Транзистор КТ837К

Manufacturer СНГ
Артикул 26127
Категории Транзисторы отечественные
Характеристики
Тип Описание
Бренд СНГ
Структура PNP
Тип транзистора Биполярный
Тип корпуса транзистора TO220
Тип монтажа DIP
Вес г. 2
Заводская упаковка 200шт.
Напряжение коллектор-эмиттер 40В
Ток коллектора 7,5A
Коэффициент усиления по току 150
Частота 1МГц
Описание

Транзисторы КТ837К кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.

Основные технические характеристики транзистора КТ837К:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50... 150;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом.