Транзистор КТ853В

  • Транзистор КТ853В
Артикул: 26134
на складе (373 шт.)
12 грн.
Доступные скидки
Название Скидка Скидка, % Цена
10+ 0,60 грн. 5 11,40 грн.
50+ 1,20 грн. 10 10,80 грн.
100+ 2,40 грн. 20 9,60 грн.

Транзисторы КТ853В кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.

Основные технические характеристики транзистора КТ853В:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 120 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,66 Ом;
• tвыкл - Время выключения:: не более 3300 нс

БрендСНГ
СтруктураPNP
Тип транзистора Биполярный
Мощность60Вт
Тип корпуса транзистораTO220
Тип монтажаDIP
Вес г.2
Заводская упаковка100шт.
Напряжение коллектор-эмиттер 60В
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току750
Частота7МГц

Оставьте отзыв об этом товаре первым!


Скидка− 0 грн.
Партнерская скидка− 0 грн.
Итого0 грн.

Ваша корзина пуста.