Транзистор П216В

  • Транзистор П216В
Артикул: 26934
на складе (146 шт.)
15 грн.
Доступные скидки
Название Скидка Скидка, % Цена
10+ 0,75 грн. 5 14,25 грн.
50+ 1,50 грн. 10 13,50 грн.
100+ 3 грн. 20 12 грн.

Основные технические характеристики транзистора П216В:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 30;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом.

БрендСНГ
СтруктураPNP
Тип транзистора Биполярный
Мощность24Вт
Тип монтажаDIP
Вес г.10
Заводская упаковка20шт.
Напряжение коллектор-эмиттер 30В
Ток коллектора7,5A
Коэффициент усиления по току30
Частота0,1МГц

Оставьте отзыв об этом товаре первым!


Скидка− 0 грн.
Партнерская скидка− 0 грн.
Итого0 грн.

Ваша корзина пуста.