Радиокомпоненты активные

Результатов: 8090

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Назначение Тип диода Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение пробоя Конструкция диода
22499 UTC —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— 0.5 DIP8 — — DIP — — — Усилители — — — — — 50шт. — — — — — —
22500 NS —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— 0.5 DIP8 — — DIP — — — Усилители — — — — — 50шт. — — — — — —
22501 TEXAS INSTRUMENTS —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— 1 DIP16 — — DIP — — — Усилители — — — — — 25шт. — — — — — —
22502 TOSHIBA —
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
— 1 DIP16 — — DIP — — — Радиоприем — — — — — 25шт. — — — — — —
22530 TOSHIBA —
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
— 0.5 — TO92L Биполярный DIP — — — — — NPN — — 900мВт 200шт. 300В 100мА 50МГц 150 — —
22531 CDIL —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
500+1,40 грн.
— 0.3 — TO92 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 350мВт 200шт. 30В 100мА 280МГц 900 — —
22784 СНГ —
130 грн.
50+117 грн.
200+104 грн.
500+91 грн.
— Диод быстровосстанавливающийся кремниевый диффузионный. 110 — — — Охладитель — 700V 160А — Выпрямительный — — — — 6шт. — — — — — одиночный
22796 СНГ —
3,50 грн.
10+3,32 грн.
50+3,15 грн.
100+2,80 грн.
— Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. 0.7 — TO126 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 1.2Вт 200шт. 60В 1А 50МГц 480 — —
22797 СНГ —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
— Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. 0.7 — TO126 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 1.2Вт 200шт. 150В 1А 50МГц 480 — —
22798 СНГ —
3,50 грн.
10+3,32 грн.
50+3,15 грн.
100+2,80 грн.
— Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п усилительные с ненормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. 0.3 — TO92 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 150мВт 200шт. 20В 20мА 10МГц 60 — —
23557 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
— Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 — КТ-13 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 150мВт 800 шт. 40В 100мА 250МГц 90 — —
— СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
— Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 — КТ-13 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 150мВт 800 шт. 35В 100мА 250МГц 350 — —
22802 ST MICROELECTRONICS —
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
— 0.4 — — — DIP DO-15 — — — Защитный — — — 600Вт 1000шт. — — — — 12V —
22837 ON SEMICONDUCTOR —
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
— 1 SO20 — — SMD — — — Логика — — — — — 1000шт. — — — — — —
22838 СНГ —
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
— Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением. 0.43 — КТ-14 Полевой DIP — — — — — МОП р-канальный 20В 15мА 200мВт 100шт. — — — — — —
22969 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах. 2.5 — TO220 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 30Вт 100шт. 70В 5А 20МГц 25 — —
22971 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Транзистор германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 — КТЮ-3-3 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 50 — —
22974 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
— Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный. Предназначен для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В. 5 — КТ-4-2 Биполярный Винт — — — — — NPN — — 2.5Вт 50шт. 65В 400мА 350МГц 15 — —
22975 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в усилителях, преобразователях и импульсных устройствах. 2.5 — TO220 Биполярный DIP — — — — — PNP — — 25Вт 100шт. 45В 3А 1МГц 100 — —
22977 СНГ —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
— Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 — TO220 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 60Вт 100шт. 100В 10А 3МГц 12 — —
22978 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
— Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 — TO220 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 60Вт 100шт. 40В 10А 3МГц 15 — —
22979 СНГ —
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
— Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 — TO220 Биполярный DIP — — — — — PNP — — 60Вт 100шт. 100В 10А 3МГц 12 — —
22981 СНГ —
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
— Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный. Предназначен для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В. 5 — КТ-4-2 Биполярный Винт — — — — — NPN — — 2.5Вт 50шт. 65В 400мА 350МГц 15 — —
22983 СНГ —
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
— Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 — TO220 Биполярный DIP — — — — — PNP — — 60Вт 100шт. 50В 10А 3МГц 20 — —
22984 INTEGRAL —
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
— Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 — TO220 Биполярный DIP — — — — — PNP — — 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 40 — —
22988 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный структуры n-p-n усилительный. 0.7 — TO126 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 10Вт 200шт. 300В 100мА 90МГц 25 — —
22989 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Транзистор КТ644Б кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p универсальный. — — TO126 Биполярный DIP — — — — — PNP — — 1Вт 200шт. 60В 1А 200МГц 300 — —
22990 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
— Транзистор КТ816Б кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный. 0.7 — TO126 Биполярный DIP — — — — — PNP — — 25Вт 200шт. 45В 3А 3МГц 25 — —
22991 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Транзистор КТ814Б кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный. 0.7 — TO126 Биполярный DIP — — — — — PNP — — 10Вт 200шт. 40В 1.5А 3МГц 40 — —
22992 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
— Транзистор КТ815Г кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. 0.7 — TO126 Биполярный DIP — — — — — NPN — — 10Вт 200шт. 100В 1.5А 3МГц 30 — —