Транзистор МП10Б

  • Транзистор МП10Б
Артикул: 25859
нет на складе
6 грн.
Предзаказ
Доступные скидки
Название Скидка Скидка, % Цена
10+ 0,30 грн. 5 5,70 грн.
50+ 0,60 грн. 10 5,40 грн.
100+ 1,20 грн. 20 4,80 грн.

Транзистор МП10 германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума.

Предназначен для усиления сигналов низкой частоты.

Основные технические характеристики транзистора МП10Б:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 25...50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц.

БрендСНГ
СтруктураNPN
Тип транзистора Биполярный
Мощность150мВт
Тип корпуса транзистораКТЮ-3-3
Тип монтажаDIP
Вес г.1.8
Заводская упаковка100шт.
Напряжение коллектор-эмиттер 30В
Ток коллектора20мА
Коэффициент усиления по току50
Частота1МГц

Оставьте отзыв об этом товаре первым!


Скидка− 0 грн.
Партнерская скидка− 0 грн.
Итого0 грн.

Ваша корзина пуста.