Транзисторы отечественные

Результатов: 425

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
КТ203В ник.
КТ203В ник.
#6821
 60006 — —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — — — — — — — — — — — — — —
КТ203Б ОС
КТ203Б ОС
#6822
 60007 — —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
 — — — — — — — — — — — — — —
КТ913Б
КТ913Б
#6823
 60008 — —
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
 — — — — — — — — — — — — — —
2Т610А
2Т610А
#6824
 60009 — —
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
 — — — — — — — — — — — — — —
Транзистор ГТ313А
Транзистор ГТ313А
#6825
 25680 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Транзисторы ГТ313А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. 1.2 — Биполярный DIP PNP — 100мВт 100шт. 15В 30мА 300МГц 230
Транзистор ГТ313Б
Транзистор ГТ313Б
#6826
 28783 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Транзисторы ГТ313Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. 1.2 — Биполярный DIP PNP — 100мВт 100шт. 15В 30мА 450МГц 75
КТ301Е ник.
#6828
 60013 — —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — — — — — — — — — — — — — —
ГТ329А
#6829
 60014 — —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — — — — — — — — — — — — — —
ГТ329Б
#6830
 60015 — —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
 — — — — — — — — — — — — — —
Транзистор КТ3107Б
Транзистор КТ3107Б
#6831
 24128 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — 300мВт 1000шт. 50В 200мА 200МГц 220
Транзистор КТ3157А
Транзистор КТ3157А
#6832
 24238 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — Транзистор КТ3157А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный. Предназначен для применения в переключательных и импульсных устройствах. 0.4 TO92 Биполярный DIP PNP — 200мВт 200шт. 250В 20мА 60МГц 50
Транзистор КТ209И
Транзистор КТ209И
#6833
 23570 INTEGRAL —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — 200мВт 1000шт. 45В 300мА — 120
Транзистор КТ502Д
Транзистор КТ502Д
#6834
 23563 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Транзисторы КТ502Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — 350мВт 1000шт. 60В 350мА 5МГц 120
Транзистор КТ503Е
Транзистор КТ503Е
#6835
 24705 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Транзисторы КТ503Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — 350мВт 1000шт. 80В 350мА 5МГц 120
Транзистор КТ315В
Транзистор КТ315В
#6838
 23556 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN — 150мВт 800 шт. 40В 100мА 250МГц 120
Транзистор КТ315Г
Транзистор КТ315Г
#6839
 23554 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN — 150мВт 800 шт. 35В 100мА 250МГц 350
Транзистор КТ315Ж
Транзистор КТ315Ж
#6841
 23558 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN — 100мВт 800 шт. 20В 50мА 250МГц 250
Транзистор КТ361В
Транзистор КТ361В
#6845
 23483 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. 0.2 КТ-13 Биполярный DIP PNP — 150мВт 1000шт. 40В 50мА 250МГц 160
Транзистор КТ361Д
Транзистор КТ361Д
#6847
 24623 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. 0.2 КТ-13 Биполярный DIP PNP — 150мВт 1000шт. 40В 50мА 250МГц 90
Транзистор ГТ308Б
Транзистор ГТ308Б
#6849
 25670 СНГ —
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
 — Транзисторы ГТ308Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — 150мВт 100шт. 15В 50мА 120МГц 120
Транзистор 1Т308В (=ГТ308В)
Транзистор 1Т308В (=ГТ308В)
#6852
 25669 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
 — Транзисторы 1Т308В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — 150мВт 100шт. 15В 50мА 120МГц 150
Транзистор П214Г
Транзистор П214Г
#9906
 21706 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора П214Г: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: не нормируется; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 10 — Биполярный DIP PNP — 10Вт 20шт. 55В 5А — —
Транзистор КТ646Б
Транзистор КТ646Б
#10111
 21850 INTEGRAL —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 1 TO126 Биполярный DIP NPN — 2.5Вт 500шт. 40В 1А 250МГц 150
Транзистор КП103М Au
Транзистор КП103М Au
#10318
 22268 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Структура P-FET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 17 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0.12 Крутизна характеристики S,мА/В 1.3…4.4 Корпус КТ-17 0.7 — Полевой DIP — — 125мВт 200шт. — — — —
Транзисторная сборка КПС104Г Аu
Транзисторная сборка КПС104Г Аu
#10382
 22390 СНГ —
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
 — Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. 2 — Полевой DIP МОП n-канальный 25В 50мВт 40шт. — — — —
Транзистор КТ683Е
Транзистор КТ683Е
#10731
 22796 СНГ —
3,50 грн.
10+3,32 грн.
50+3,15 грн.
100+2,80 грн.
 — Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN — 1.2Вт 200шт. 60В 1А 50МГц 480
Транзистор КТ683А
Транзистор КТ683А
#10732
 22797 СНГ —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
 — Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN — 1.2Вт 200шт. 150В 1А 50МГц 480
Транзистор КТ201АМ
Транзистор КТ201АМ
#10733
 22798 СНГ —
3,50 грн.
10+3,32 грн.
50+3,15 грн.
100+2,80 грн.
 — Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п усилительные с ненормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — 150мВт 200шт. 20В 20мА 10МГц 60
Транзистор КТ315Д
Транзистор КТ315Д
#10735
 23557 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN — 150мВт 800 шт. 40В 100мА 250МГц 90
Транзистор КТ315Р
Транзистор КТ315Р
#10736
 — СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN — 150мВт 800 шт. 35В 100мА 250МГц 350