Транзисторы отечественные
Параметры фильтра:
|
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току |
|---|
Транзистор П216
#14713
|
26931 | СНГ | 179 шт |
15 грн.
|
|
Транзисторы П216 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. | 10 | — | Биполярный | DIP | PNP | 30Вт | 20шт. | 40В | 7,5A | 0,1МГц | 20 | ||||||||
Транзистор КТ837Е
#10809
|
22999 | INTEGRAL | 178 шт |
12 грн.
|
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. | 2.5 | TO220 | Биполярный | DIP | PNP | 30Вт | 100шт. | 55В | 7,5A | 1МГц | 150 | ||||||||
Транзистор П217В
#16932
|
29179 | СНГ | 166 шт |
25 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П217В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 5; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. | 11 | — | Биполярный | DIP | PNP | 24Вт | 40шт. | 60В | 7,5A | 0,1МГц | — | ||||||||
Транзистор ГТ403А
#10839
|
23036 | СНГ | 159 шт |
16 грн.
|
|
Транзистор ГТ403А германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. | 3 | — | Биполярный | DIP | PNP | 4Вт | 100шт. | 30В | 1,25А | — | 60 | ||||||||
Транзистор П307ВМ
#14350
|
26558 | СНГ | 158 шт |
5 грн.
|
|
Кремниевый n-p-n транзистор для работы в радиовещательных приемниках и приемоусилительной аппаратуре. | 0.5 | TO126 | Биполярный | DIP | NPN | 250мВт | 1000шт. | 60В | 30мА | 20МГц | 150 | ||||||||
Транзистор КТ3117А1
#9736
|
21146 | СНГ | 154 шт |
4 грн.
|
|
Транзистор NPN 60В 0.4А 0.3Вт 200Мгц TO92 (КТ-26) | 0.4 | TO92 | Биполярный | DIP | NPN | 500мВт | 500шт. | 60В | 400мА | 200МГц | 40 | ||||||||
Транзистор КТ342БМ
#13767
|
25933 | СНГ | 153 шт |
5 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора КТ342БМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 200... 500; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 10 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 200 пс. | 0.3 | TO92 | Биполярный | DIP | NPN | 250мВт | 1000шт. | 25В | 50мА | 300МГц | 500 | ||||||||
Транзистор П201АЭ
#16182
|
28456 | СНГ | 151 шт |
15 грн.
|
|
Характеристики транзистора П201АЭ: Структура P-N-P Uк-э.макс. 22В Uк-б.макс. 30В Iк.макс. (постоянный) 1.5А Iб.макс. (постоянный) 0,75А Pк.макс. (без теплоотвода) 1,0Вт Pк.макс. (с теплоотводом) 10Вт Переключаемая мощность,макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC не более 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC не более 0,2-3,5мА h21э 40..100 fгр. 200КГц Uб-э.нас 0,5-2,0В Uк-э.нас 0,5-2,5В Температурный диапазон -55..+70°C. | 10 | — | Биполярный | DIP | PNP | 10Вт | 50шт. | 30В | 1.5А | 0,2МГц | 100 | ||||||||
Транзистор П417А
#11887
|
24140 | СНГ | 139 шт |
10 грн.
|
|
Германиевые диффузионные высокочастотные (200 МГц) p-n-p транзисторы малой мощности. | 1.8 | — | Биполярный | DIP | PNP | 50мВт | 100шт. | 10В | 10мА | 200МГц | 200 | ||||||||
Фототранзистор КТФ104А
#11586
|
23817 | СНГ | 135 шт |
8 грн.
|
|
Кремниевый планарный n-p-n фототранзистор с площадью фоточувствительного элемента 0.64 мм2 выпускают в пластмассовом корпусе. | 0.2 | — | Фото | — | NPN | — | 200шт. | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П216Д
#14718
|
26936 | СНГ | 135 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П216Д : • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 15... 30; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. | 10 | — | Биполярный | DIP | PNP | 24Вт | 20шт. | 50В | 7,5A | 0,1МГц | 30 | ||||||||
Транзистор КТ361А
#6843
|
24622 | СНГ | 134 шт |
2 грн.
|
|
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. | 0.2 | КТ-13 | Биполярный | DIP | PNP | 150мВт | 1000шт. | 25В | 50мА | 250МГц | 90 | ||||||||
Транзистор П306
#11879
|
24132 | СНГ | 128 шт |
15 грн.
|
|
Транзисторы П306 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. | 10 | — | Биполярный | DIP | PNP | 10Вт | 40шт. | 60В | 400мА | — | 25 | ||||||||
Транзистор МП111
#11391
|
23502 | СНГ | 118 шт |
6 грн.
|
|
Транзистор кремниевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | NPN | 150мВт | 100шт. | 20В | 100мА | 0,5МГц | 25 | ||||||||
Транзистор П216Б
#14715
|
26933 | СНГ | 115 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П216Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. | 10 | — | Биполярный | DIP | PNP | 24Вт | 20шт. | 30В | 7,5A | 0,1МГц | 10 | ||||||||
Транзистор МП102
#16894
|
29141 | СНГ | 115 шт |
7 грн.
|
|
Транзисторы МП102 кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | NPN | 100мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 0,5МГц | 45 | ||||||||
Транзистор П210Б
#12950
|
25221 | СНГ | 110 шт |
60 грн.
|
|
П210Б Транзисторы П210Б германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 37 г с наконечниками выводов и не более 48,5 г с крепежным фланцем. Технические условия: аА0.336.483 ТУ. Основные технические характеристики транзистора П210Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 45 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкэо проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 65 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А. • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10 | 34 | — | Биполярный | DIP | PNP | 45Вт | 10шт. | 65В | 12А | — | 10 | ||||||||
| 23868 | СНГ | 104 шт |
22 грн.
|
|
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами. Предназначены для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов. | 2 | — | Биполярный | SMD | PNP x2 | 20мВт | 200шт. | 15В | 20мА | 500МГц | 140 | |||||||||
Транзистор КТ807А
#14151
|
26345 | СНГ | 104 шт |
8 грн.
|
|
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в генераторах кадровой и строчной разверток, усилителях низкой частоты, источниках вторичного электропитания. | 2.5 | — | Биполярный | DIP | NPN | 10Вт | 20шт. | 100В | 500мА | 5МГц | 45 | ||||||||
| 24599 | СНГ | 98 шт |
8 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора 1Т308Б: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 120 МГц; • Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В; • Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50...120 (1В; 10мА); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В); • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс. | 2 | — | Биполярный | DIP | PNP | 150мВт | 100шт. | 20В | 120мА | 120МГц | 120 | |||||||||
Транзистор МП10
#13698
|
25858 | СНГ | 98 шт |
8 грн.
|
|
Транзистор МП10 германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. Основные технические характеристики транзистора МП10: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...30; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | NPN | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 1МГц | 30 | ||||||||
Транзистор МП42А
#12255
|
24637 | СНГ | 97 шт |
6 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора МП42А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...50; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом. | 1.6 | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | PNP | 200мВт | 100шт. | 15В | 200мА | 1МГц | 50 | ||||||||
Транзистор КТ807Б
#11375
|
23486 | СНГ | 94 шт |
15 грн.
|
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n универсальный. Предназначен для применения в генераторах кадровой и строчной разверток, усилителях низкой частоты, источниках вторичного электропитания. | 2.5 | — | Биполярный | DIP | NPN | 10Вт | 100шт. | 100В | 500мА | 5МГц | 100 | ||||||||
Транзистор КТ3107К
#6836
|
22261 | СНГ | 92 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | TO92 | Биполярный | DIP | PNP | 300мВт | 1000шт. | 25В | 200мА | 200МГц | 220 | |||||||||
Транзистор П213Б
#14711
|
26929 | СНГ | 87 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П213Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 40; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,25 Ом. | 10 | — | Биполярный | DIP | PNP | 10Вт | 20шт. | 30В | 5А | 0,15МГц | 40 | ||||||||
Транзистор МП21Г
#16150
|
28392 | СНГ | 86 шт |
10 грн.
|
|
Транзистор МП21Г германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | PNP | 150мВт | 100шт. | 60В | 100мА | 1МГц | 80 | ||||||||
Транзистор КТ818В
#10791
|
22980 | СНГ | 85 шт |
18 грн.
|
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. | 2.5 | TO220 | Биполярный | DIP | PNP | 60Вт | 100шт. | 70В | 10А | 3МГц | 15 | ||||||||
Транзистор МП111Б
#14145
|
26336 | СНГ | 84 шт |
6 грн.
|
|
Транзистор кремниевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | NPN | 150мВт | 100шт. | 20В | 100мА | 1МГц | 45 | ||||||||
Транзистор П417
#16885
|
29132 | СНГ | 82 шт |
10 грн.
|
|
Германиевые диффузионные высокочастотные (200 МГц) p-n-p транзисторы малой мощности. | 1.8 | — | Биполярный | DIP | PNP | 50мВт | 100шт. | 10В | 10мА | 200МГц | 100 | ||||||||
Транзистор КТ313А1
#11374
|
23485 | СНГ | 80 шт |
3 грн.
|
|
Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. | 0.3 | TO92 | Биполярный | DIP | PNP | 300мВт | 1000шт. | 50В | 350мА | 200МГц | 120 |
