Транзистор КТ812В

  • Транзистор КТ812В
Артикул: 24643
на складе (3 шт.)
50 грн.
Доступные скидки
Название Скидка Скидка, % Цена
10+ 2,50 грн. 5 47,50 грн.
50+ 5 грн. 10 45 грн.
100+ 10 грн. 20 40 грн.

Основные технические характеристики транзистора КТ812В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 200 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом.

БрендСНГ
СтруктураNPN
Тип транзистора Биполярный
Мощность50Вт
Тип корпуса транзистораkt-9
Тип монтажаDIP
Вес16 g
Заводская упаковка20шт.
Напряжение коллектор-эмиттер 200В
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току10
Частота3МГц

Оставьте отзыв об этом товаре первым!


Скидка− 0 грн.
Партнерская скидка− 0 грн.
Итого0 грн.

Ваша корзина пуста.