Транзисторы отечественные

Результатов: 425

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
23028 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Транзистор МП16Б германиевый низкочастотный маломощный сплавный p-n-p переключательный. Предназначен для применения в схема переключения и формирования импульсов. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 200мВт 100шт. 15В 100мА 1МГц 100
23032 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
— Транзистор германиевый сплавный p-n-p усилительный низкочастотный с нормированным на частоте 1 кГц коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 30мА 0,5МГц 60
23033 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Транзистор МП41А германиевый сплавный p-n-p усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 30мА 1МГц 100
23034 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Транзистор германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 100
23035 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Транзистор германиевый сплавный p-n-p усилительный низкочастотный с ненормированным на частоте 1 кГц коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 30мА 0,5МГц 12
23038 СНГ —
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
— Транзистор ГТ403Д германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. 3 — Биполярный DIP PNP — — 4Вт 100шт. 45В 1,25А — 150
23039 СНГ —
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
— Транзистор ГТ403Е германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. 3 — Биполярный DIP PNP — — 4Вт 100шт. 45В 1,25А — 30
23041 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
— Транзистор П403 - германиевый, усилительный маломощный, высокочастотный, структуры - p-n-p. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 100мВт 100шт. 10В 20мА 120МГц 100
23042 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Транзистор германиевыЙ сплавныЙ n-p-n усилительныЙ низкочастотныЙ с ненормированным на частоте 1 кГц коэффициентом шума. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 0,5МГц 125
23045 СНГ —
42 грн.
10+39,90 грн.
50+37,80 грн.
100+33,60 грн.
— Транзистор ГТ404А германиевый сплавный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты. 3.5 — Биполярный DIP NPN — — 600мВт 50шт. 25В 500мА 1МГц 80
23046 СНГ —
42 грн.
10+39,90 грн.
50+37,80 грн.
100+33,60 грн.
— Транзистор ГТ404Б германиевый сплавный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты. 3.5 — Биполярный DIP NPN — — 600мВт 50шт. 25В 500мА 1МГц 150
23047 СНГ —
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
— Транзистор ГТ404Г германиевый сплавный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты. 3.5 — Биполярный DIP NPN — — 600мВт 50шт. 40В 500мА 1МГц 150
23048 СНГ —
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
— Транзистор КТ3117А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный. Предназначен для применения в импульсных и переключающих устройствах. 0.5 КТ-1 Биполярный DIP NPN — — 300мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 200
23049 СНГ —
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
— Транзистор 2Т3108Б кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначен для применения в логарифмических видеоусилителях и линейных усилителях высокой частоты. 0.5 КТ-1 Биполярный DIP PNP — — 300мВт 100шт. 45В 200мА 250МГц 150
23050 СНГ —
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
— Транзистор КТ117Б кремниевой эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа. Транзистор предназначен для применения в маломощных генераторах. 0.5 КТ-1 Биполярный DIP n-база — — 300мВт 100шт. — — — —
23321 СНГ —
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
— Транзистор 2Т208Б служит для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. 0.3 КТ-1 Биполярный DIP PNP — — 200мВт 100шт. 20В 300мА — 120
23322 СНГ —
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
— Транзистор КП302ВМ кремниевый планарный полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначен для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах. 0.4 КТ-1 Полевой DIP МОП р-канальный 20В 30мА 300мВт 100шт. — — 150МГц —
23480 INTEGRAL —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Транзисторы КП959А кремниевые ключевые эпитаксиально-планарные с вертикальным каналом n-типа со статической индукцией предназначены для применения в схемах высокочастотных источников питания и других быстродействующих ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры. 0.6 TO126 Полевой DIP МОП n-канальный 220В 200мА 7Вт 100шт. — — — —
23488 СНГ —
27 грн.
10+25,65 грн.
50+24,30 грн.
100+21,60 грн.
— Транзисторы КП350В кремниевые диффузно-планарные полевые с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц. 0.4 КТ-1 Полевой DIP МОП n-канальный — — 200мВт 100шт. — — — —
23525 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
— Транзисторы КП303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 0.4 КТ-1 Полевой DIP МОП n-канальный 25В 20мА 200мВт 100шт. — — — —
23526 СНГ —
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
— Транзисторы КП307Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 0.4 КТ-1 Полевой DIP МОП n-канальный 27В 25мА 250мВт 100шт. — — — —
23559 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Транзисторы КТ502Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 25В 350мА 5МГц 240
23560 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Транзисторы КТ502В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 120
23561 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Транзисторы КТ502Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 240
23562 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Транзисторы КТ502Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 80В 350мА 5МГц 120
23565 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Транзисторы КТ503В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 120
23566 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Транзисторы КТ503Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 240
23567 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 60В 350мА — 120
23568 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 60В 350мА — 120
23569 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 25В 350мА — 120