Транзистор КТ812В

Manufacturer СНГ
Артикули 24643
Категорії Транзистори вітчизняні
Характеристики
Тип Опис
Бренд СНГ
Структура NPN
Тип транзистора Біполярний
Потужність 50Вт
Тип корпусу транзистора kt-9
Тип монтажу DIP
Вага г. 16
Заводська упаковка 20шт.
Напруга колектор-емітер 200В
Струм колектора
Коефіцієнт посилення струму 10
Частота 3МГц
Опис

Основні технічні характеристики транзистора КТ812В:
• Структура транзистора: npn;
• Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50 Вт;
• fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц;
• Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 200 В (0,1кОм);
• Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 7 В;
• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 8 А;
• Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 12 А;
• Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 5 мА (700В);
• h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 10;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом.