Транзисторы отечественные

Результатов: 425

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
Транзистор КТ361Б
Транзистор КТ361Б
#6844
 23551 СНГ 856 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. 0.2 КТ-13 Биполярный DIP PNP 150мВт 1000шт. 20В 50мА 250МГц 350
Транзистор КТ503Д
Транзистор КТ503Д
#10351
 22339 СНГ 800 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы КТ503Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 350мВт 1000шт. 60В 350мА 5МГц 120
Транзистор КТ3115А-2
Транзистор КТ3115А-2
#10726
 22783 СНГ 775 шт
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
Предназначен для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей сверхвысоких частот. 0.1 КТ-22 Биполярный SMD NPN 75мВт 200шт. — 8,5мА 5ГГц 110
Транзистор МП104
Транзистор МП104
#13968
 26148 СНГ 750 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзисторы МП104 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 150мВт 100шт. 60В 10мА 0,1МГц 10
Транзистор КТ604БМ
Транзистор КТ604БМ
#10321
 22271 СНГ 741 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
КТ604БМ Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. 1 TO126 Биполярный DIP NPN 3Вт 200шт. 250В 200мА 40МГц 120
Транзистор КТ361Г1
Транзистор КТ361Г1
#10352
 22340 СНГ 680 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. 0.2 КТ-13 Биполярный DIP PNP 150мВт 1000шт. 35В 50мА 250МГц 350
Транзистор МП13
Транзистор МП13
#14471
 26682 СНГ 645 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзисторы МП13 германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках. Основные технические характеристики транзистора МП13: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,5 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 25...55; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц. 1.8 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 20мА 0,5МГц 12
Транзистор КТ315Е
Транзистор КТ315Е
#6840
 23555 СНГ 638 шт
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN 150мВт 800 шт. 35В 100мА 250МГц 350
Транзистор КТ645А
Транзистор КТ645А
#10316
 22265 INTEGRAL 628 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 500мВт 1000шт. 50В 300мА — —
Транзистор КТ3130А9 (=ВСW71)
Транзистор КТ3130А9 (=ВСW71)
#10107
 21846 INTEGRAL 626 шт
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
0.1 SOT23 Биполярный SMD NPN 100мВт 1000шт. 40В 100мА 150МГц 250
Транзистор П214В
Транзистор П214В
#12366
 24701 СНГ 584 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П214В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 20; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 10 — Биполярный DIP PNP 10Вт 50шт. 55В 5А — —
Транзистор МП15
Транзистор МП15
#3476
 23010 СНГ 533 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП15 германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный маломощный. Предназначен для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 60
Транзисторная сборка 2ТС393А-1Н
Транзисторная сборка 2ТС393А-1Н
#11806
 24035 СНГ 492 шт
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами. Предназначены для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов. 2 — Биполярный SMD PNP x2 20мВт 150шт. 10В 20мА 500МГц 180
Транзистор КТ502А
Транзистор КТ502А
#10350
 22338 СНГ 486 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы КТ502А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 350мВт 1000шт. 25В 350мА 5МГц 120
Транзистор МП25
Транзистор МП25
#10814
 23007 СНГ 457 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП25 германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный. Предназначен для усиления и переключения сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 200мВт 100шт. 40В 150мА — 25
Транзистор КТ805АМ
Транзистор КТ805АМ
#10782
 22970 СНГ 435 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 30Вт 100шт. 60В 5А 20МГц 15
Транзистор КТ209Е
Транзистор КТ209Е
#10313
 22262 INTEGRAL 425 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 200мВт 1000шт. 30В 300мА — 240
Транзистор КТ680А
Транзистор КТ680А
#14422
 26631 СНГ 422 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор KT680A кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в усилителях низкой частоты. 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 350мВт 1000шт. 25В 600мА 120МГц 300
Транзистор КТ6114В (=SS8050)
Транзистор КТ6114В (=SS8050)
#10102
 21840 INTEGRAL 413 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 1Вт 1000шт. 25В 1.5А 100МГц 80
Транзистор КТ520А (=MPSA42)
Транзистор КТ520А (=MPSA42)
#10101
 21839 INTEGRAL 409 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 625мВт 1000шт. 300В 500мА 50МГц 40
Транзистор МП103
Транзистор МП103
#13682
 25841 СНГ 398 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП103 германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 100мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 45
Транзистор КТ6115В (=SS8550)
Транзистор КТ6115В (=SS8550)
#10106
 21845 INTEGRAL 397 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 1Вт 1000шт. 25В 1.5А 100МГц 300
Транзистор КТ817Б
Транзистор КТ817Б
#12236
 24615 СНГ 389 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор КТ817Б кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN 25Вт 200шт. 45В 3А 3МГц 40
Транзистор КТ853В
Транзистор КТ853В
#13954
 26134 СНГ 377 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы КТ853В кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Основные технические характеристики транзистора КТ853В: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 120 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,66 Ом; • tвыкл - Время выключения:: не более 3300 нс 2 TO220 Биполярный DIP PNP 60Вт 100шт. 60В 8А 7МГц 750
Транзистор МП106
Транзистор МП106
#13536
 25664 СНГ 356 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы МП106 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 10мА 0,5МГц 100
Транзистор КТ3101АМ
Транзистор КТ3101АМ
#14485
 26697 СНГ 352 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзисторы КТ3101А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 и 2,25 ГГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот. Основные технические характеристики транзистора КТ3101АМ: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4000 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА (15В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 35...300; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4,5 дБ на частоте 2,25 ГГц • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс. 0.25 КТ-14 Биполярный SMD NPN 100мВт 20шт. 15В 20мА 4ГГц 300
Транзистор МП116
Транзистор МП116
#11961
 24250 СНГ 339 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзисторы МП116 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 10мА 0,5МГц 100
Транзистор П216А
Транзистор П216А
#14714
 26932 СНГ 327 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П216А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20... 80; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом. 10 — Биполярный DIP PNP 30Вт 20шт. 40В 7,5A 0,1МГц 80
Транзистор П605А
Транзистор П605А
#11215
 23349 СНГ 326 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистор германиевый структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц. 9.2 — Биполярный DIP PNP 3Вт 50шт. 40В 1.5А 30МГц 120
Транзистор МП103А
Транзистор МП103А
#13712
 25876 СНГ 326 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП103А германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 100мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 30