Транзистор КТ819ВМ

Manufacturer СНГ
Артикул 28764
Категории Транзисторы отечественные
Характеристики
Тип Описание
Бренд СНГ
Структура NPN
Тип транзистора Биполярный
Мощность 100Вт
Тип корпуса транзистора TO3
Тип монтажа DIP
Вес г. 16
Заводская упаковка 20шт.
Напряжение коллектор-эмиттер 70В
Ток коллектора 20А
Описание

Основные технические характеристики транзистора КТ819ВМ:
• Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 70 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом.