Диоды отечественные
Диодные мосты отечественные
Симисторы
Тиристоры отечественные
Стабилитроны отечественные
Микросхемы импортные
Микросхемы отечественные
Транзисторы отечественные
Оптроны отечественные
Датчики
Варикапы
Радиолампы
Конденсаторы элекролитические отечественные
Конденсаторы керамические высоковольтные
Конденсаторы керамические
Конденсаторы пленочные отечественные
Конденсаторы металлобумажные
Конденсаторы подстроечные
Предохранители стеклянные
Предохранители керамические
Держатели предохранителей
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 - 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Переменные
Терморезисторы
Резисторные сборки
HC49
HC6U
УБ-УЕ
К1-4
Фильтры
Контакторы
Реле отечественные
Отечественные
Переключатели,кнопки
Трансформаторы, дроссели
Шунты
Варисторы
Разрядники
Светодиоды
Светодиодные и ЖКИ индикаторы
Светильники
Звук
Электродвигатели
Сердечники, магниты
Radio-Kits
Корпуса
Готовые изделия
Приборы
Крепеж
Разное
Диодные мосты отечественные
Симисторы
Тиристоры отечественные
Стабилитроны отечественные
Микросхемы импортные
Микросхемы отечественные
Транзисторы отечественные
Оптроны отечественные
Датчики
Варикапы
Радиолампы
Конденсаторы элекролитические отечественные
Конденсаторы керамические высоковольтные
Конденсаторы керамические
Конденсаторы пленочные отечественные
Конденсаторы металлобумажные
Конденсаторы подстроечные
Предохранители стеклянные
Предохранители керамические
Держатели предохранителей
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 - 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Переменные
Терморезисторы
Резисторные сборки
HC49
HC6U
УБ-УЕ
К1-4
Фильтры
Контакторы
Реле отечественные
Отечественные
Переключатели,кнопки
Трансформаторы, дроссели
Шунты
Варисторы
Разрядники
Светодиоды
Светодиодные и ЖКИ индикаторы
Светильники
Звук
Электродвигатели
Сердечники, магниты
Radio-Kits
Корпуса
Готовые изделия
Приборы
Крепеж
Разное
Бренд «СНГ»
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип выводов | Тип корпуса | Рабочее напряжение,В | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Назначение | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Емкость | Точность | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Вилка или розетка | Кол-во контактов | Механический монтаж | Тип |
|---|
Транзистор КТ503Г
#11439
|
23566 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзисторы КТ503Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. | 0.3 | — | — | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | NPN | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 240 | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор КТ503В
#11438
|
23565 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзисторы КТ503В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. | 0.3 | — | — | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | NPN | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 120 | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор КТ502Е
#11436
|
23562 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзисторы КТ502Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях | 0.3 | — | — | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 80В | 350мА | 5МГц | 120 | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор КТ502Г
#11435
|
23561 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзисторы КТ502Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях | 0.3 | — | — | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 240 | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор КТ502В
#11434
|
23560 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзисторы КТ502В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях | 0.3 | — | — | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 120 | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор КТ502Б
#11433
|
23559 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзисторы КТ502Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях | 0.3 | — | — | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 25В | 350мА | 5МГц | 240 | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Стабилитрон КС407Г
#11426
|
23543 | СНГ | — |
2 грн.
|
|
— | Стабилитрон кремниевый, планарный, средней мощности. Основные технические параметры стабилитрона КС407Г: • Номинальное напряжение стабилизации: 5,1 В при Iст 20 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 4,8... 5,4 В; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 17 Ом при Iст 20 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 59 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -40... +85 °С. | 0.1 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 500мВт | 400шт. | — | — | — | — | — | — | 5V1 | kd2 | — | — | — | — | |||||||||
Стабилитрон КС630А
#11420
|
23537 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Стабилитроны КС630А кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 130 В в диапазоне токов стабилизации 5...38 мА. | 3 | — | — | — | — | — | Винт | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | 130V | ks620 | — | — | — | — | |||||||||
Стабилитрон КС582Г
#11419
|
23536 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Стабилитроны кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности, прецизионные. | 0.8 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 720мВт | 80шт. | — | — | — | — | — | — | 82V | — | — | — | — | — | |||||||||
Стабилитрон КС107А стек.
#11418
|
23535 | СНГ | — |
1,50 грн.
|
|
— | • Номинальное напряжение стабилизации: 0.7 В при Iст 10 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0,3 %/°С; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 100 мА; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. | 0.2 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 125мВт | 300шт. | — | — | — | — | — | — | 0.7V | kd2 | — | — | — | — | |||||||||
| 23533 | СНГ | — |
3 грн.
|
— | Конденсатор металлопленочный полиэтилентерефталатный. Предназначен для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах. | 2.5 | Гибкие выводы | — | 630 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | 100nF (0.1µF) | 5 % | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Микросхема 541РТ1 Ni
#11413
|
23530 | СНГ | — |
75 грн.
|
|
— | Биполярное ОЗУ выполнено на основе интегрально-инжекционной логики. Микросхемы 541РТ1 представляют собой однократно программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 1 кбит (256 х 4). Совместимы по входу и выходу с ТТЛ-схемами. Функциональная схема включает в себя входные схемы адреса, дешифратор, мультиплексор, схемы управления, выходные схемы и накопитель 32 х 32. | 0.9 | — | SO16 | — | — | — | SMD | Память | — | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор КП307Е Au
#11409
|
23526 | СНГ | — |
22 грн.
|
|
— | Транзисторы КП307Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | 0.4 | — | — | — | КТ-1 | Полевой | DIP | — | МОП n-канальный | 27В | 25мА | 250мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор КП303Е Ni
#11408
|
23525 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзисторы КП303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | 0.4 | — | — | — | КТ-1 | Полевой | DIP | — | МОП n-канальный | 25В | 20мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема КМ133ЛА7
#11407
|
23524 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | 2 четырехвходовые схемы И-НЕ с открытым коллекторным выходом и повышенной нагрузочной способностью (элементы индикации). | 0.3 | — | SO14 | — | — | — | SMD | Логика | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Стабилитрон 2С920А (=КС920А)
#11402
|
23513 | СНГ | — |
7 грн.
|
|
— | Стабилитроны 2С920А кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 120 В в диапазоне токов стабилизации 5...42 мА. | 4.2 | — | — | — | — | — | Винт | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | 120V | ks620 | — | — | — | — | |||||||||
Стабилитрон 2С510А (=КС510А)
#11400
|
23511 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Стабилитроны 2С510А кремниевые, планарные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 10 В в диапазоне токов стабилизации 1...79 мА. | 0.8 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 1Вт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | 10V | kd-8 | — | — | — | — | |||||||||
Стабилитрон 2С119А (=КС119А)
#11399
|
23510 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Основные технические параметры стабистора 2С119А: • Номинальное напряжение стабилизации: 1,9 В при Iст 10 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0,42...-0,2 %/°С; • Дифференциальное сопротивление: 15 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 100 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность: 0,18 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. | 0.8 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 180мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | 1V9 | kd-8 | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема КМ1816ВЕ48 Au
#11398
|
23509 | СНГ | — |
162 грн.
|
|
— | Микросхема КМ1816ВЕ48 представляет собой однокристальную 8-разрядную микро-ЭВМ с ППЗУ с УФ стиранием информации емкостью 8 кбит (1024x8). | 5.7 | — | DIP40 | — | — | — | DIP | Процессоры | — | — | — | — | 5шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема 298ФН13
#11397
|
23508 | СНГ | — |
64 грн.
|
|
— | ФНЧ 2-го порядка по классической схеме на эмиттерном повторителе. | 7.5 | — | — | — | — | — | DIP | Фильтры | — | — | — | — | 10шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Стабилитрон Д814Г1
#11387
|
23498 | СНГ | — |
1,50 грн.
|
|
— | Стабилитроны Д814Г1 кремниевые, средней мощности. Предназначены для стабилизации напряжения 10,0-12,0 В. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. | 0.2 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 340мВт | 500шт. | — | — | — | — | — | — | 11V | kd2 | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор КП350В Аu
#11377
|
23488 | СНГ | — |
27 грн.
|
|
— | Транзисторы КП350В кремниевые диффузно-планарные полевые с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц. | 0.4 | — | — | — | КТ-1 | Полевой | DIP | — | МОП n-канальный | — | — | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема ЭКР1533ИР35
#11369
|
23477 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | 8-разрядный регистр на D-триггерах с общим входом сброса. | 1.3 | — | DIP20 | — | — | — | DIP | Логика | — | — | — | — | 70шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 23473 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Микросхемы КР142ЕН18Б представляют собой регулируемые стабилизаторы напряжения отрицательной полярности с выходным напряжением 1,2-6,5 В и током нагрузки до 1,5 А. | 2.5 | — | TO-220 | — | — | — | DIP | Питание | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 23471 | СНГ | — |
54 грн.
|
— | Сдвоенное двунаправленное высоковольтное МОП-реле, корпус DIP8. | 0.5 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 22311 | СНГ | — |
54 грн.
|
— | Сдвоенное двунаправленное высоковольтное МОП-реле, корпус DIP8. | 0.5 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 23436 | СНГ | — |
16 грн.
|
|
— | Соединитель РП10-15 низкочастотный, прямоугольный, внутреннего монтажа предназначен для работы в электрических цепях постоянного, переменного частотой до 3 МГц и импульсного токов напряжением до 1550 В. | 19 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | Вилка | 15 | В корпус | РП | ||||||||||
Разъем РП10-7Л (розетка)
#11328
|
23433 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Предназначен для работы в электрических цепях постоянного, переменного частотой до 3 МГц и импульсного токов напряжением до 1550 В. | 7.5 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 80шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | Розетка | 7 | В корпус | РП | |||||||||
| 23432 | СНГ | — |
16 грн.
|
|
— | Предназначен для работы в электрических цепях постоянного, переменного частотой до 3 МГц и импульсного токов напряжением до 1550 В. | 19 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | Вилка | 15 | В корпус | РП | ||||||||||
| 23431 | СНГ | — |
16 грн.
|
|
— | Предназначен для работы в электрических цепях постоянного, переменного частотой до 3 МГц и импульсного токов напряжением до 1550 В. | 14 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | Вилка | 11 | В корпус | РП |
![Разъем РП10-15"З" (вилка с ловителями)](/wa-data/public/shop/products/31/13/11331/images/12373/12373.48x48.jpg "Разъем РП10-15"З" (вилка с ловителями)")
