Транзистор КТ349Б

  • Транзистор КТ349Б
Артикул: 26459
на складе (2 шт.)
6 грн.
Доступные скидки
Название Скидка Скидка, % Цена
10+ 0,30 грн. 5 5,70 грн.
50+ 0,60 грн. 10 5,40 грн.
100+ 1,20 грн. 20 4,80 грн.

Основные технические характеристики транзистора КТ349Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (10кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40... 160;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом.

БрендСНГ
СтруктураPNP
Тип транзистора Биполярный
Мощность200мВт
Тип корпуса транзистораКТ-1-7
Тип монтажаDIP
Вес г.0.5
Заводская упаковка100шт.
Напряжение коллектор-эмиттер 15В
Ток коллектора40мА
Коэффициент усиления по току160
Частота300МГц

Оставьте отзыв об этом товаре первым!


Скидка− 0 грн.
Партнерская скидка− 0 грн.
Итого0 грн.

Ваша корзина пуста.