Транзистор 2Т809А (=КТ809А)

  • Транзистор 2Т809А (=КТ809А)
Артикул: 24609
нет на складе
60 грн.
Сообщить о поступлении
Доступные скидки
Название Скидка Скидка, % Цена
10+ 3 грн. 5 57 грн.
50+ 6 грн. 10 54 грн.
100+ 12 грн. 20 48 грн.

Основные технические характеристики транзистора 2Т809А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5,1 мГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400 В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 270 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом.

БрендСНГ
СтруктураNPN
Тип транзистора Биполярный
Мощность40Вт
Тип корпуса транзистораКТЮ-3-3
Тип монтажаDIP
Вес г.22
Заводская упаковка20шт.
Напряжение коллектор-эмиттер 400В
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току100

Оставьте отзыв об этом товаре первым!


Скидка− 0 грн.
Партнерская скидка− 0 грн.
Итого0 грн.

Ваша корзина пуста.