Бренд «СНГ»

Результатов: 4144

	MPN	Артикул	Бренд	На складе	Цена	Скидки	Количество	Описание	Вес г.	Тип выводов	Тип корпуса	Номинальная емкость,мкФ	Рабочее напряжение,В	Допуск номинальной емкости,%	Рабочая температура,С	Диаметр корпуса D,мм	Длина корпуса L,мм	Тип корпуса транзистора	Тип транзистора	Тип монтажа	Тип корпуса	Uобр. max, В	Iпр. max.	Iпр. имп. max.	Назначение	Тип диода	Структура	Мощность	Заводская упаковка	Напряжение коллектор-эмиттер	Ток коллектора	Частота	Коэффициент усиления по току	Сопротивление	Мощность резистора	Точность	Тип корпуса резистора	Рабочий ток,А	Количество обмоток	Поляризация	Сопротивление обмотки,Ом	Максимальное коммутируемое напряжение	Ток питания обмотки	Контактный набор	Конструкция диода

Микросхема К148УН1

#17242

29495

СНГ

5 шт

120 грн.

10+	114 грн.
50+	108 грн.
100+	96 грн.

Микросхема К148УН1 представляет собой усилитель мощности низкой частоты с выходной мощностью 1 Вт при сопротивлении нагрузки 30 Ом.

—

311.8-2

—

DIP

—

Усилители

—

6шт.

—

Микросхема 148УН1

#17241

29494

СНГ

1 шт

150 грн.

10+	142,50 грн.
50+	135 грн.
100+	120 грн.

Микросхема 148УН1 представляет собой усилитель мощности низкой частоты с выходной мощностью 1 Вт при сопротивлении нагрузки 30 Ом.

—

311.8-2

—

DIP

—

Усилители

—

6шт.

—

Диод КД2998Г

#17236

29489

СНГ

19 шт

120 грн.

50+	108 грн.
200+	96 грн.
500+	84 грн.

Основные технические характеристики диода КД2998Г: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 35 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 30 А; • fд - Рабочая частота диода: 10... 200 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,7 В при Inp 30 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 20 мА при Uoбp 35 В.

—

Винт

КД-11

35V

30A

—

Шотки

—

100шт.

—

одиночный

Диод КД204В

#17235

29488

СНГ

4 шт

10 грн.

50+	9 грн.
200+	8 грн.
500+	7 грн.

Основные технические характеристики диода КД204В: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 50 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 1000 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,4 В при Inp 600 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 1,5 мкс.

—

Винт

КД-11

50V

—

Выпрямительный

—

50шт.

—

одиночный

Диод КД203Б

#17113

29362

СНГ

24 шт

35 грн.

50+	31,50 грн.
200+	28 грн.
500+	24,50 грн.

Основные технические характеристики диода КД203Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 560 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1500 мкА при Uoбp 800 В.

—

Винт

—

560V

10A

15A

—

Выпрямительный

—

25шт.

—

одиночный

Диод КД206Б

#17112

29361

СНГ

20 шт

28 грн.

50+	25,20 грн.
200+	22,40 грн.
500+	19,60 грн.

Диод КД206Б кремниевый, меза-диффузионный, лавинный, выпрямительный. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 20 кГц. Основные технические характеристики диода КД206Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 500 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 700 мкА при Uoбp 500 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 10 мкс.

5.7

—

Винт

КД-11

500V

10A

—

Выпрямительный

—

100шт.

—

одиночный

Симистор ТС132-50-6

#17111

29360

СНГ

25 шт

300 грн.

10+	270 грн.
50+	240 грн.

—

Охладитель

—

600V

50A

—

Транзистор КТ825Г

#17110

29359

СНГ

2 шт

240 грн.

10+	228 грн.
50+	216 грн.
100+	192 грн.

Основные технические характеристики транзистора КТ825Г: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750...18000; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом.

—

TO3

Биполярный

DIP

—

PNP

125Вт

10шт.

90В

40А

—

18000

—

Резистор МЛТ-1 1,2 кОм (+/-5%)

#17109

29358

СНГ

75 шт

1,50 грн.

100+	1,35 грн.
200+	1,20 грн.
500+	1,05 грн.

Резистор МЛТ-1 1,2 кОм (+/-5%) 1Вт.

1.2

Гибкие выводы

—

DIP

—

120шт.

—

1,2 кОм

1 Вт

5 %

металлопленочный

—

Диод КД202Б

#17108

29357

СНГ

1 шт

7 грн.

50+	6,30 грн.
200+	5,60 грн.
500+	4,90 грн.

Диоды КД202Б кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Основные технические характеристики диода КД202Б: • uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 50 В; • inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,2 кГц; • unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при inp 5 А; • ioбp - Постоянный обратный ток: не более 800 мкА при uoбp 100 В

5.2

—

Винт

КД-11

50V

—

Выпрямительный

—

100шт.

—

одиночный

Тиристор силовой Т142-80-10

#17092

29342

СНГ

10 шт

350 грн.

Т142-80-10 Тиристор низкочастотный штыревого исполнения. Предназначен для работы в преобразовательных устройствах, в цепях постоянного и переменного тока различных силовых установок. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жестким выводом. Максимально допустимый средний прямой ток в открытом состоянии - 80 А Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение - 1000 В Охлаждение воздушное естественное или принудительное. Обозначение типономинала и полярность выводов приводятся на корпусе. Габаритные размеры: - общая длина - 56 мм - длина шпильки - 16 мм - резьба - М10

—

Винт

—

1000V

80A

—

20шт.

—

Диод Д215А

#17038

29288

СНГ

14 шт

35 грн.

50+	31,50 грн.
200+	28 грн.
500+	24,50 грн.

Основные технические характеристики диода Д215А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,0 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 200 В.

—

Винт

КДЮ-11

200V

10A

—

Выпрямительный

—

50шт.

—

одиночный

Диод Д242А

#17037

24628

СНГ

63 шт

30 грн.

50+	27 грн.
200+	24 грн.
500+	21 грн.

Основные технические характеристики диода Д242А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 100 В.

—

Винт

КДЮ-11

100V

10A

—

Выпрямительный

—

50шт.

—

одиночный

Реле РЭС55А РС4.569.600-0702, (6В)

#17017

29268

СНГ

67 шт

25 грн.

4.5

—

DIP

—

10шт.

—

0.5

нейтральное

36v

перем./пост.

1 перекл.

—

Конденсатор К53-4 22 мкф 16в 10%, ниобиевый

#17015

29266

СНГ

8 шт

8 грн.

50+	7,20 грн.
200+	6,40 грн.

Ниобиевые оксидно-полупроводниковые конденсаторы К53-4, полярные, герметичные в металлическом корпусе. Предназначены для работы в цепях постоянного и пульсирующего тока. Особенности конденсаторов серии К53-4: малые и стабильные токи утечки, большие значения удельной емкости, улучшенные температурно-частотные характеристики емкости и тангенс угла диэлектрических потерь.

2.8

Гибкие выводы

—

-60..+85

—

DIP

—

100шт.

—

Варистор СН2-1А 150В 10%

#17014

29265

СНГ

20 шт

18 грн.

20+	16,20 грн.
50+	14,40 грн.
100+	13,50 грн.

Варисторы СН2-1А оксидноцинковые высоколинейные негерметизированные. Предназначены для защиты от напряжений элементов и узлов различной радиоэлектронной и электротехнической аппаратуры в цепях постоянного, переменного и импульсного токов, а так же для стабилизации и формирования напряжений.

1.6

—

150

—

DIP

—

80шт.

—

Реле РЭС10 РС4.529.031-03.02 (24-40В)

#17008

29259

СНГ

2 шт

80 грн.

Реле РЭС10 РС4.529.031-03.02 электромагнитное слаботочное низкочастотное, двухпозиционное, одностабильное, управляемые постоянным током. Предназначено для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока частотой от 50 до 1100 Гц. Реле РЭС10 выпускаются со штыревыми выводами для навесного монтажа на печатную плату через отверстия с одним замыкающим или одним переключающим контактом. Обеспечивают возможность применения как при печатном, так и при навесном монтаже. Используются для работы в составе электронных схем управления коммутацией в радиоэлектронной аппаратуре общего и специального назначения. Коммутирует токи не более 2 А при напряжении до 250 В в зависимости от режима коммутации.

—

24...40

—

DIP

—

24шт.

—

нейтральное

630

250v

Постоянный

1 замык.

—

Транзистор П605

#16946

29193

СНГ

40 шт

15 грн.

10+	14,25 грн.
50+	13,50 грн.
100+	12 грн.

Транзистор германиевый структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц.

9.2

—

Биполярный

DIP

—

PNP

3Вт

50шт.

40В

1.5А

30МГц

—

Транзистор П217В

#16932

29179

СНГ

166 шт

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

Основные технические характеристики транзистора П217В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 5; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

24Вт

40шт.

60В

7,5A

0,1МГц

—

Транзистор П217Б

#16931

29178

СНГ

1 шт

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

Основные технические характеристики транзистора П217Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,2 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 20; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

30Вт

40шт.

60В

7,5A

0,1МГц

—

Транзистор П217А

#16930

29177

СНГ

13 шт

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

Основные технические характеристики транзистора П217А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 20... 60; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

30Вт

40шт.

60В

7,5A

0,1МГц

—

Транзистор П217

#16929

29176

СНГ

52 шт

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

Основные технические характеристики транзистора П217: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 15; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

30Вт

40шт.

60В

7,5A

0,1МГц

—

Транзистор П302

#16928

29175

СНГ

257 шт

15 грн.

10+	14,25 грн.
50+	13,50 грн.
100+	12 грн.

Транзисторы П302 кремниевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения .

—

Биполярный

DIP

—

PNP

7Вт

50шт.

30В

500мА

0,2МГц

—

Транзистор П216Г

#16926

29173

СНГ

63 шт

15 грн.

10+	14,25 грн.
50+	13,50 грн.
100+	12 грн.

Основные технические характеристики транзистора П216Г : • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: &gt;5; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

24Вт

20шт.

50В

7,5A

0,1МГц

—

Транзистор 1Т403Г (=ГТ403Г)

#16925

29172

СНГ

7 шт

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

Транзистор 1Т403Г германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

4Вт

100шт.

45В

1,25А

—

150

—

Транзистор 1Т403И (=ГТ403И)

#16924

29171

СНГ

8 шт

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

Транзистор 1Т403И германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

4Вт

100шт.

60В

1,25А

—

Транзистор 1Т403В (=ГТ403В)

#16923

29170

СНГ

13 шт

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

Транзистор 1Т403В германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

4Вт

100шт.

45В

1,25А

—

Транзистор 1Т403А (=ГТ403А)

#16922

29169

СНГ

7 шт

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

Транзистор 1Т403А германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

4Вт

100шт.

30В

1,25А

—

Транзистор 1Т403Ж (=ГТ403Ж)

#16921

29168

СНГ

1 шт

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

Транзистор 1Т403Ж германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

4Вт

100шт.

60В

1,25А

—

Транзистор МП102

#16894

29141

СНГ

115 шт

7 грн.

10+	6,65 грн.
50+	6,30 грн.
100+	5,60 грн.

Транзисторы МП102 кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.

1.8

—

КТЮ-3-3

Биполярный

DIP

—

NPN

100мВт

100шт.

10В

20мА

0,5МГц

—