Транзистор КТ840Б
| Manufacturer | СНГ |
| Артикул | |
| Категории | Транзисторы отечественные |
Характеристики
| Тип | Описание | |
|---|---|---|
| Бренд | СНГ | |
| Структура | NPN | |
| Тип транзистора | Биполярный | |
| Мощность | 60Вт | |
| Тип корпуса транзистора | TO3 | |
| Тип монтажа | DIP | |
| Вес г. | 17.5 | |
| Заводская упаковка | 40шт. | |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 350В | |
| Ток коллектора | 6А | |
| Коэффициент усиления по току | 10 | |
| Частота | 8МГц |
Описание
Основные технические характеристики транзистора КТ840Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 8 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 750 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 6 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера:не более 3 мА (750В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом.