Транзисторы отечественные

Результатов: 425

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
Транзистор КТ603Б
Транзистор КТ603Б
#13540
 25671 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом. 1.5 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 500мВт 100шт. 30В 300мА 200МГц 60
Транзистор ГТ321А
Транзистор ГТ321А
#13541
 25672 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — Транзисторы ГТ321А германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 60
Транзистор ГТ322Б
Транзистор ГТ322Б
#13544
 25675 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — Транзисторы ГТ322Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях промежуточной и высокой частот. 0.5 КТ-1-7 Биполярный DIP PNP — — 50мВт 100шт. 6В 10мА 80МГц 120
Транзистор ГТ322В
Транзистор ГТ322В
#13545
 25676 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — Транзисторы ГТ322В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях промежуточной и высокой частот. 0.5 КТ-1-7 Биполярный DIP PNP — — 50мВт 100шт. 10В 10мА 50МГц 200
Транзистор 2Т316Г (=КТ316Г) ник.
Транзистор 2Т316Г (=КТ316Г) ник.
#13546
 25677 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. 0.5 КТ-1-7 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 50мА 600МГц 100
Транзистор МП36А
Транзистор МП36А
#13547
 25679 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Транзистор германиевый сплавной n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным и нормированным на частоте 1 кГц коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 1МГц 45
Транзистор МП20
Транзистор МП20
#13549
 25682 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Транзистор МП20 германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 30В 50мА 2МГц 150
Транзистор ГТ402Д
Транзистор ГТ402Д
#13679
 25838 СНГ —
42 грн.
10+39,90 грн.
50+37,80 грн.
100+33,60 грн.
 — Транзистор ГТ402Д германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты. 3.5 — Биполярный DIP PNP — — 600мВт 50шт. 25В 500мА 1МГц 80
Транзистор ГТ402И
Транзистор ГТ402И
#13680
 25839 СНГ —
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
 — Транзистор ГТ402И германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты. 3.5 — Биполярный DIP PNP — — 600мВт 50шт. 40В 500мА 1МГц 150
Транзистор МП10Б
Транзистор МП10Б
#13699
 25859 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — Транзистор МП10 германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. Основные технические характеристики транзистора МП10Б: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 25...50; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 50
Транзистор МП42
Транзистор МП42
#13701
 25862 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Структура PNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 15 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20…35 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 1 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 0.2 1.6 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP — — 200мВт 100шт. 15В 200мА 1МГц 35
Транзистор КТ848А
Транзистор КТ848А
#13752
 25920 СНГ —
90 грн.
10+85,50 грн.
50+81 грн.
100+72 грн.
 — Транзисторы КТ848А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в электронных схемах зажигания автомобильной радиоэлектронной аппаратуры. Основные технические характеристики транзистора КТ848А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 35 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом. 15 TO3 Биполярный DIP NPN — — 35Вт 40шт. 400В 15А 3МГц 20
Транзистор 2Т803А (=КТ803А)
Транзистор 2Т803А (=КТ803А)
#13841
 26847 СНГ —
200 грн.
10+190 грн.
50+180 грн.
100+160 грн.
 — Транзисторы 2Т803А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, источниках вторичного электропитания. 19 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 60Вт 20шт. 60В 10А 20МГц 50
Транзистор 1Т806А (=ГТ806А)
Транзистор 1Т806А (=ГТ806А)
#13842
 26019 СНГ —
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
 — 1Т806А Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Транзисторы 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения. Основные технические характеристики транзистора 1Т806А: • Структура: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10 МГц; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04 Ом. 22 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 30Вт 20шт. 40В 20А 10МГц 100
Транзистор 2Т808А (=КТ808А)
Транзистор 2Т808А (=КТ808А)
#13843
 26020 СНГ —
150 грн.
10+142,50 грн.
50+135 грн.
100+120 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора 2Т808А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7,2 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 120 (250 имп.) В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (120В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 50; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 500 пФ. 30 КТЮ-3-20 Биполярный DIP NPN — — 50Вт 10шт. 120В 10А — 50
Транзистор КТ805БМ
Транзистор КТ805БМ
#13925
 26104 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 30Вт 100шт. 60В 5А 20МГц 15
Транзистор КП302БМ Au
Транзистор КП302БМ Au
#13932
 26111 СНГ —
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
 — Транзистор КП302БМ кремниевый планарный полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначен для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах. 0.4 КТ-1 Полевой DIP МОП р-канальный 20В 40мА 300мВт 100шт. — — 150МГц —
Транзистор КТ837К
Транзистор КТ837К
#13948
 26127 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзисторы КТ837К кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Основные технические характеристики транзистора КТ837К: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50... 150; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. 2 TO220 Биполярный DIP PNP — — — 200шт. 40В 7,5A 1МГц 150
Транзистор П27А
Транзистор П27А
#14256
 26455 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Транзисторы П27 германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 30мВт 100шт. 5В 6mA 1МГц 60
Транзистор КТ349Б
Транзистор КТ349Б
#14260
 26459 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора КТ349Б: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (10кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40... 160; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом. 0.5 КТ-1-7 Биполярный DIP PNP — — 200мВт 100шт. 15В 40мА 300МГц 160
Транзистор КТ603Г
Транзистор КТ603Г
#14261
 26460 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора КТ603Г: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом. 1.5 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 500мВт 100шт. 15В 300мА 200МГц 60
Транзистор П215
Транзистор П215
#14266
 26465 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
 — Транзисторы П215 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Основные технические характеристики транзистора П215: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,3 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20... 150; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 9.2 — Биполярный DIP PNP — — 10Вт 40шт. 70В 5А 0,15МГц 150
Транзистор КТ819Б
Транзистор КТ819Б
#14409
 26617 СНГ —
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
 — Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 60Вт 100шт. 50В 10А 3МГц 20
Транзистор КТ605АМ
Транзистор КТ605АМ
#14412
 26620 СНГ —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
 — Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n. Предназначен для применения в усилителях, импульсных и переключающих высокочастотных устройствах. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN — — 400мВт 200шт. 250В 100мА 40МГц 40
Транзистор КТ855А
Транзистор КТ855А
#14413
 26621 СНГ —
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
 — Транзисторы КТ855А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP — — 40Вт 100шт. 200В 5А 5МГц 20
Транзистор КТ829А
Транзистор КТ829А
#14414
 26622 СНГ —
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
 — Транзисторы КТ829А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 60Вт 200шт. 100В 8А 4МГц 750
Транзистор КТ865А
Транзистор КТ865А
#14416
 26625 СНГ —
80 грн.
10+76 грн.
50+72 грн.
100+64 грн.
 — Транзистор КТ865А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p импульсный. Предназначен для применения в источниках вторичного электропитания, преобразователях, оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения. 16 TO3 Биполярный DIP PNP — — 100Вт 20шт. 200В 10А 15МГц 200
Транзистор КТ854А
Транзистор КТ854А
#14417
 26626 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
 — Транзисторы КТ854А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 60Вт 100шт. 500В 10А — 20
Транзистор КТ850А
Транзистор КТ850А
#14418
 26627 СНГ —
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
 — Транзисторы КТ850А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях мощности, переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 25Вт 100шт. 200В 2А 20МГц 200
Транзистор 1Т901А
Транзистор 1Т901А
#14419
 26628 СНГ —
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
 — Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p переключательные высокочастотные мощные. 25 — Биполярный DIP PNP — — 15Вт 20шт. 50В 10А 30МГц 60