Транзисторы отечественные

Результатов: 425

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
Транзистор КТ209М
Транзистор КТ209М
#11441
 23568 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 60В 350мА — 120
Транзистор КТ209А
Транзистор КТ209А
#11442
 23569 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 25В 350мА — 120
Транзистор КТ209Ж
Транзистор КТ209Ж
#11444
 23572 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 45В 350мА — 60
Транзистор КТ3102ГМ
Транзистор КТ3102ГМ
#11445
 23573 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 250мВт 1000шт. 20В 200мА — 1000
Транзистор КТ209Г
Транзистор КТ209Г
#11447
 23575 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 30В 350мА — 60
Транзистор КП303Д Ni
Транзистор КП303Д Ni
#11617
 23848 СНГ —
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
 — Транзисторы КП303Д кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 0.4 КТ-1 Полевой DIP МОП n-канальный 25В 20мА 200мВт 100шт. — — — —
Транзистор КП303В Ni
Транзистор КП303В Ni
#11618
 23849 СНГ —
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
 — Транзисторы КП303В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 0.4 КТ-1 Полевой DIP МОП n-канальный 25В 20мА 200мВт 100шт. — — — —
Транзистор КТ3107В
Транзистор КТ3107В
#11685
 23914 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 300мВт 1000шт. 25В 200мА 200МГц 140
Транзистор 2Т625АМ-2
Транзистор 2Т625АМ-2
#11805
 24034 СНГ —
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
 — Транзисторы 2Т625АМ-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в импульсных устройствах герметизированной аппаратуры. Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами. 1.6 — Биполярный SMD NPN — — 1Вт 100шт. 40В 1А 200МГц 120
Транзистор 2Т331В-1
Транзистор 2Т331В-1
#11807
 24036 СНГ —
38 грн.
10+36,10 грн.
50+34,20 грн.
100+30,40 грн.
 — Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n бескорпусные высокочастотные транзисторы. 1.6 — Биполярный — NPN — — — 50шт. — — — 180
Транзистор П701
Транзистор П701
#11874
 24126 СНГ —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
 — Транзисторы П701 кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств. 10 — Биполярный DIP NPN — — 10Вт 20шт. 40В 500мА 20МГц 40
Транзистор КТ3107Г
Транзистор КТ3107Г
#11876
 24129 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 300мВт 1000шт. 25В 200мА 200МГц 220
Транзистор КТ3107Л
Транзистор КТ3107Л
#11877
 24130 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 300мВт 1000шт. 20В 200мА 200МГц 800
Транзистор П702
Транзистор П702
#11878
 24131 СНГ —
50 грн.
10+47,50 грн.
50+45 грн.
100+40 грн.
 — Транзисторы П702 кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения. 22 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 40Вт 20шт. 60В 2А 4МГц 25
Транзистор П308
Транзистор П308
#11954
 24243 СНГ —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
 — Транзисторы П308 кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP NPN — — 250мВт 100шт. 120В 30мА 20МГц 90
Транзистор 2Т602Б (=КТ602Б)
Транзистор 2Т602Б (=КТ602Б)
#11955
 24244 СНГ —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
 — КТ602Б Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n. Предназначены для генерирования и усиления сигналов. 3.2 КТЮ-3-9 Биполярный DIP NPN — — 2.8Вт 100шт. 100В 75мА 150МГц 220
Транзистор КТ608Б
Транзистор КТ608Б
#11956
 24245 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
 — Транзисторы КТ608Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP NPN — — 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 160
Транзистор КТ604АМ
Транзистор КТ604АМ
#11957
 24246 СНГ —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
 — КТ604АМ Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. 1 TO126 Биполярный DIP NPN — — 3Вт 200шт. 250В 200мА 40МГц 40
Транзистор КТ639Д
Транзистор КТ639Д
#11958
 24247 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях, автомобильных электронных устройствах, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ. 1 TO126 Биполярный DIP PNP — — 1Вт 100шт. 60В 1.5А 80МГц 160
Транзистор КТ611АМ
Транзистор КТ611АМ
#11959
 24248 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — КТ611АМ Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах. 1 TO126 Биполярный DIP NPN — — 3Вт 100шт. 180В 100мА 60МГц 40
Транзистор 2Т607А-4
Транзистор 2Т607А-4
#11960
 24249 СНГ —
160 грн.
10+152 грн.
50+144 грн.
100+128 грн.
 — Транзисторы 2Т607А-4 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в генераторах и усилителях в герметизированной аппаратуре. 0.4 — Биполярный SMD NPN — — 1.5Вт 8шт. 35В 150мА 0,7МГц —
Транзистор 2П903В (=КП903В)
Транзистор 2П903В (=КП903В)
#11966
 24255 СНГ —
35 грн.
10+33,25 грн.
50+31,50 грн.
100+28 грн.
 — Транзисторы 2П903В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. 4.5 КТ-4-2 Полевой Винт МОП n-канальный 20В 700мА 6Вт 20шт. — — — —
Транзистор КП327А (=BF961)
Транзистор КП327А (=BF961)
#12172
 24464 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзистор КП327А кремниевые планарный с двумя изолированными затворами, защищенными диодами, и каналом n-типа 0.3 КТ-29 Полевой SMD МОП n-канальный 14В 30мА 200мВт 100шт. — — — —
Транзистор 2Т809А (=КТ809А)
Транзистор 2Т809А (=КТ809А)
#12230
 24609 СНГ —
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора 2Т809А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5,1 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 5 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400 В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 270 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом. 22 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 40Вт 20шт. 400В 5А — 100
Транзистор П210А
Транзистор П210А
#12231
 24610 СНГ —
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора П210А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкэо проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 65 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 15. 34 — Биполярный DIP PNP — — 60Вт 10шт. 65В 12А — 15
Транзистор КТ816В
Транзистор КТ816В
#12237
 24616 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзистор КТ816В кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP PNP — — 25Вт 200шт. 60В 3А 3МГц 25
Транзистор КТ812В
Транзистор КТ812В
#12261
 24643 СНГ —
50 грн.
10+47,50 грн.
50+45 грн.
100+40 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора КТ812В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 200 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 16 kt-9 Биполярный DIP NPN — — 50Вт 20шт. 200В 8А 3МГц 10
Транзистор КТ940Б
Транзистор КТ940Б
#12264
 24646 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный структуры n-p-n усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN — — 10Вт 200шт. 250В 100мА 90МГц 25
Транзистор КТ817А
Транзистор КТ817А
#12265
 24647 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Транзистор КТ817А кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN — — 25Вт 200шт. 40В 3А 3МГц 40
Транзистор КТ817В
Транзистор КТ817В
#12266
 24648 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзистор КТ817В кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN — — 25Вт 200шт. 60В 3А 3МГц 40