Транзисторы отечественные

Результатов: 425

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
Транзистор КП303Е Au
Транзистор КП303Е Au
#12267
 24649 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
 — Транзисторы КП303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 0.4 КТ-1 Полевой DIP МОП n-канальный 25В 20мА 200мВт 100шт. — — — —
Транзистор КТ3102А
Транзистор КТ3102А
#12269
 24651 СНГ —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора КТ3102А: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА (50В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 100...250; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс. 0.34 КТ-1 — DIP NPN — — 250мВт 100шт. 50В 200мА 300МГц 250
Транзистор П27
Транзистор П27
#12270
 24652 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Транзисторы П27 германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 30мВт 100шт. 5В 6mA 1МГц 100
Транзистор П28
Транзистор П28
#12271
 24653 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Транзисторы П28 - германиевые, усилительные, малой мощности низкочастотные, с нормированным коэффициентом шума на частоте 1КГц, структуры - p-n-p. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 30мВт 100шт. 5В 6mA 5МГц 200
Транзистор МП37
Транзистор МП37
#12272
 24654 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Транзисторы МП37 германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 1МГц 30
Транзистор КТ601А Au
Транзистор КТ601А Au
#12273
 24655 СНГ —
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора КТ601А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,25 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 40 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 16; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 600 пс. 2 КТЮ-3-6 Биполярный DIP NPN — — 500мВт 100шт. 100В 30мА 40МГц 25
Транзистор КТ603Б Au
Транзистор КТ603Б Au
#12274
 24656 СНГ —
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP NPN — — 500мВт 100шт. 30В 300мА 200МГц 60
Транзистор КТ808А с крепежом
Транзистор КТ808А с крепежом
#12276
 24658 СНГ —
80 грн.
10+76 грн.
50+72 грн.
100+64 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора КТ808А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7,2 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 120 (250 имп.) В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (120В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 50; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 500 пФ. 30 КТЮ-3-20 Биполярный DIP NPN — — 50Вт 10шт. 120В 10А — 50
Транзистор П422
Транзистор П422
#12280
 24662 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — Германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные, маломощные с нормированным коэффицентом шума на частоте 1,6 МГц. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах каскадах ВЧ. 1.5 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 100мВт 100шт. 10В 20мА 50МГц 100
Транзистор КТ837Ф
Транзистор КТ837Ф
#12332
 24682 INTEGRAL —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 30Вт 100шт. 40В 7,5A 1МГц 150
Транзистор ГТ328В Au
Транзистор ГТ328В Au
#12334
 24684 СНГ —
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора ГТ328В: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт; • Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 300 МГц; • Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В при 5кОм; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,25 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА при 15 В; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 10...50 при 5В, 3мА; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ при 5В; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 7 дБ на частоте 180 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс. 0.5 КТ-1 Биполярный DIP PNP — — 50мВт 100шт. 15В 10мА 300МГц 50
Транзистор КТ603Д Au
Транзистор КТ603Д Au
#12336
 24686 СНГ —
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
 — Транзисторы КТ603Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP NPN — — 500мВт 100шт. 10В 300мА 200МГц 80
Транзистор КТ3102ВМ
Транзистор КТ3102ВМ
#12368
 24703 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 250мВт 1000шт. 30В 200мА — 500
Транзистор КТ3102БМ
Транзистор КТ3102БМ
#12369
 24704 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 250мВт 1000шт. 50В 200мА — 500
Транзистор КТ209Л
Транзистор КТ209Л
#12370
 24706 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 60В 350мА — 60
Транзистор 2Т312В (=КТ312В)
Транзистор 2Т312В (=КТ312В)
#12642
 24998 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
 — Транзисторы 2Т312В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Биполярный DIP NPN — — 225мВт 200шт. 30В 30мА 120МГц 250
Транзистор 2Т312А (=КТ312А)
Транзистор 2Т312А (=КТ312А)
#12643
 24999 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзисторы 2Т312А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Биполярный DIP NPN — — 225мВт 200шт. 30В 30мА 80МГц 100
Транзистор 2Т312Б (=КТ312Б)
Транзистор 2Т312Б (=КТ312Б)
#12644
 25000 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
 — Транзисторы 2Т312Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Биполярный DIP NPN — — 225мВт 200шт. 30В 30мА 120МГц 100
Транзистор 2Т608А (=КТ608А) Au
Транзистор 2Т608А (=КТ608А) Au
#12645
 25001 СНГ —
52 грн.
10+49,40 грн.
50+46,80 грн.
100+41,60 грн.
 — Транзисторы 2Т608А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP NPN — — 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 80
Транзистор 2Т313А (=КТ313А)
Транзистор 2Т313А (=КТ313А)
#12646
 25002 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзисторы 2Т313А кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. 0.4 КТ-1-7 Биполярный DIP PNP — — 300мВт 100шт. 50В 350мА 200МГц 120
Транзистор 1Т311Б (=ГТ311Б)
Транзистор 1Т311Б (=ГТ311Б)
#12648
 25003 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
 — Биполярный германиевый транзистор ГТ311Б, n-p-n, малой мощности, сверхвысокой частоты. 1.2 — Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 12В 50мА 300МГц 30
Фототранзистор ФТ-1К гр.1
Фототранзистор ФТ-1К гр.1
#12650
 25005 СНГ —
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
 — Основные технические параметры фототранзистора ФТ-1К гр.1: • Размер фоточувствительного элемента: диаметр 1,8 мм; • Область спектральной фоточувствительности: 0,5...1,12 мкм; • Длина волны максимума спектрального распределения фоточувствительности: 0,8...0,9 мкм; • Номинальное рабочее напряжение: 5 В; • Темновой ток: не более 3 мкА; • Токовая фоточувствительность: не менее 0,4 мкА/лк. 0.3 — Фото DIP — — — — 100шт. — — — —
Транзистор П605А с гибкими выводами
Транзистор П605А с гибкими выводами
#12773
 25130 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
 — Транзистор германиевый структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц. 10 — Биполярный DIP PNP — — 3Вт 40шт. 40В 1.5А 30МГц 120
Транзистор ГТ701А
Транзистор ГТ701А
#12774
 25131 СНГ —
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
 — Транзистор ГТ701А германиевый сплавной структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в системах зажигания двигателей внутреннего сгорания, а также в преобразователях напряжения. 22 — Биполярный DIP PNP — — 50Вт 20шт. 100В 12А — 75
Транзистор 2Т908А (=КТ908А)
Транзистор 2Т908А (=КТ908А)
#12953
 25224 СНГ —
120 грн.
10+114 грн.
50+108 грн.
100+96 грн.
 — Транзисторы 2Т908А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах. Корпус металлический с стеклянными изоляторами и жесткими выводами. 22 КТЮ-3-20 Биполярный DIP NPN — — 50Вт 10шт. 100В 10А 50МГц 60
Транзистор 1Т305Б (=ГТ305Б)
Транзистор 1Т305Б (=ГТ305Б)
#12954
 25225 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — Транзисторы 1Т305Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. 0.4 — Биполярный DIP PNP — — 75мВт 100шт. 15В 6mA 20МГц 180
Транзистор 2Т306А (=КТ306А)
Транзистор 2Т306А (=КТ306А)
#12958
 25229 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Транзисторы 2Т306А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. 0.6 КТЮ-3-1 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 30мА 300МГц 60
Транзистор 2Т306Б (=КТ306Б)
Транзистор 2Т306Б (=КТ306Б)
#12959
 25230 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзисторы 2Т306Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. 0.6 КТЮ-3-1 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 30мА 500МГц 120
Транзистор 2Т306В (=КТ306В)
Транзистор 2Т306В (=КТ306В)
#12960
 25231 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзисторы 2Т306В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. 0.6 КТЮ-3-1 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 30мА 300МГц 100
Транзистор 2Т306Г (=КТ306Г)
Транзистор 2Т306Г (=КТ306Г)
#12961
 25232 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
 — Транзисторы 2Т306Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. 0.6 КТЮ-3-1 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 30мА 500МГц 200