Бренд «СНГ»

Результатов: 4144

	MPN	Артикул	Бренд	На складе	Цена	Скидки	Количество	Описание	Вес г.	Тип выводов	Тип корпуса	Диаметр корпуса D,мм	Тип корпуса транзистора	Тип транзистора	Тип монтажа	Тип корпуса	Uобр. max, В	Iпр. max.	Iпр. имп. max.	Назначение	Тип диода	Структура	Мощность	Заводская упаковка	Напряжение коллектор-эмиттер	Ток коллектора	Частота	Коэффициент усиления по току	Сопротивление	Точность	Напряжение стабилизации	Цвет	Тип светодиода	Конструкция диода

Транзистор МП20

#13549

25682

СНГ

—

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

—

Транзистор МП20 германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения.

1.8

—

КТЮ-3-3

Биполярный

DIP

—

PNP

150мВт

100шт.

30В

50мА

2МГц

150

—

Транзистор МП36А

#13547

25679

СНГ

—

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

—

Транзистор германиевый сплавной n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным и нормированным на частоте 1 кГц коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты.

1.8

—

КТЮ-3-3

Биполярный

DIP

—

NPN

150мВт

100шт.

15В

20мА

1МГц

—

Транзистор 2Т316Г (=КТ316Г) ник.

#13546

25677

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты.

0.5

—

КТ-1-7

Биполярный

DIP

—

NPN

150мВт

100шт.

10В

50мА

600МГц

100

—

Транзистор ГТ322В

#13545

25676

СНГ

—

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

—

Транзисторы ГТ322В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях промежуточной и высокой частот.

0.5

—

КТ-1-7

Биполярный

DIP

—

PNP

50мВт

100шт.

10В

10мА

50МГц

200

—

Транзистор ГТ322Б

#13544

25675

СНГ

—

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

—

Транзисторы ГТ322Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях промежуточной и высокой частот.

0.5

—

КТ-1-7

Биполярный

DIP

—

PNP

50мВт

100шт.

6В

10мА

80МГц

120

—

Транзистор ГТ321А

#13541

25672

СНГ

—

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

—

Транзисторы ГТ321А германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах.

1.8

—

КТЮ-3-3

Биполярный

DIP

—

PNP

150мВт

100шт.

50В

200мА

60МГц

—

Транзистор КТ603Б

#13540

25671

СНГ

—

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

—

Основные технические характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом.

1.5

—

КТЮ-3-3

Биполярный

DIP

—

NPN

500мВт

100шт.

30В

300мА

200МГц

—

Микросхема КР1434УД1Б (=К157УД2)

#13298

25392

СНГ

—

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

—

Микросхемы КР1434УД1Б представляют собой малошумящие двухканальные операционные усилители средней точности.

—

DIP14

—

DIP

—

Усилители

—

100шт.

—

Транзистор 2Т306Г (=КТ306Г)

#12961

25232

СНГ

—

15 грн.

10+	14,25 грн.
50+	13,50 грн.
100+	12 грн.

—

Транзисторы 2Т306Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума.

0.6

—

КТЮ-3-1

Биполярный

DIP

—

NPN

150мВт

100шт.

10В

30мА

500МГц

200

—

Транзистор 2Т306В (=КТ306В)

#12960

25231

СНГ

—

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

—

Транзисторы 2Т306В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума.

0.6

—

КТЮ-3-1

Биполярный

DIP

—

NPN

150мВт

100шт.

10В

30мА

300МГц

100

—

Транзистор 2Т306Б (=КТ306Б)

#12959

25230

СНГ

—

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

—

Транзисторы 2Т306Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума.

0.6

—

КТЮ-3-1

Биполярный

DIP

—

NPN

150мВт

100шт.

10В

30мА

500МГц

120

—

Транзистор 2Т306А (=КТ306А)

#12958

25229

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Транзисторы 2Т306А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума.

0.6

—

КТЮ-3-1

Биполярный

DIP

—

NPN

150мВт

100шт.

10В

30мА

300МГц

—

Транзистор 1Т305Б (=ГТ305Б)

#12954

25225

СНГ

—

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

—

Транзисторы 1Т305Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.

0.4

—

Биполярный

DIP

—

PNP

75мВт

100шт.

15В

6mA

20МГц

180

—

Транзистор 2Т908А (=КТ908А)

#12953

25224

СНГ

—

120 грн.

10+	114 грн.
50+	108 грн.
100+	96 грн.

—

Транзисторы 2Т908А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах. Корпус металлический с стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

—

КТЮ-3-20

Биполярный

DIP

—

NPN

50Вт

10шт.

100В

10А

50МГц

—

Радиолампа 6С52Н-В

#12952

25223

СНГ

—

80 грн.

10+	72 грн.
20+	68 грн.
50+	64 грн.

—

6C52H-В Сверхминиатюрный металлокерамический триод повышенной надежности и механической прочности. Предназначен для усиления и генерирования слабых сигналов в устройствах широкого применения. Катод оксидный косвенного накала. Работает в любом положении. Долговечность не менее 5000 ч. Масса не более 3 г. Расположение штырьков РШ8.

—

DIP

—

20шт.

—

Терморезистор СТ3-17В 33 Ом 10%

#12785

25142

СНГ

—

5 грн.

10+	4,50 грн.
50+	4 грн.
100+	3,75 грн.

—

СТ3-17 терморезистор дисковый негерметизированный предназначен для работы в цепях постоянного, пульсирующего и переменного тока частотой до 400 Гц в импульсных режимах, для измерения и регулирования температуры, а также для температурной компенсации элементов электрической цепи с положительным температурным коэффициентов сопротивления. Максимальная мощность - 0,3 Вт. Нноминальное сопротивление 33 ом Температурный коэффициент сопротивления при +20º С - от -3%/° С до 4,5%/° С. Коэффициент температурной чувствительности - от 2580 К до 3860 К.

0.3

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

33 Ом

10 %

—

Стабилитрон 2С133А (=КС133А) стекло

#12782

25139

СНГ

—

6 грн.

50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.
250+	4,50 грн.

—

Стабилитроны 2С133А кремниевые, сплавные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 3,3 В в диапазоне токов стабилизации 3...81 мА.

0.3

—

DIP

—

300мВт

200шт.

—

3V3

—

Диод Д311

#12781

25138

СНГ

—

3 грн.

50+	2,70 грн.
200+	2,40 грн.
500+	2,10 грн.

—

Германиевый, мезадиффузионный, импульсный.

0.3

—

DIP

D104

30V

40mA

—

Импульсный

—

100шт.

—

одиночный

Диод 1Д507А (=ГД507А)

#12780

25137

СНГ

—

3 грн.

50+	2,70 грн.
200+	2,40 грн.
500+	2,10 грн.

—

Диоды 1Д507А германиевые, микросплавные, импульсные. Предназначены для ограничения и модуляции импульсных сигналов. Основные технические характеристики диода 1Д507А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 20 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 16 мА; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,5 В при Inp 5 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 20 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,1 мкс; • Сд - Общая емкость: 0,8 пФ.

0.25

—

DIP

КД-121

20V

16mA

200mA

—

Импульсный

—

100шт.

—

одиночный

Диод СВЧ ДК-В2

#12779

25136

СНГ

—

35 грн.

50+	31,50 грн.
200+	28 грн.
500+	24,50 грн.

—

Диоды СВЧ ДК-В2 кремниевые, точечные, детекторные. Предназначены для детектирования сигналов на длине волны 10 см.

0.5

—

DIP

—

СВЧ

—

40шт.

—

одиночный

Диод СВЧ 2А511А

#12778

25135

СНГ

—

90 грн.

50+	81 грн.
200+	72 грн.
500+	63 грн.

—

Основные технические параметры СВЧ диода 2А511А: • Общая емкость: 0,55...0,75 пФ; • Прямое сопротивление потерь: не более 2 Ом; • Накопленный заряд диода: не более 350 нКл; • Постоянное обратное напряжение: 50...200 В; • Постоянный прямой ток: 700 мА; • Значение допустимого статического потенциала: 100 В.

0.3

—

DIP

—

СВЧ

—

20шт.

—

одиночный

Диод СВЧ Д408

#12777

25134

СНГ

—

35 грн.

50+	31,50 грн.
200+	28 грн.
500+	24,50 грн.

—

Диод Д408 кремниевый точечный смесительный. Предназначен для применения в преобразователях частоты в диапазоне длин волн 4,5..10 с.

2.5

—

DIP

—

СВЧ

—

10шт.

—

одиночный

Диод СВЧ Д605

#12776

25133

СНГ

—

40 грн.

50+	36 грн.
200+	32 грн.
500+	28 грн.

—

Диод СВЧ Д605 кремниевый, точечный, детекторный. Предназначен для детектирования импульсных амплитудно-модулированных сигналов, индикации импульсной мощности в диапазоне волн 3,2..10см.

2.5

—

DIP

—

СВЧ

—

10шт.

—

одиночный

Тиристор КУ101Г

#12775

25132

СНГ

—

10 грн.

—

Основные технические параметры тиристора КУ101Г: • Максимальное постоянное обратное напряжение: 80 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 80 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 1 А; • Средний импульсный ток в открытом состоянии: 0,075 А; • Напряжение в открытом состоянии: не более 2,5 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не менее 0,15 мА; • Постоянный обратный ток: не более 0,15 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 12 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: 1,5...8 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 100 В/мкс; • Время включения: 2 мкс; • Время выключения: 35 мкс.

—

DIP

—

100шт.

—

Транзистор ГТ701А

#12774

25131

СНГ

—

40 грн.

10+	38 грн.
50+	36 грн.
100+	32 грн.

—

Транзистор ГТ701А германиевый сплавной структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в системах зажигания двигателей внутреннего сгорания, а также в преобразователях напряжения.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

50Вт

20шт.

100В

12А

—

Транзистор П605А с гибкими выводами

#12773

25130

СНГ

—

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

—

Транзистор германиевый структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

3Вт

40шт.

40В

1.5А

30МГц

120

—

Подшипник 3182112 (60*95*26) (=NN3012K)

#12767

25124

СНГ

—

600 грн.

—

Применяется в станкостроении и металлообрабатывающем оборудовании. Внутренний диаметр подшипника d 60 мм Наружный диаметр подшипника D 95 мм Ширина подшипника В 26 мм Радиус монтажной фаски подшипника r 2,0 мм Статическая грузоподъемность C0 54000 Н Динамическая грузоподъемность C 74500 Н.

800

—

1шт.

—

Фототранзистор ФТ-1К гр.1

#12650

25005

СНГ

—

11 грн.

10+	10,45 грн.
50+	9,90 грн.
100+	8,80 грн.

—

Основные технические параметры фототранзистора ФТ-1К гр.1: • Размер фоточувствительного элемента: диаметр 1,8 мм; • Область спектральной фоточувствительности: 0,5...1,12 мкм; • Длина волны максимума спектрального распределения фоточувствительности: 0,8...0,9 мкм; • Номинальное рабочее напряжение: 5 В; • Темновой ток: не более 3 мкА; • Токовая фоточувствительность: не менее 0,4 мкА/лк.

0.3

—

Фото

DIP

—

100шт.

—

Светодиод 3Л107А

#12649

25004

СНГ

—

54 грн.

50+	48,60 грн.
200+	45,90 грн.
500+	40,50 грн.

—

Диоды излучающие, арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиальные. Предназначены для работы в качестве источников ИК излучения.

0.3

—

DIP

—

1шт.

—

ИК

2,4мм круглый

—

Транзистор 1Т311Б (=ГТ311Б)

#12648

25003

СНГ

—

14 грн.

10+	13,30 грн.
50+	12,60 грн.
100+	11,20 грн.

—

Биполярный германиевый транзистор ГТ311Б, n-p-n, малой мощности, сверхвысокой частоты.

1.2

—

Биполярный

DIP

—

NPN

150мВт

100шт.

12В

50мА

300МГц

—