Транзисторы отечественные

Результатов: 425

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
Транзистор КТ859А
Транзистор КТ859А
#14420
 26629 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзистор КТ859А кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 40Вт 100шт. 800В 3А 10МГц 10
Транзистор КТ326БМ
Транзистор КТ326БМ
#14421
 26630 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — Транзисторы КТ326БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 200мВт 1000шт. 15В 50мА 250МГц 160
Транзистор ГТ320Б
Транзистор ГТ320Б
#14474
 26685 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзисторы ГТ320Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. 1.8 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP — — 200мВт 100шт. 11В 150мА 80МГц 120
Транзистор ГТ308А
Транзистор ГТ308А
#14475
 26686 СНГ —
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
 — Транзисторы ГТ308А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 50мА 100МГц 75
Транзистор П401
Транзистор П401
#14476
 26687 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — Транзисторы П401 - германиевые, усилительные маломощные, высокочастотные, структуры - p-n-p. Предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах коротковолновых и ультрокоротковолновых радиопередающих устройств. 1.8 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP — — 100мВт 100шт. 10В 20мА 30МГц 300
Транзистор П403ВП
Транзистор П403ВП
#14477
 26688 СНГ —
9 грн.
10+8,55 грн.
50+8,10 грн.
100+7,20 грн.
 — Транзистор П403ВП - германиевый, усилительный маломощный, высокочастотный, структуры - p-n-p. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 100мВт 100шт. 10В 20мА 120МГц 100
Транзистор П403А
Транзистор П403А
#14478
 26689 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Транзистор П403А - германиевый, усилительный маломощный, высокочастотный, структуры - p-n-p. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 100мВт 100шт. 10В 20мА 120МГц 200
Транзистор П423
Транзистор П423
#14479
 26690 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные, маломощные с нормированным коэффицентом шума на частоте 1,6 МГц. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах каскадах ВЧ. 1.5 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 100мВт 100шт. 10В 20мА 120МГц 100
Транзистор КТ3120АМ
Транзистор КТ3120АМ
#14484
 26696 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
 — Транзисторы КТ3120АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот. Основные технические характеристики транзистора КТ3120АМ: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1800 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 40; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 8 пс. 0.2 КТ-14 Биполярный SMD NPN — — 100мВт 20шт. 15В 20мА — 40
Транзистор 1Т906А (=ГТ906А)
Транзистор 1Т906А (=ГТ906А)
#14615
 26831 СНГ —
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
 — Транзисторы 1Т906А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в преобразователях напряжения, переключающих и импульсных усилительных каскадах радиоэлектронных устройств. Основные технические характеристики транзистора 1Т906А: • Структура: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт; • fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...150; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс. 3.5 — Биполярный DIP PNP — — 15Вт 100шт. 75В 10А 30МГц 150
Транзистор ГТ115Д
Транзистор ГТ115Д
#14617
 26833 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Транзисторы ГТ115Д германиевые сплавные p-n-p маломощные. 0.4 — Биполярный DIP PNP — — 50мВт 100шт. 20В 30мА 1МГц 250
Транзистор КТ961А
Транзистор КТ961А
#14620
 26836 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора КТ961А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 12,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40...100; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом. 1 TO126 Биполярный DIP NPN — — 12.5Вт 100шт. 100В 2А 50МГц 100
Транзистор КТ501Г Au
Транзистор КТ501Г Au
#14627
 26844 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора КТ501Г : • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 350 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (10кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом. 0.6 КТ-1-7 Биполярный DIP PNP — — 350мВт 100шт. 30В 300мА 5МГц 60
Транзистор ГТ403Г
Транзистор ГТ403Г
#15473
 27712 СНГ —
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
 — Транзистор ГТ403Г германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. 3 — Биполярный DIP PNP — — 4Вт 100шт. 45В 1,25А — 150
Транзистор П29
Транзистор П29
#15474
 27713 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Транзисторы П29 германиевые сплавные транзисторы малой мощности, среднечастотные, проводимость p-n-p. Предназначены для работы в радиотехнической аппаратуре в переключающих и импульсных режимах. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 30мВт 100шт. 12В 6mA 5МГц 50
Транзистор МП11А
Транзистор МП11А
#16002
 28237 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора МП11А: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 2 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 45...100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 50шт. 15В 150мА 2МГц 100
Транзистор П203Э
Транзистор П203Э
#16184
 28428 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
 — Характеристики транзистора П203Э: Структура P-N-P Uк-э.макс. 55В Uк-б.макс. 70В Iк.макс. (постоянный) 2А Iб.макс. (постоянный) 0,75А Pк.макс. (без теплоотвода) 1,0Вт Pк.макс. (с теплоотводом) 10Вт Переключаемая мощность,макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC не более 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC не более 0,2-3,5мА h21э 40..100 fгр. 200КГц Uб-э.нас 0,5-2,0В Uк-э.нас 0,5-2,5В Температурный диапазон -55..+70°C. 10 — Биполярный DIP PNP — — 10Вт 50шт. 55В 2А 0,2МГц 100
Транзистор КП934Б
Транзистор КП934Б
#16244
 28490 СНГ —
36 грн.
10+34,20 грн.
50+32,40 грн.
100+28,80 грн.
 — Транзистор КП934Б кремниевый планарный полевой со статической индукцией и каналом n-типа. 17 TO3 Полевой DIP МОП n-канальный 300В 10А 40Вт 10шт. — — — —
Транзистор ГТ906А
Транзистор ГТ906А
#16252
 28499 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
 — Транзисторы ГТ906А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в преобразователях напряжения, переключающих и импульсных усилительных каскадах радиоэлектронных устройств. Основные технические характеристики транзистора ГТ906А: • Структура: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт; • fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...150; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс. 3.5 — Биполярный DIP PNP — — 15Вт 100шт. 75В 10А 30МГц 150
Транзистор КТ827Б
Транзистор КТ827Б
#16253
 28500 СНГ —
100 грн.
10+95 грн.
50+90 грн.
100+80 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора КТ827Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (100В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750... 18000; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом. 15 TO3 Биполярный DIP NPN — — — 40шт. 80В 20А 4МГц 750
Транзистор КТ817Г
Транзистор КТ817Г
#16465
 28712 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
 — Транзистор КТ817Г кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN — — 25Вт 200шт. 100В 3А 3МГц 40
Транзистор ГТ321Д
Транзистор ГТ321Д
#16470
 28720 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Транзисторы ГТ321Д германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 45В 200мА 60МГц 120
Транзистор ГТ321Е
Транзистор ГТ321Е
#16471
 28721 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Транзисторы ГТ321Е германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 45В 200мА 60МГц 200
Транзистор ГТ321Г
Транзистор ГТ321Г
#16472
 28722 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Транзисторы ГТ321Г германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 45В 200мА 60МГц 60
Транзистор КТ321В
Транзистор КТ321В
#16476
 28725 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Транзисторы КТ321В кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP — — 210мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 200
Транзистор КТ834Б
Транзистор КТ834Б
#16517
 28765 СНГ —
200 грн.
10+190 грн.
50+180 грн.
100+160 грн.
 — Транзисторы КТ834А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в регуляторах тока и напряжения, в переключающих устройствах. 15 TO3 Биполярный DIP NPN — — 100Вт 20шт. 450В 20А 4МГц 3000
Транзистор 2Т812Б (=КТ812Б)
Транзистор 2Т812Б (=КТ812Б)
#16518
 28766 СНГ —
70 грн.
10+66,50 грн.
50+63 грн.
100+56 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора 2Т812Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 300 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 4; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 15 TO3 Биполярный DIP NPN — — 50Вт 40шт. 300В 10А 3МГц —
Транзистор КТ602А
Транзистор КТ602А
#16535
 28784 СНГ —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора КТ602А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,85 Вт; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2,8 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 75 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 70 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 80; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс. 3 КТЮ-3-9 Биполярный DIP NPN — — 2.8Вт 100шт. 100В 500мА 150МГц 80
Транзистор КТ816Г
Транзистор КТ816Г
#16628
 28866 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
 — Транзистор КТ816Г кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP PNP — — 25Вт 200шт. 100В 3А 3МГц 25
Транзистор 1Т311Д (=ГТ311Д)
Транзистор 1Т311Д (=ГТ311Д)
#16887
 29134 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
 — Биполярный германиевый транзистор 1Т311Д, n-p-n, малой мощности, сверхвысокой частоты. 1.2 — Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 12В 50мА 300МГц 180