Транзисторы отечественные
Параметры фильтра:
|
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току |
|---|
| 22329 | СНГ | 14 шт |
20 грн.
|
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума. | 0.2 | КТ-14 | Биполярный | SMD | NPN | — | — | 100мВт | 200шт. | 10В | 20мА | 3ГГц | 240 | |||||||||
Транзистор ГТ403И
#10843
|
23040 | СНГ | 14 шт |
26 грн.
|
|
Транзистор ГТ403И германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. | 3 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 4Вт | 50шт. | 60В | 1,25А | — | 30 | ||||||||
Транзистор КТ837М
#15471
|
27710 | INTEGRAL | 14 шт |
12 грн.
|
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. | 2.5 | TO220 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 30Вт | 100шт. | 70В | 7,5A | 1МГц | 80 | ||||||||
| 24242 | СНГ | 13 шт |
6 грн.
|
|
Транзисторы 2Т321Д кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. | 1.5 | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 210мВт | 100шт. | 40В | 200мА | 60МГц | 120 | |||||||||
Транзистор П217А
#16930
|
29177 | СНГ | 13 шт |
20 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П217А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 20... 60; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом. | 11 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 30Вт | 40шт. | 60В | 7,5A | 0,1МГц | — | ||||||||
Транзистор КТ629А
#11376
|
23487 | СНГ | 12 шт |
7 грн.
|
|
Транзисторы КТ629А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с защитным покрытием с гибкими выводами. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем. | 1.8 | — | Биполярный | SMD | PNP | — | — | 1Вт | 100шт. | — | 1А | 250МГц | 25 | ||||||||
Транзистор П214А
#13777
|
25956 | СНГ | 11 шт |
15 грн.
|
|
Транзисторы П214А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Основные технические характеристики транзистора П214А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,3 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50...150; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. | 11 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 10Вт | 20шт. | 55В | 5А | 0,15МГц | 150 | ||||||||
Транзистор 2Т831В
#16614
|
28852 | СНГ | 11 шт |
44 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора 2Т831В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом. | 1 | TO39 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 1Вт | 100шт. | 70В | 2А | 4МГц | 25 | ||||||||
Транзистор КТ350А
#10810
|
23000 | СНГ | 10 шт |
5 грн.
|
|
Транзистор КТ350А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. | 0.3 | TO92 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 300мВт | 500шт. | 15В | 60мА | 100МГц | 200 | ||||||||
Транзистор 2Т903А (=КТ903А)
#11605
|
23831 | СНГ | 10 шт |
40 грн.
|
|
Транзистор 2Т903А кремниевый мезапланарный структуры n-p-n генераторный. Предназначен для применения в усилителях мощности и автогенераторах. | 22 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 30Вт | 20шт. | 60В | 10А | 120МГц | 70 | ||||||||
Транзистор МП40
#13548
|
25681 | СНГ | 10 шт |
5 грн.
|
|
Транзисторы МП40 германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. | 1.8 | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 30В | 30мА | 1МГц | 40 | ||||||||
Транзистор 1Т403В (=ГТ403В)
#16923
|
29170 | СНГ | 10 шт |
25 грн.
|
|
Транзистор 1Т403В германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. | 3 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 4Вт | 100шт. | 45В | 1,25А | — | 60 | ||||||||
Транзистор КТ819ВМ
#16516
|
28764 | СНГ | 9 шт |
75 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора КТ819ВМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 70 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом. | 16 | TO3 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 100Вт | 20шт. | 70В | 20А | — | — | ||||||||
Транзистор МП112
#10785
|
22973 | СНГ | 8 шт |
5 грн.
|
|
Транзистор германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 10В | 100мА | 2МГц | 45 | ||||||||
Транзистор 1Т403И (=ГТ403И)
#16924
|
29171 | СНГ | 8 шт |
25 грн.
|
|
Транзистор 1Т403И германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. | 3 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 4Вт | 100шт. | 60В | 1,25А | — | 30 | ||||||||
Транзистор 1Т403А (=ГТ403А)
#16922
|
29169 | СНГ | 7 шт |
25 грн.
|
|
Транзистор 1Т403А германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. | 3 | — | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 4Вт | 100шт. | 30В | 1,25А | — | 60 | ||||||||
Транзистор 2Т321Б (=КТ321Б)
#11952
|
24240 | СНГ | 6 шт |
6 грн.
|
|
Транзисторы 2Т321Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. | 1.5 | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 210мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 60МГц | 120 | ||||||||
Транзистор КТ835А
#3432
|
22976 | СНГ | 5 шт |
12 грн.
|
|
Структура PNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 1.00 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 25 | 2.5 | TO220 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 25Вт | 100шт. | 30В | 3А | 1МГц | 20 | ||||||||
Транзистор КТ803А
#11875
|
24127 | СНГ | 4 шт |
170 грн.
|
|
Транзисторы КТ803А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, источниках вторичного электропитания. | 19 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 60Вт | 20шт. | 60В | 10А | 20МГц | 50 | ||||||||
Транзистор П701А
#13738
|
25906 | СНГ | 4 шт |
38 грн.
|
|
Транзисторы П701А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств. | 10 | — | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 10Вт | 20шт. | 60В | 500мА | 20МГц | 60 | ||||||||
Транзистор ГТ308В
#6850
|
25668 | СНГ | 3 шт |
12 грн.
|
|
Транзисторы ГТ308В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. Основные технические характеристики транзистора ГТ308В: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 120 МГц; • Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В; • Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 80...150 (1В; 10мА); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В); • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 8 дБ (1,6 МГц); • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 50мА | 120МГц | 150 | ||||||||
Транзистор КТ840Б
#16613
|
28851 | СНГ | 3 шт |
30 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора КТ840Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 8 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 750 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 6 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера:не более 3 мА (750В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом. | 17.5 | TO3 | Биполярный | DIP | NPN | — | — | 60Вт | 40шт. | 350В | 6А | 8МГц | 10 | ||||||||
Транзистор КП707В2 (=BUZ90)
#10738
|
22803 | СНГ | 2 шт |
52 грн.
|
|
2.5 | TO220 | Полевой | DIP | МОП n-канальный | 800В | 7А | 50Вт | 100шт. | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор МП21Д
#10821
|
23017 | СНГ | 2 шт |
10 грн.
|
|
Транзистор МП21Д германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 60В | 100мА | 0,7МГц | 200 | ||||||||
Транзистор КТ209К
#11443
|
23571 | СНГ | 2 шт |
4 грн.
|
|
0.3 | TO92 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 45В | 350мА | — | 160 | |||||||||
Транзистор 1Т321В (=ГТ321В)
#13543
|
25674 | СНГ | 2 шт |
10 грн.
|
|
Транзисторы 1Т321В германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 60МГц | 200 | ||||||||
Транзистор ГТ321В
#13711
|
25875 | СНГ | 2 шт |
10 грн.
|
|
Транзисторы ГТ321В германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 60МГц | 200 | ||||||||
Транзистор КТ352А
#13753
|
25921 | INTEGRAL | 2 шт |
5 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора КТ352А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 25... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3 Ом. | 0.3 | TO92 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 300мВт | 500шт. | 15В | 200мА | 200МГц | 120 | ||||||||
Транзистор КТ321Г
#16477
|
28726 | СНГ | 2 шт |
6 грн.
|
|
Транзисторы КТ321Г кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. | 1.5 | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 210мВт | 100шт. | 40В | 200мА | 60МГц | 60 | ||||||||
Транзистор КТ321Д
#16478
|
28727 | СНГ | 2 шт |
6 грн.
|
|
Транзисторы КТ321Д кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. | 1.5 | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | PNP | — | — | 210мВт | 100шт. | 40В | 200мА | 60МГц | 120 |
