Транзисторы отечественные

Результатов: 425

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
Транзистор КТ321Е
Транзистор КТ321Е
#16479
 28728 СНГ 2 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзисторы КТ321Е кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP — — 210мВт 100шт. 40В 200мА 60МГц 200
Транзистор КТ825Г
Транзистор КТ825Г
#17110
 29359 СНГ 2 шт
240 грн.
10+228 грн.
50+216 грн.
100+192 грн.
Основные технические характеристики транзистора КТ825Г: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750...18000; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом. 16 TO3 Биполярный DIP PNP — — 125Вт 10шт. 90В 40А — 18000
Транзистор МП20Б
Транзистор МП20Б
#10817
 23012 СНГ 1 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП20Б германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 30В 50мА 2МГц 200
Транзистор ГТ321Б
Транзистор ГТ321Б
#13542
 25673 СНГ 1 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзисторы ГТ321Бгерманиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 120
Транзистор КТ837Б
Транзистор КТ837Б
#14410
 26618 INTEGRAL 1 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 80
Транзистор П304М
Транзистор П304М
#14411
 26619 СНГ 1 шт
13 грн.
10+12,35 грн.
50+11,70 грн.
100+10,40 грн.
Транзисторы П304М кремниевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 10Вт 20шт. 50В 500мА 0,05МГц —
Транзистор КТ837В
Транзистор КТ837В
#15470
 27709 INTEGRAL 1 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 150
Транзистор 1Т403Ж (=ГТ403Ж)
Транзистор 1Т403Ж (=ГТ403Ж)
#16921
 29168 СНГ 1 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403Ж германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. 3 — Биполярный DIP PNP — — 4Вт 100шт. 60В 1,25А — 60
Транзистор П217Б
Транзистор П217Б
#16931
 29178 СНГ 1 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Основные технические характеристики транзистора П217Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,2 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 20; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом. 11 — Биполярный DIP PNP — — 30Вт 40шт. 60В 7,5A 0,1МГц —
Транзистор КТ3102ЕМ
Транзистор КТ3102ЕМ
#679
 — СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 250мВт 1000шт. 20В 200мА — 1000
Транзистор КТ602АМ
Транзистор КТ602АМ
#2377
 24241 СНГ —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
 — КТ602АМ Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n. Предназначены для генерирования и усиления сигналов. 1.2 TO126 Биполярный DIP NPN — — 2.8Вт 100шт. 100В 75мА 150МГц 80
Транзистор КП103Е
Транзистор КП103Е
#3433
 — СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Структура P-FET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 10 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0.007 Крутизна характеристики S,мА/В 0.4…2.4 Корпус КТ-17 0.7 — Полевой DIP — — — 125мВт 200шт. — — — —
Транзистор КТ3107И
Транзистор КТ3107И
#3434
 23590 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 300мВт 1000шт. 50В 200мА 200МГц 450
Транзистор ГТ905А
Транзистор ГТ905А
#3435
 22330 СНГ —
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
 — Транзисторы ГТ905А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты. 5 — Биполярный DIP PNP — — 6Вт 50шт. 65В 7А 30МГц 100
Транзистор КТ315Б
Транзистор КТ315Б
#3437
 23553 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 800 шт. 20В 100мА 250МГц 350
Транзистор П416Б
Транзистор П416Б
#3438
 23029 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Транзистор П416Б германиевый сплавный p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 100мВт 100шт. 12В 25мА 80МГц 200
Транзистор МП42Б
Транзистор МП42Б
#3439
 25861 СНГ —
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
 — Структура PNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 15 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 45…100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 1 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 0.2 1.6 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP — — 200мВт 100шт. 15В 200мА 1МГц 100
2Т603Б никель
2Т603Б никель
#3442
 — — —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
 — 77,79 г. — — — — — — — — — — — — —
Транзистор МП15А
Транзистор МП15А
#3443
 23011 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Транзистор МП15А германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный маломощный. Предназначен для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 100
Транзистор МП41
Транзистор МП41
#3444
 24617 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Транзистор МП41 германиевый сплавный p-n-p усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 30мА 1МГц 60
Транзистор КТ808АМ
Транзистор КТ808АМ
#3445
 26623 СНГ —
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
 — Транзисторы КТ808АМ кремниевые мезапланарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. 13 TO3 Биполярный DIP NPN — — 70Вт 20шт. 130В 10А 8МГц 125
Транзистор КП327Б (=BF961)
Транзистор КП327Б (=BF961)
#3463
 23004 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — Транзистор КП327Б кремниевые планарный с двумя изолированными затворами, защищенными диодами, и каналом n-типа 0.3 КТ-29 Полевой SMD МОП n-канальный 14В 30мА 200мВт 100шт. — — — —
2П903А
2П903А
#3464
 — — —
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
 — 89,90 г. — — — — — — — — — — — — —
2П903В ОС
2П903В ОС
#3465
 — — —
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
 — 87 г. — — — — — — — — — — — — —
2П903В
2П903В
#3466
 — — —
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
 — 89,83 г. — — — — — — — — — — — — —
КП903Б
КП903Б
#3467
 — — —
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
 — Структура: N-FET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 6.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: - Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт: - Крутизна характеристики S,мА/В: 90 — — — — — — — — — — — — —
КП903А
КП903А
#3468
 — — —
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
 — 89 г. — — — — — — — — — — — — —
КТ921Б
КТ921Б
#3469
 — — —
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
 — 91 г. — — — — — — — — — — — — —
Транзистор МП37А
Транзистор МП37А
#3475
 25678 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 15 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15…30 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 1 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 0.15 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 30
Транзистор МП37Б
Транзистор МП37Б
#3477
 25662 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 15 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 0.15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15…30 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 1 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 0.15 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 50