, мА/В 1.3…4.4 Корпус КТ-17 0.7 Польовий DIP 125мВт 200шт.
22390 СНГ
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
Складання призначене для застосування у вхідних каскадах диференціальних малошумливих підсилювачів низької частоти та постійного струму з високим вхідним опором. 2 Польовий DIP МОП n-канальний 25В 50мВт 40шт.
22796 СНГ
3,50 грн.
10+3,32 грн.
50+3,15 грн.
100+2,80 грн.
Транзистори кремнієві планарні структури npn універсальні. 0.7 TO126 Біполярний DIP NPN 1.2Вт 200шт. 60В 50МГц 480
22797 СНГ
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Транзистори кремнієві планарні структури npn універсальні. 0.7 TO126 Біполярний DIP NPN 1.2Вт 200шт. 150В 50МГц 480
22798 СНГ
3,50 грн.
10+3,32 грн.
50+3,15 грн.
100+2,80 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури п-р-п підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 150мВт 200шт. 20В 20мА 10МГц 60