Транзистор КТ857А

Транзистор КТ857А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный.
Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах.

Основные технические характеристики транзистора КТ857А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 250 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (250В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 7,5;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,33 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 2500 нс