Транзисторы

Результатов: 3670

Параметры фильтра: |
Фильтры
Сортировать: Название Цена Хиты продаж Оценка покупателей Дата добавления На складе
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
Транзистор КТ834Б
Транзистор КТ834Б
#16517
 28765 СНГ —
200 грн.
10+190 грн.
50+180 грн.
100+160 грн.
 — Транзисторы КТ834А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в регуляторах тока и напряжения, в переключающих устройствах. 15 TO3 Биполярный DIP NPN 100Вт 20шт. 450В 20А 4МГц 3000
Транзистор 2Т812Б (=КТ812Б)
Транзистор 2Т812Б (=КТ812Б)
#16518
 28766 СНГ —
70 грн.
10+66,50 грн.
50+63 грн.
100+56 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора 2Т812Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 300 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 4; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 15 TO3 Биполярный DIP NPN 50Вт 40шт. 300В 10А 3МГц —
Транзистор КТ602А
Транзистор КТ602А
#16535
 28784 СНГ —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора КТ602А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,85 Вт; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2,8 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 75 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 70 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 80; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс. 3 КТЮ-3-9 Биполярный DIP NPN 2.8Вт 100шт. 100В 500мА 150МГц 80
Транзистор КТ816Г
Транзистор КТ816Г
#16628
 28866 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
 — Транзистор КТ816Г кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP PNP 25Вт 200шт. 100В 3А 3МГц 25
Транзистор 1Т311Д (=ГТ311Д)
Транзистор 1Т311Д (=ГТ311Д)
#16887
 29134 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
 — Биполярный германиевый транзистор 1Т311Д, n-p-n, малой мощности, сверхвысокой частоты. 1.2 — Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 12В 50мА 300МГц 180
Транзистор 2Т608Б (=КТ608Б)
Транзистор 2Т608Б (=КТ608Б)
#16891
 29138 СНГ —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
 — Транзисторы 2Т608Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах. 1.5 КТЮ-3-6 Биполярный DIP NPN 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 160
Транзистор 2Т608А (=КТ608А)
Транзистор 2Т608А (=КТ608А)
#16892
 29139 СНГ —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора 2Т608А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25...80; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 80
Транзистор 1Т403Г (=ГТ403Г)
Транзистор 1Т403Г (=ГТ403Г)
#16925
 29172 СНГ —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
 — Транзистор 1Т403Г германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. 3 — Биполярный DIP PNP 4Вт 100шт. 45В 1,25А — 150
Транзистор П303А
Транзистор П303А
#16927
 29174 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
 — Транзисторы П303А кремниевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. 9.2 — Биполярный DIP PNP 10Вт 50шт. 65В 500мА 0,1МГц —
Транзистор П608А
Транзистор П608А
#16948
 29195 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
 — Транзистор германиевый структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 90 МГц. 9.2 — Биполярный DIP PNP 1.5Вт 50шт. 30В 600мА 90МГц 240