Транзистор КТ501Г Au

Manufacturer СНГ
Артикули 26844
Категорії Транзистори вітчизняні
Характеристики
Тип Опис
Бренд СНГ
Структура PNP
Тип транзистора Біполярний
Потужність 350мВт
Тип корпусу транзистора КТ-1-7
Тип монтажу DIP
Вага г. 0.6
Заводська упаковка 100шт.
Напруга колектор-емітер 30В
Струм колектора 300мА
Коефіцієнт посилення струму 60
Частота 5МГц
Опис

Основні технічні характеристики транзистора КТ501Г:
• Структура транзистора: pnp;
• Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 350 мВт;
• fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 5 МГц;
• Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 30 В (10кОм);
• Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В;
• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА;
• Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 500 мА;
• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мкА;
• h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 20...60;
• Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 50 пФ;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1,3 Ом.