Бренд «СНГ»

Результатов: 4144

	MPN	Артикул	Бренд	На складе	Цена	Скидки	Количество	Описание	Вес г.	Тип выводов	Номинальная емкость,мкФ	Рабочее напряжение,В	Допуск номинальной емкости,%	Рабочая температура,С	Диаметр корпуса D,мм	Длина корпуса L,мм	Тип корпуса транзистора	Тип транзистора	Тип монтажа	Тип корпуса	Uобр. max, В	Iпр. max.	Iпр. имп. max.	Тип диода	Структура	Мощность	Заводская упаковка	Напряжение коллектор-эмиттер	Ток коллектора	Частота	Коэффициент усиления по току	Емкость	Сопротивление	Мощность резистора	Точность	Тип корпуса резистора	Напряжение стабилизации	Тип корпуса стабилитрона	Рабочий ток,А	Материал	Вилка или розетка	Кол-во контактов	Механический монтаж	Тип	Конструкция диода

Транзистор П608А

#16948

29195

СНГ

—

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

—

Транзистор германиевый структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 90 МГц.

9.2

—

Биполярный

DIP

—

PNP

1.5Вт

50шт.

30В

600мА

90МГц

240

—

Транзистор П303А

#16927

29174

СНГ

—

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

—

Транзисторы П303А кремниевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.

9.2

—

Биполярный

DIP

—

PNP

10Вт

50шт.

65В

500мА

0,1МГц

—

Транзистор 1Т403Г (=ГТ403Г)

#16925

29172

СНГ

—

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

—

Транзистор 1Т403Г германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

4Вт

100шт.

45В

1,25А

—

150

—

Транзистор 2Т608А (=КТ608А)

#16892

29139

СНГ

—

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

—

Основные технические характеристики транзистора 2Т608А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25...80; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом

1.8

—

КТЮ-3-3

Биполярный

DIP

—

NPN

500мВт

100шт.

60В

400мА

200МГц

—

Транзистор 2Т608Б (=КТ608Б)

#16891

29138

СНГ

—

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

—

Транзисторы 2Т608Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах.

1.5

—

КТЮ-3-6

Биполярный

DIP

—

NPN

500мВт

100шт.

60В

400мА

200МГц

160

—

Транзистор 1Т311Д (=ГТ311Д)

#16887

29134

СНГ

—

14 грн.

10+	13,30 грн.
50+	12,60 грн.
100+	11,20 грн.

—

Биполярный германиевый транзистор 1Т311Д, n-p-n, малой мощности, сверхвысокой частоты.

1.2

—

Биполярный

DIP

—

NPN

150мВт

100шт.

12В

50мА

300МГц

180

—

Тиристор 2У101А (=КУ101А)

#16883

29129

СНГ

—

10 грн.

—

Тиристоры кремниевые 2У101А, диффузионно-сплавные, p-типа, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов. Основные технические параметры тиристора 2У101А: • Максимальное постоянное обратное напряжение: 10 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 50 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 1 А; • Средний импульсный ток в открытом состоянии: 0,075 А; • Напряжение в открытом состоянии: не более 2,5 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не менее 0,15 мА; • Постоянный обратный ток: не более 0,15 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 12 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: 1,5...8 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 100 В/мкс; • Время включения: 2 мкс; • Время выключения: 35 мкс.

1.8

—

DIP

—

50V

—

100шт.

—

Резистор С2-29В-0,25 100 кОм (+/-0,25%), прецизионный

#16837

29083

СНГ

—

4 грн.

100+	3,20 грн.
500+	2,40 грн.
1000+	2 грн.

—

Резистор С2-29В-0,25 100 кОм (+/-0,25%). Габариты: 11x4 mm, Dвыв=0,8 mm.

0.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

60шт.

—

100 кОм

0,25 Вт

0,2 %

металлопленочный

—

Резистор С2-29В-0,25 12 Ом (+/-0,25%), прецизионный

#16829

29075

СНГ

—

4 грн.

100+	3,20 грн.
500+	2,40 грн.
1000+	2 грн.

—

Резистор С2-29В-0,25 12 Ом (+/-0,25%). Габариты: 11x4 mm, Dвыв=0,8 mm.

0.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

60шт.

—

12 Ом

0,25 Вт

0,2 %

металлопленочный

—

Разъем РГ1Н-1-3

#16652

28891

СНГ

—

80 грн.

10+	76 грн.
20+	72 грн.
50+	68 грн.
100+	64 грн.

—

Соединители объемного монтажа РГ1Н-1-3 предназначены для работы в электрических цепях постоянного, переменного (частотой до 3 МГц) и импульсного тока напряжением до 400 В.

3.7

—

DIP

—

50шт.

—

Розетка

В корпус

РГ

—

Разъем РГ1Н-1-5

#16650

28919

СНГ

—

30 грн.

10+	28,50 грн.
20+	27 грн.
50+	25,50 грн.
100+	24 грн.

—

Соединители объемного монтажа РГ1Н-1-5 предназначены для работы в электрических цепях постоянного, переменного (частотой до 3 МГц) и импульсного тока напряжением до 400 В.

6.5

—

DIP

—

50шт.

—

Розетка

В корпус

РГ

—

Конденсатор К53-7В 0,1мкф 32в 30%, танталовый

#16632

28870

СНГ

—

6 грн.

50+	5,40 грн.
200+	4,80 грн.

—

Конденсаторы К53-7В оксидно-полупроводниковые танталовые неполярные. Выпускаются в цилиндрических металлических герметизированных корпусах с разнонаправленными проволочными выводами. Предназначены для работы в качестве встроенных элементов внутреннего монтажа аппаратуры в цепях постоянного, пульсирующего токов и в импульсном режиме. Применяются в изделиях специального назначения, бортовой и наземной аппаратуре связи, приборах, требующих повышенной стабильности электрических параметров.

Гибкие выводы

0,1

-60...+85

3.5

—

DIP

—

400шт.

—

Транзистор КТ816Г

#16628

28866

СНГ

—

15 грн.

10+	14,25 грн.
50+	13,50 грн.
100+	12 грн.

—

Транзистор КТ816Г кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный.

0.7

—

TO126

Биполярный

DIP

—

PNP

25Вт

200шт.

100В

3А

3МГц

—

Диод Д220А

#16627

28865

СНГ

—

2 грн.

50+	1,80 грн.
200+	1,60 грн.
500+	1,40 грн.

—

Основные технические характеристики диода Д220А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 70 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 50 мА; • Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 0,5 А; • Сд - Общая емкость: 15 пФ при Uoбp 5 В; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,5 В при Inp 50 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мкА при Uoбp 70 В.

0.3

—

DIP

D104

70V

50mA

—

Выпрямительный

—

100шт.

—

одиночный

Конденсатор К73-17 1,5uF 160В 20%

#16621

28859

СНГ

—

5 грн.

—

К73-17 полиэтилентерефталатные защищённые конденсаторы. Предназначены для работы встроенных элементов внутри комплектных изделий в цепях постоянного, переменного тока и в импульсном режиме.

Гибкие выводы

—

160

—

DIP

—

25шт.

—

1.5µF

—

20 %

—

Транзистор КТ602А

#16535

28784

СНГ

—

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

—

Основные технические характеристики транзистора КТ602А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,85 Вт; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2,8 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 75 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 70 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 80; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс.

—

КТЮ-3-9

Биполярный

DIP

—

NPN

2.8Вт

100шт.

100В

500мА

150МГц

—

Стабилитрон 2С107А ОС

#16529

28777

СНГ

—

12 грн.

50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.
250+	9 грн.

—

Основные технические параметры стабилитрона 2С107А: • Номинальное напряжение стабилизации: 0.7 В при Iст 10 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0,34 %/°С; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 120 мА; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С.

0.8

—

DIP

—

300мВт

100шт.

—

1V3

kd-8

—

Стабилитрон 2С113А ОС

#16528

28776

СНГ

—

6 грн.

50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.
250+	4,50 грн.

—

Основные технические параметры стабистора 2С113А: • Номинальное напряжение стабилизации: 1,3 В при Iст 10 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 1,17... 1,43 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0,42...-0,2 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ±3,5 %; • Дифференциальное сопротивление: 15 Ом при Iст 7,5 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 100 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность: 0,16 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С.

0.8

—

DIP

—

160 мВт

100шт.

—

1V3

kd-8

—

Предохранитель ВПБ6-37, 3,15А, 600В 50х8

#16526

28774

СНГ

—

6 грн.

20+	5,40 грн.
50+	4,80 грн.
100+	4,50 грн.
200+	4,20 грн.

—

Предохранители (вставки плавкие) предназначены для разрыва электрической цепи в случае, если ток в цепи превышает заданный.

3.2

—

600

—

DIP

—

100шт.

—

3.15

Стекло

—

Предохранитель ПЦ-30, 20 А, 250 В

#16524

28772

СНГ

—

5 грн.

20+	4,50 грн.
50+	4 грн.
100+	3,75 грн.
200+	3,50 грн.

—

250

—

DIP

—

1000шт.

—

Стекло

—

Конденсатор К53-4АВ 47 мкф 20в 20%, ниобиевый

#16522

28770

СНГ

—

10 грн.

50+	9 грн.
200+	8 грн.

—

Ниобиевые оксидно-полупроводниковые конденсаторы К53-4АВ, полярные, герметичные в металлическом корпусе. Предназначены для работы в цепях постоянного и пульсирующего тока. Особенности конденсаторов серии К53-4: малые и стабильные токи утечки, большие значения удельной емкости, улучшенные температурно-частотные характеристики емкости и тангенс угла диэлектрических потерь.

3.5

Гибкие выводы

-60..+85

—

DIP

—

100шт.

—

Диод Д226Е

#16519

28767

СНГ

—

4 грн.

50+	3,60 грн.
200+	3,20 грн.
500+	2,80 грн.

—

Основные технические характеристики диода Д226Г: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 200 В.

—

DIP

КД-8

200V

300mA

—

Выпрямительный

—

200шт.

—

одиночный

Транзистор 2Т812Б (=КТ812Б)

#16518

28766

СНГ

—

70 грн.

10+	66,50 грн.
50+	63 грн.
100+	56 грн.

—

Основные технические характеристики транзистора 2Т812Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 300 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 4; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом.

—

TO3

Биполярный

DIP

—

NPN

50Вт

40шт.

300В

10А

3МГц

—

Транзистор КТ834Б

#16517

28765

СНГ

—

200 грн.

10+	190 грн.
50+	180 грн.
100+	160 грн.

—

Транзисторы КТ834А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в регуляторах тока и напряжения, в переключающих устройствах.

—

TO3

Биполярный

DIP

—

NPN

100Вт

20шт.

450В

20А

4МГц

3000

—

Резистор МЛТ-1 200 Ом (+/-10%)

#16489

28738

СНГ

—

1,50 грн.

100+	1,35 грн.
200+	1,20 грн.
500+	1,05 грн.

—

Резистор МЛТ-1 200 Ом (+/-10%).

1.2

Гибкие выводы

—

DIP

—

500шт.

—

200 Ом

1 Вт

10 %

металлопленочный

—

Оптотиристор ТО125-12,5-10

#16481

28730

СНГ

—

170 грн.

—

Тиристор ТО125-12.5-10 оптронный, низкочастотный, кремниевый, диффузионный, структуры p-n-p-n, фланцевого исполнения. Предназначен для работы в цепях постоянного и переменного тока частотой до 500 Гц и силе тока не более 12,5 А. Состоит из кремниевого фототиристора и арсенид-галлиевого излучающего диода и имеет связь цепи управления с силовой цепью только с помощью светового луча при отсутствии гальванической связи.

—

DIP

—

1000V

12.5А

—

20шт.

—

Конденсатор К53-4АВ 10 мкф 20в 10%, ниобиевый

#16480

28729

СНГ

—

7 грн.

50+	6,30 грн.
200+	5,60 грн.

—

Ниобиевые оксидно-полупроводниковые конденсаторы К53-4АВ, полярные, герметичные в металлическом корпусе. Предназначены для работы в цепях постоянного и пульсирующего тока. Особенности конденсаторов серии К53-4АВ: малые и стабильные токи утечки, большие значения удельной емкости, улучшенные температурно-частотные характеристики емкости и тангенс угла диэлектрических потерь.

1.5

Гибкие выводы

-60..+85

—

DIP

—

180шт.

—

Транзистор КТ321В

#16476

28725

СНГ

—

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

—

Транзисторы КТ321В кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.

1.5

—

КТЮ-3-6

Биполярный

DIP

—

PNP

210мВт

100шт.

50В

200мА

60МГц

200

—

Транзистор ГТ321Г

#16472

28722

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Транзисторы ГТ321Г германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах.

1.8

—

КТЮ-3-3

Биполярный

DIP

—

PNP

150мВт

100шт.

45В

200мА

60МГц

—

Транзистор ГТ321Е

#16471

28721

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Транзисторы ГТ321Е германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах.

1.8

—

КТЮ-3-3

Биполярный

DIP

—

PNP

150мВт

100шт.

45В

200мА

60МГц

200

—