Транзисторы отечественные
Параметры фильтра:
|
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току |
|---|
Транзистор КТ503Б
#11437
|
23564 | СНГ | 79 шт |
5 грн.
|
|
Транзисторы КТ503Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. | 0.3 | TO92 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 350мВт | 1000шт. | 25В | 350мА | 5МГц | 240 | ||||||||
Транзистор КТ626А
#16467
|
28714 | СНГ | 77 шт |
10 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора КТ626А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 6,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 75 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 500 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (30В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 260; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 150 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 500 пс. | 0.7 | TO126 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 6Вт | 500шт. | 45В | 500мА | 70МГц | 40 | ||||||||
Транзистор КТ837У
#16662
|
28901 | INTEGRAL | 65 шт |
12 грн.
|
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. | 2.5 | TO220 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 30Вт | 100шт. | 40В | 7,5A | 1МГц | 80 | ||||||||
Транзистор П216Г
#16926
|
29173 | СНГ | 63 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П216Г : • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: >5; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. | 10 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 24Вт | 20шт. | 50В | 7,5A | 0,1МГц | — | ||||||||
| 29130 | СНГ | 61 шт |
8 грн.
|
|
Транзисторы 1Т308А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 120мА | 120МГц | 75 | |||||||||
Транзистор 1Т905А
#14616
|
26832 | СНГ | 60 шт |
20 грн.
|
|
Транзисторы 1Т905А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты. Основные технические характеристики транзистора 1Т905А: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 6 Вт; • fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 35...100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,17 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс. | 3.5 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 6Вт | 50шт. | 65В | 3А | 30МГц | 100 | ||||||||
Транзистор МП101А
#16893
|
29140 | СНГ | 58 шт |
6 грн.
|
|
Транзисторы МП101Б кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным МП101, МП101Б и нормированным МП101А коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 0,5МГц | 30 | ||||||||
Транзистор П210В
#12951
|
25222 | СНГ | 57 шт |
60 грн.
|
|
Транзисторы П210В германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 37 г с наконечниками выводов и не более 48,5 г с крепежным фланцем. Технические условия: аА0.336.483 ТУ. Основные технические характеристики транзистора П210В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 45 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10. | 34 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 45Вт | 10шт. | 45В | 12А | — | 10 | ||||||||
Транзистор П306М
#15477
|
27717 | СНГ | 57 шт |
12 грн.
|
|
Транзисторы П306М германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. | 2.5 | TO220 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 10Вт | 100шт. | 60В | 400мА | 1МГц | 25 | ||||||||
Транзистор П217
#16929
|
29176 | СНГ | 52 шт |
20 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П217: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 15; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом. | 11 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 30Вт | 40шт. | 60В | 7,5A | 0,1МГц | — | ||||||||
| 21351 | СНГ | 50 шт |
25 грн.
|
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах. Транзисторы КТ805А, КТ805Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 24 г. Тип корпуса: КТЮ-3-20. Технические условия: аА0.336.341 ТУ. | 30 | kt-282 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 30Вт | 20шт. | 60В | 5А | 20МГц | 15 | |||||||||
Транзистор 1Т403Б (=ГТ403Б)
#16886
|
29133 | СНГ | 41 шт |
25 грн.
|
|
Транзистор 1Т403Б германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. | 3 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 4Вт | 100шт. | 30В | 1,25А | — | 150 | ||||||||
Транзистор П201Э
#16183
|
28457 | СНГ | 40 шт |
15 грн.
|
|
Характеристики транзистора П201Э: Структура P-N-P Uк-э.макс. 22В Uк-б.макс. 30В Iк.макс. (постоянный) 1.5А Iб.макс. (постоянный) 0,75А Pк.макс. (без теплоотвода) 1,0Вт Pк.макс. (с теплоотводом) 10Вт Переключаемая мощность,макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC не более 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC не более 0,2-3,5мА h21э 40..100 fгр. 100КГц Uб-э.нас 0,5-2,0В Uк-э.нас 0,5-2,5В Температурный диапазон -55..+70°C. | 10 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 10Вт | 50шт. | 30В | 1.5А | 0,1МГц | 100 | ||||||||
Транзистор П605
#16946
|
29193 | СНГ | 40 шт |
15 грн.
|
|
Транзистор германиевый структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц. | 9.2 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 3Вт | 50шт. | 40В | 1.5А | 30МГц | 60 | ||||||||
| 21353 | СНГ | 39 шт |
100 грн.
|
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах. Транзистор 2Т826А выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор 2Т826А выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г. Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3). Технические условия: аА0.339.058 ТУ. | 14 | kt-9 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 15Вт | 40шт. | 700В | 1А | 6МГц | 10 | |||||||||
Транзистор МП26Б
#10813
|
23006 | СНГ | 35 шт |
6 грн.
|
|
Транзистор МП26Б германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный. Предназначен для усиления и переключения сигналов низкой частоты. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 200мВт | 100шт. | 70В | 150мА | — | 80 | ||||||||
Транзистор МП10А
#10818
|
23013 | СНГ | 35 шт |
8 грн.
|
|
Транзистор МП10А германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 30В | 20мА | 1МГц | 30 | ||||||||
Транзистор КТ3102ИМ
#10105
|
21844 | СНГ | 32 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | TO92 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 250мВт | 1000шт. | 50В | 200мА | — | 500 | |||||||||
Транзистор МП111А
#10784
|
22972 | СНГ | 28 шт |
5 грн.
|
|
Транзистор кремниевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с нормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 20В | 100мА | 0,5МГц | 30 | ||||||||
Транзистор КТ382АМ
#14423
|
26632 | СНГ | 28 шт |
8 грн.
|
|
Транзисторы КТ382АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот. | 0.25 | КТ-14 | Биполярный | SMD | NPN | — | — | 100мВт | 20шт. | 10В | 20мА | 1.8ГГц | 330 | ||||||||
| 21354 | СНГ | 25 шт |
100 грн.
|
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах. Транзистор 2Т826Б выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор 2Т826Б выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г. Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3). Технические условия: аА0.339.058 ТУ. | 14 | kt-9 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 15Вт | 40шт. | 700В | 1А | 6МГц | 10 | |||||||||
Транзистор ГТ403Б
#10840
|
23037 | СНГ | 24 шт |
17 грн.
|
|
Транзистор ГТ403Б германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. | 3 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 4Вт | 100шт. | 30В | 1,25А | — | 150 | ||||||||
Транзистор КТ826А
#13930
|
26109 | СНГ | 24 шт |
70 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора КТ826А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 6 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 700 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом. | 14 | kt-9 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 15Вт | 40шт. | 700В | 1А | 6МГц | 10 | ||||||||
Транзистор ГТ320А
#14473
|
26684 | СНГ | 23 шт |
10 грн.
|
|
Транзисторы ГТ320А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. | 1.8 | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 200мВт | 100шт. | 12В | 150мА | 80МГц | 80 | ||||||||
Транзистор КТ837И
#15469
|
27708 | INTEGRAL | 22 шт |
12 грн.
|
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. | 2.5 | TO220 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 30Вт | 100шт. | 40В | 7,5A | 1МГц | 80 | ||||||||
Транзистор 3П328А-2
#11195
|
23319 | СНГ | 21 шт |
35 грн.
|
|
Транзистор полевой арсенидгаллиевый планарный с двумя затворами с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц. | 0.1 | КТ-21 | Полевой | SMD | МОП n-канальный | 6В | 1мА | 50мВт | 120шт. | — | — | 8ГГц | — | ||||||||
Транзистор КТ837Л
#10739
|
22804 | INTEGRAL | 19 шт |
12 грн.
|
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. | 2.5 | TO220 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 30Вт | 100шт. | 60В | 7,5A | 1МГц | 40 | ||||||||
Транзистор П303
#13778
|
25957 | СНГ | 19 шт |
13 грн.
|
|
Транзисторы П303 кремниевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. | 10 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 10Вт | 20шт. | 65В | 500мА | 0,1МГц | — | ||||||||
Транзистор МП21Б
#16890
|
29137 | СНГ | 19 шт |
10 грн.
|
|
Транзистор МП21Б, германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 40В | 100мА | 1,5МГц | 80 | ||||||||
Транзистор МП21А
#16884
|
29131 | СНГ | 15 шт |
10 грн.
|
|
Транзистор МП21А германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 35В | 100мА | 1МГц | 150 |
