Транзистор КТ819ВМ

Manufacturer СНГ
Артикули 28764
Категорії Транзистори вітчизняні
Характеристики
Тип Опис
Бренд СНГ
Структура NPN
Тип транзистора Біполярний
Потужність 100Вт
Тип корпусу транзистора TO3
Тип монтажу DIP
Вага г. 16
Заводська упаковка 20шт.
Напруга колектор-емітер 70В
Струм колектора 20А
Опис

Основні технічні характеристики транзистора КТ819ВМ:
• Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна розсіювана потужність колектора: 2 Вт;
• Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 100 Вт;
• fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц;
• Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 70 В (0,1 кОм);
• Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В;
• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 15 А;
• Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 20 А;
• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мА (40В);
• h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 15;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,4 Ом.