Транзистор 1Т308Б (=ГТ308Б)

Manufacturer СНГ
Артикули 24599
Категорії Транзистори вітчизняні
Характеристики
Тип Опис
Бренд СНГ
Структура PNP
Тип транзистора Біполярний
Потужність 150мВт
Тип монтажу DIP
Вага г. 2
Заводська упаковка 100шт.
Напруга колектор-емітер 20В
Струм колектора 120мА
Коефіцієнт посилення струму 120
Частота 120МГц
Опис

Основні технічні характеристики транзистора 1Т308Б:
• Структура: pnp
• Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт;
• Fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 120 МГц;
• Uкбо - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 20 В;
• Uебо - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В;
• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 50 мА;
• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА;
• h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 50...120 (1В; 10мА);
• Ск - Ємність колекторного переходу: трохи більше 8 (5В);
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 24 Ом;
• Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не нормується;
• tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 400 пс.