Транзисторы отечественные

Результатов: 425

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
23557 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN 150мВт 800 шт. 40В 100мА 250МГц 90
СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN 150мВт 800 шт. 35В 100мА 250МГц 350
22838 СНГ
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением. 0.43 КТ-14 Полевой DIP МОП р-канальный 20В 15мА 200мВт 100шт.
22969 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 30Вт 100шт. 70В 20МГц 25
22971 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 50
22974 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный. Предназначен для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В. 5 КТ-4-2 Биполярный Винт NPN 2.5Вт 50шт. 65В 400мА 350МГц 15
22975 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в усилителях, преобразователях и импульсных устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 25Вт 100шт. 45В 1МГц 100
22977 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 60Вт 100шт. 100В 10А 3МГц 12
22978 СНГ
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 60Вт 100шт. 40В 10А 3МГц 15
22979 СНГ
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 60Вт 100шт. 100В 10А 3МГц 12
22981 СНГ
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный. Предназначен для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В. 5 КТ-4-2 Биполярный Винт NPN 2.5Вт 50шт. 65В 400мА 350МГц 15
22983 СНГ
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 60Вт 100шт. 50В 10А 3МГц 20
22984 INTEGRAL
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 40
22988 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный структуры n-p-n усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN 10Вт 200шт. 300В 100мА 90МГц 25
22989 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор КТ644Б кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p универсальный. TO126 Биполярный DIP PNP 1Вт 200шт. 60В 200МГц 300
22990 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор КТ816Б кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP PNP 25Вт 200шт. 45В 3МГц 25
22991 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор КТ814Б кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP PNP 10Вт 200шт. 40В 1.5А 3МГц 40
22992 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор КТ815Г кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN 10Вт 200шт. 100В 1.5А 3МГц 30
22993 СНГ
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 250мВт 1000шт. 30В 200мА 500
22994 СНГ
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n. Предназначен для применения в усилителях, импульсных и переключающих высокочастотных устройствах. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN 400мВт 200шт. 250В 100мА 40МГц 120
22995 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор КТ814В кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP PNP 10Вт 200шт. 60В 1.5А 3МГц 40
22996 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор КТ814А кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP PNP 10Вт 200шт. 25В 1.5А 3МГц 40
22997 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор КТ815А кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN 10Вт 200шт. 40В 1.5А 3МГц 40
23015 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21Е германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 150мВт 100шт. 70В 100мА 0,7МГц 150
23018 СНГ
42 грн.
10+39,90 грн.
50+37,80 грн.
100+33,60 грн.
Транзистор ГТ402А германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты. 3.5 Биполярный DIP PNP 300мВт 50шт. 25В 500мА 1МГц 80
23019 СНГ
42 грн.
10+39,90 грн.
50+37,80 грн.
100+33,60 грн.
Транзистор ГТ402Б германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты. 3.5 Биполярный DIP PNP 300мВт 50шт. 25В 500мА 1МГц 150
23020 СНГ
42 грн.
10+39,90 грн.
50+37,80 грн.
100+33,60 грн.
Транзистор ГТ402В германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты. 3.5 Биполярный DIP PNP 300мВт 50шт. 40В 500мА 1МГц 80
23021 СНГ
42 грн.
10+39,90 грн.
50+37,80 грн.
100+33,60 грн.
Транзистор ГТ402Г германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты. 3.5 Биполярный DIP PNP 300мВт 50шт. 40В 500мА 1МГц 150
23022 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор КТ815В кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN 10Вт 200шт. 70В 1.5А 3МГц 40
23023 СНГ
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
Транзистор ГТ402Е германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты. 3.5 Биполярный DIP PNP 300мВт 50шт. 25В 500мА 1МГц 150