Транзистор КТ501Г Au

  • Транзистор КТ501Г Au
Артикул: 26844
на складе (1 шт.)
20 грн.
Доступные скидки
Название Скидка Скидка, % Цена
10+ 1 грн. 5 19 грн.
50+ 2 грн. 10 18 грн.
100+ 4 грн. 20 16 грн.

Основные технические характеристики транзистора КТ501Г :
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 350 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (10кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 60;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом.

БрендСНГ
СтруктураPNP
Тип транзистора Биполярный
Мощность350мВт
Тип корпуса транзистораКТ-1-7
Тип монтажаDIP
Вес г.0.6
Заводская упаковка100шт.
Напряжение коллектор-эмиттер 30В
Ток коллектора300мА
Коэффициент усиления по току60
Частота5МГц

Оставьте отзыв об этом товаре первым!


Скидка− 0 грн.
Партнерская скидка− 0 грн.
Итого0 грн.

Ваша корзина пуста.