Транзистор 1Т806А (=ГТ806А)

  • Транзистор 1Т806А (=ГТ806А)
Артикул: 26019
нет на складе
40 грн.
Сообщить о поступлении
Доступные скидки
Название Скидка Скидка, % Цена
10+ 2 грн. 5 38 грн.
50+ 4 грн. 10 36 грн.
100+ 8 грн. 20 32 грн.

1Т806А
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.
Основные технические характеристики транзистора 1Т806А:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10 МГц;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04 Ом.

БрендСНГ
СтруктураPNP
Тип транзистора Биполярный
Мощность30Вт
Тип корпуса транзистораКТЮ-3-3
Тип монтажаDIP
Вес г.22
Заводская упаковка20шт.
Напряжение коллектор-эмиттер 40В
Ток коллектора20А
Коэффициент усиления по току100
Частота10МГц

Оставьте отзыв об этом товаре первым!


Скидка− 0 грн.
Партнерская скидка− 0 грн.
Итого0 грн.

Ваша корзина пуста.