Транзистор 2Т812Б (=КТ812Б)

Manufacturer СНГ
Артикули 28766
Категорії Транзистори вітчизняні
Характеристики
Тип Опис
Бренд СНГ
Структура NPN
Тип транзистора Біполярний
Потужність 50Вт
Тип корпусу транзистора TO3
Тип монтажу DIP
Вага г. 15
Заводська упаковка 40шт.
Напруга колектор-емітер 300В
Струм колектора 10А
Частота 3МГц
Опис

Основні технічні характеристики транзистора 2Т812Б:
• Структура транзистора: npn;
• Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50 Вт;
• fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц;
• Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 300 В (0,1кОм);
• Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 7 В;
• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 8 А;
• Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 12 А;
• Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 5 мА (700В);
• h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 4;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом.