Бренд «СНГ»

Результатів: 4144

	MPN	Артикул	Бренд	На складі	Ціна	Знижки	Кількість	Опис	Вага г.	Тип виводів	Тип корпусу	Номінальна ємність, мкФ	Робоча напруга,В	Допуск номінальної ємності, %	Робоча температура,С	Діаметр корпусу D, мм	Довжина корпусу L, мм	Тип корпусу транзистора	Тип транзистора	Тип монтажу	Тип корпусу	Uзв. max, В	Iпр. max.	Iпр. імп. max.	Призначення	Тип діода	Структура	Потужність	Заводська упаковка	Напруга колектор-емітер	Струм колектора	Частота	Коефіцієнт посилення струму	Опір	Потужність резистора	Точність	Тип корпусу резистора	Робочий струм,А	Кількість обмоток	Поляризація	Опір обмотки,Ом	Максимальна напруга, що комутується	Струм живлення обмотки	Контактний набір	Конструкція діода

Мікросхема К148УН1

#17242

29495

СНГ

5 шт

120 грн.

10+	114 грн.
50+	108 грн.
100+	96 грн.

Мікросхема К148УН1 є підсилювачем потужності низької частоти з вихідною потужністю 1 Вт при опорі навантаження 30 Ом.

—

311.8-2

—

DIP

—

Підсилювачі

—

6шт.

—

Мікросхема 148УН1

#17241

29494

СНГ

1 шт

150 грн.

10+	142,50 грн.
50+	135 грн.
100+	120 грн.

Мікросхема 148УН1 є підсилювачем потужності низької частоти з вихідною потужністю 1 Вт при опорі навантаження 30 Ом.

—

311.8-2

—

DIP

—

Підсилювачі

—

6шт.

—

Діод КД2998Г

#17236

29489

СНГ

19 шт

120 грн.

50+	108 грн.
200+	96 грн.
500+	84 грн.

Основні технічні характеристики діода КД2998Г: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 35 В; • Inp max - Максимальний прямий струм: 30 А; • fд - Робоча частота діода: 10... 20 напруга: не більше 0,7 В при Inp 30 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 20 мА при Uoбp 35 В.

—

Гвинт

КД-11

35V

30A

—

Шотки

—

100шт.

—

одиночний

Диод КД204В

#17235

29488

СНГ

4 шт

10 грн.

50+	9 грн.
200+	8 грн.
500+	7 грн.

Основні технічні характеристики діода КД204В: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1000 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,4 В при Inp 600 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 50 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр – Час зворотного відновлення: 1,5 мкс.

—

Гвинт

КД-11

50V

—

Випрямний

—

50шт.

—

одиночний

Діод КД203Б

#17113

29362

СНГ

24 шт

35 грн.

50+	31,50 грн.
200+	28 грн.
500+	24,50 грн.

Основні технічні характеристики діода КД203Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 560 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Iобр - Постійний зворотний струм: не більше 1500 мкА при Uoбр 800 В.

—

Гвинт

—

560V

10A

15A

—

Випрямний

—

25шт.

—

одиночний

Діод КД206Б

#17112

29361

СНГ

20 шт

28 грн.

50+	25,20 грн.
200+	22,40 грн.
500+	19,60 грн.

Діод КД206Б кремнієвий, меза-дифузійний, лавинний, випрямляючий. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 20 кГц. Основні технічні характеристики діода КД206Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 500 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,2 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 700 мкА при Uoбp 500 В; • tвoc обр - Час зворотного відновлення: 10 мкс.

5.7

—

Гвинт

КД-11

500V

10A

—

Випрямний

—

100шт.

—

одиночний

Симістор ТС132-50-6

#17111

29360

СНГ

25 шт

300 грн.

10+	270 грн.
50+	240 грн.

—

Охолоджувач

—

600V

50A

—

Транзистор КТ825Г

#17110

29359

СНГ

4 шт

240 грн.

10+	228 грн.
50+	216 грн.
100+	192 грн.

Основні технічні характеристики транзистора КТ825Г: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 125 Вт; • fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму 4 МГц; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Ік max - Максимально допустимий постійний струм колектора: 20 А; • Ік і max - максимальний допустимий h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 750...18000; • Ск - Ємність колекторного переходу: не більше 600 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,4 Ом.

—

TO3

Біполярний

DIP

—

PNP

125Вт

10 шт.

90В

40А

—

18000

—

Резистор МЛТ-1 1,2 кОм (+/-5%)

#17109

29358

СНГ

75 шт

1,50 грн.

100+	1,35 грн.
200+	1,20 грн.
500+	1,05 грн.

Резистор МЛТ-1 1,2 кОм (+/-5%) 1Вт.

1.2

Гнучкі виводи

—

DIP

—

120шт.

—

1,2 кОм

1 Вт

5 %

металоплівковий

—

Діод КД202Б

#17108

29357

СНГ

1 шт

7 грн.

50+	6,30 грн.
200+	5,60 грн.
500+	4,90 грн.

Діоди КД202Б кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою до 5 кГц. Випускаються у металоскляному корпусі з жорсткими виводами. Тип діода та схема з'єднання електродів з виводами наводяться на корпусі. Основні технічні характеристики діода КД202Б: • uoбp та max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 50 В; • inp max - Максимальний прямий струм: 5 А; • fд - Робоча частота діода: 1,2 кГе; 0,9 В при inp 5 А; ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 800 мкА при uoбp 100 В

5.2

—

Гвинт

КД-11

50V

—

Випрямний

—

100шт.

—

одиночний

Тиристор силовий Т142-80-10

#17092

29342

СНГ

10 шт

350 грн.

Т142-80-10 Тиристор низькочастотний штиревого виконання. Призначений для роботи в перетворювальних пристроях, в ланцюгах постійного та змінного струму різних силових установок. Випускаються в металостеклянному корпусі з жорстким вививодом. Максимально допустимий середній прямий струм у відкритому стані - 80 А Повторювана імпульсна напруга в закритому стані і імпульсна зворотна напруга, що повторюється, - 1000 В Охолодження повітряне природне або примусове. Позначення типономіналу і полярність висновків наводяться на корпусі. довжина шпильки - 16 мм - різьблення - М10

—

Гвинт

—

1000V

80A

—

20шт.

—

Діод Д215А

#17038

29288

СНГ

14 шт

35 грн.

50+	31,50 грн.
200+	28 грн.
500+	24,50 грн.

Основні технічні характеристики діода Д215А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,0 В при Inp 10 А; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбр 200 В.

—

Гвинт

КДЮ-11

200V

10A

—

Випрямний

—

50шт.

—

одиночний

Діод Д242А

#17037

24628

СНГ

63 шт

30 грн.

50+	27 грн.
200+	24 грн.
500+	21 грн.

Основні технічні характеристики діода Д242А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 100 В.

—

Гвинт

КДЮ-11

100V

10A

—

Випрямний

—

50шт.

—

одиночний

Реле РЭС55А РС4.569.600-0702, (6В)

#17017

29268

СНГ

67 шт

25 грн.

4.5

—

DIP

—

10 шт.

—

0.5

нейтральне

36v

перем./пост.

1 перекл.

—

Конденсатор К53-4 22 мкф 16в 10%, ніобієвий

#17015

29266

СНГ

8 шт

8 грн.

50+	7,20 грн.
200+	6,40 грн.

Ніобієві оксидно-напівпровідникові конденсатори К53-4, полярні, герметичні у металевому корпусі. Призначені для роботи в ланцюгах постійного та пульсуючого струму. Особливості конденсаторів серії К53-4: малі та стабільні струми витоку, великі значення питомої ємності, покращені температурно-частотні характеристики ємності та тангенс кута діелектричних втрат.

2.8

Гнучкі виводи

—

-60..+85

—

DIP

—

100шт.

—

Варистор СН2-1А 150В 10%

#17014

29265

СНГ

20 шт

18 грн.

20+	16,20 грн.
50+	14,40 грн.
100+	13,50 грн.

Варистор СН2-1А оксидноцинкові високолінійні негерметизовані. Призначені для захисту від напруги елементів і вузлів різної радіоелектронної та електротехнічної апаратури в ланцюгах постійного, змінного та імпульсного струмів, а також для стабілізації та формування напруги.

1.6

—

150

—

DIP

—

80шт.

—

Реле РЭС10 РС4.529.031-03.02 (24-40В)

#17008

29259

СНГ

2 шт

80 грн.

Реле РЭС10 РС4.529.031-03.02 електромагнітне низькочастотне слаботочне, двопозиційне, одностабільне, керовані постійним струмом. Призначено для комутації електричних кіл постійного та змінного струму частотою від 50 до 1100 Гц. Реле РЭС10 випускаються зі штиревими висновками для навісного монтажу на друковану плату через отвори з одним замикаючим або одним контактом, що перемикає. Забезпечують можливість застосування як при друкованому, так і навісному монтажі. Використовуються для роботи у складі електронних схем керування комутацією в радіоелектронній апаратурі загального та спеціального призначення. Комутує струми не більше 2 А при напрузі до 250 В залежно від режиму комутації.

—

24...40

—

DIP

—

24шт.

—

нейтральне

630

250v

Постійний

1 замик.

—

Транзистор П605

#16946

29193

СНГ

40 шт

15 грн.

10+	14,25 грн.
50+	13,50 грн.
100+	12 грн.

Транзистор германієвої структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних, генераторних та імпульсних каскадах низької та високої частоти до 30 МГц.

9.2

—

Біполярний

DIP

—

PNP

3Вт

50шт.

40В

1.5А

30МГц

—

Транзистор П217В

#16932

29179

СНГ

166 шт

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

Основні технічні характеристики транзистора П217В: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 3 мА; • h21е – Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером: більше 5; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

24Вт

40шт.

60В

7,5A

0,1МГц

—

Транзистор П217Б

#16931

29178

СНГ

1 шт

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

Основні технічні характеристики транзистора П217Б: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,2 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером: більше 20; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,5 Ом.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

30Вт

40шт.

60В

7,5A

0,1МГц

—

Транзистор П217А

#16930

29177

СНГ

13 шт

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

Основні технічні характеристики транзистора П217А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером: 20... 60; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,5 Ом.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

30Вт

40шт.

60В

7,5A

0,1МГц

—

Транзистор П217

#16929

29176

СНГ

52 шт

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

Основні технічні характеристики транзистора П217: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутій: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером: більше 15; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,5 Ом.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

30Вт

40шт.

60В

7,5A

0,1МГц

—

Транзистор П302

#16928

29175

СНГ

257 шт

15 грн.

10+	14,25 грн.
50+	13,50 грн.
100+	12 грн.

Транзистори П302 кремнієві сплавні структури p-n-p універсальні. Призначені для застосування в приладах, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

7Вт

50шт.

30В

500мА

0,2МГц

—

Транзистор П216Г

#16926

29173

СНГ

63 шт

15 грн.

10+	14,25 грн.
50+	13,50 грн.
100+	12 грн.

Основні технічні характеристики транзистора П216Г: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 50 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: &gt;5; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

24Вт

20шт.

50В

7,5A

0,1МГц

—

Транзистор 1Т403Г (=ГТ403Г)

#16925

29172

СНГ

7 шт

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

Транзистор 1Т403Г германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

4Вт

100шт.

45В

1,25А

—

150

—

Транзистор 1Т403И (=ГТ403И)

#16924

29171

СНГ

8 шт

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

Транзистор 1Т403И германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

4Вт

100шт.

60В

1,25А

—

Транзистор 1Т403В (=ГТ403В)

#16923

29170

СНГ

13 шт

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

Транзистор 1Т403В германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

4Вт

100шт.

45В

1,25А

—

Транзистор 1Т403А (=ГТ403А)

#16922

29169

СНГ

7 шт

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

Транзистор 1Т403А германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

4Вт

100шт.

30В

1,25А

—

Транзистор 1Т403Ж (=ГТ403Ж)

#16921

29168

СНГ

1 шт

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

Транзистор 1Т403Ж германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

4Вт

100шт.

60В

1,25А

—

Транзистор МП102

#16894

29141

СНГ

115 шт

7 грн.

10+	6,65 грн.
50+	6,30 грн.
100+	5,60 грн.

Транзистори МП102 кремнієві сплавні npn низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. Призначені для посилення та перемикання сигналів низької частоти.

1.8

—

КТЮ-3-3

Біполярний

DIP

—

NPN

100мВт

100шт.

10В

20мА

0,5МГц

—