Транзисторы отечественные

Результатов: 425

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
Фототранзистор ФТ-8 гр.А
Фототранзистор ФТ-8 гр.А
#12174
 24467 СНГ 317 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Предназначен для применения в качестве приемников и датчиков инфракрасного излучения в составе оптико-электронной аппаратуры, систем фотоэлектрической автоматики и бесконтактного измерения температуры, вычислительной и измерительной техники. Основные технические параметры фототранзистора ФТ-8: • Размер фоточувствительного элемента: диаметр 0,5 мм; • Длина волны максимума спектрального распределения фоточувствительности: 0,9...0,95 мкм; • Номинальное рабочее напряжение: 5 В; • Темновой ток: не более 1 мкА; • Токовая фоточувствительность: не менее 0,2 мкА/лк. 0.3 — Фото DIP — — 400шт. — — — —
Транзистор 2Т903Б (=КТ903Б)
Транзистор 2Т903Б (=КТ903Б)
#12229
 24608 СНГ 311 шт
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
Основные технические характеристики транзистора 2Т903Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 120 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 180; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 180 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 10 Вт на частоте 50 МГц. 22 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 30Вт 20шт. 60В 10А — 180
Транзистор КТ3128А
Транзистор КТ3128А
#10341
 22328 СНГ 300 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Предназначен для применения в селекторах телевизионных каналов с автоматической регулировкой усиления. 0.4 КТ-1 Биполярный DIP PNP 100мВт 500шт. 20В 20мА 800МГц 150
Транзистор КТ3107Ж
Транзистор КТ3107Ж
#10104
 21843 СНГ 297 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 300мВт 1000шт. 25В 200мА 200МГц 450
Транзистор 2Т208М1 (=КТ208М)
Транзистор 2Т208М1 (=КТ208М)
#10315
 22264 СНГ 296 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор 2Т208М1 служит для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 200мВт 1000шт. 60В 300мА — 40
Транзистор МП114
Транзистор МП114
#13683
 25842 СНГ 295 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы МП114 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 150мВт 100шт. 60В 10мА 0,1МГц 10
Транзистор МП26
Транзистор МП26
#3441
 23003 СНГ 278 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП26 германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный. Предназначен для усиления и переключения сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 200мВт 100шт. 70В 150мА — 25
Транзистор П306А
Транзистор П306А
#14717
 26935 СНГ 266 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзисторы П306А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. 10 — Биполярный DIP PNP 10Вт 40шт. 80В 400мА — 35
Транзистор КТ837Ж
Транзистор КТ837Ж
#15472
 27711 INTEGRAL 266 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 30Вт 100шт. 40В 7,5A 1МГц 80
Транзистор П304
Транзистор П304
#13928
 26107 СНГ 259 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзисторы П304 кремниевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. 10 — Биполярный DIP PNP 10Вт 50шт. 50В 500мА 0,05МГц —
Транзистор МП14Б
Транзистор МП14Б
#10811
 23001 СНГ 258 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистор МП14Б германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный маломощный. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 60
Транзистор П302
Транзистор П302
#16928
 29175 СНГ 257 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзисторы П302 кремниевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения . 10 — Биполярный DIP PNP 7Вт 50шт. 30В 500мА 0,2МГц 10
Транзистор МП40А
Транзистор МП40А
#3440
 24735 СНГ 252 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы МП40А германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 1.8 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP 150мВт 100шт. 30В 30мА 1МГц 40
Транзистор П213
Транзистор П213
#14710
 26928 СНГ 252 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П213: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 11,5 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...50; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,16 Ом. 10 — Биполярный DIP PNP 11,5Вт 20шт. 40В 5А 0,15МГц 50
Транзистор МП105
Транзистор МП105
#13969
 26149 СНГ 241 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы МП105 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 150мВт 100шт. 30В 10мА 0,1МГц 45
Транзистор П214
Транзистор П214
#14712
 26930 СНГ 230 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П214: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,3 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...60; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 10 — Биполярный DIP PNP 10Вт 20шт. 55В 5А 0,15МГц 60
Транзистор КТ3130Г9
Транзистор КТ3130Г9
#14527
 26743 INTEGRAL 229 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.1 SOT23 Биполярный SMD NPN 100мВт 1000шт. 15В 100мА 150МГц 1000
Транзистор ГТ346А
Транзистор ГТ346А
#12505
 24839 СНГ 227 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзисторы ГТ346А германиевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 800 и 200 МГц. Предназначены для применения в селекторах телевизионных каналов метрового и дециметрового диапазонов длин волн с автоматической регулировкой усиления. 0.4 КТ-1 Биполярный DIP PNP 50мВт 1000шт. 15В 10мА 700МГц 150
Транзистор П216В
Транзистор П216В
#14716
 26934 СНГ 227 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П216В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 30; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. 10 — Биполярный DIP PNP 24Вт 20шт. 30В 7,5A 0,1МГц 30
Транзистор КТ801Б
Транзистор КТ801Б
#3436
 21835 СНГ 220 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 10.00 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 5 Корпус КТЮ-3-9 3.5 КТЮ-3-9 Биполярный DIP NPN 5Вт 25шт. 60В 2А 10МГц 30
Транзистор МП113А
Транзистор МП113А
#13537
 25665 СНГ 218 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП113А германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 120
Транзистор П214Б
Транзистор П214Б
#12365
 24700 СНГ 211 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П214Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 11,5 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...150; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 10 — Биполярный DIP PNP 11,5Вт 20шт. 55В 5А 0,15МГц 150
Транзистор КТ209Б
Транзистор КТ209Б
#11446
 23574 СНГ 210 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 350мВт 1000шт. 15В 350мА — 120
Транзистор КТ361К-2
Транзистор КТ361К-2
#11373
 23484 INTEGRAL 209 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 150мВт 1000шт. 60В 100мА 250МГц 350
Транзистор КТ3102АМ
Транзистор КТ3102АМ
#10317
 22267 СНГ 205 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 250мВт 1000шт. 50В 200мА — 250
Транзистор КТ857А
Транзистор КТ857А
#13955
 26135 СНГ 192 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
Транзистор КТ857А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Основные технические характеристики транзистора КТ857А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 250 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (250В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 7,5; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,33 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 2500 нс 2 TO220 Биполярный DIP NPN 60Вт 100шт. 250В 7А 10МГц 10
Тиранзистор КТ681А
Тиранзистор КТ681А
#10110
 21849 СНГ 186 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 350мВт 1000шт. 25В 600мА 120МГц 85
Транзистор КТ818А
Транзистор КТ818А
#10793
 22982 СНГ 185 шт
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 60Вт 100шт. 40В 10А 3МГц 15
Транзистор МП113
Транзистор МП113
#13681
 25840 СНГ 185 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП113 германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 45
Транзистор МП25Б
Транзистор МП25Б
#10816
 23009 СНГ 182 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП25Б германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный. Предназначен для усиления и переключения сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 200мВт 100шт. 40В 150мА — 80