Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Назначение Тип диода Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение пробоя Конструкция диода
22495 MOSPEC
9,50 грн.
10+9,02 грн.
50+8,55 грн.
100+7,60 грн.
500+6,65 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 25Вт 50шт. 50В 5МГц 320
22499 UTC
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
0.5 DIP8 DIP Усилители 50шт.
22500 NS
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
0.5 DIP8 DIP Усилители 50шт.
22501 TEXAS INSTRUMENTS
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
1 DIP16 DIP Усилители 25шт.
22502 TOSHIBA
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
1 DIP16 DIP Радиоприем 25шт.
22530 TOSHIBA
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
0.5 TO92L Биполярный DIP NPN 900мВт 200шт. 300В 100мА 50МГц 150
22531 CDIL
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
500+1,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 350мВт 200шт. 30В 100мА 280МГц 900
22784 СНГ
130 грн.
50+117 грн.
200+104 грн.
500+91 грн.
Диод быстровосстанавливающийся кремниевый диффузионный. 110 Охладитель 700V 160А Выпрямительный 6шт. одиночный
22796 СНГ
3,50 грн.
10+3,32 грн.
50+3,15 грн.
100+2,80 грн.
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN 1.2Вт 200шт. 60В 50МГц 480
22797 СНГ
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN 1.2Вт 200шт. 150В 50МГц 480
22798 СНГ
3,50 грн.
10+3,32 грн.
50+3,15 грн.
100+2,80 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п усилительные с ненормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 150мВт 200шт. 20В 20мА 10МГц 60
23557 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN 150мВт 800 шт. 40В 100мА 250МГц 90
СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN 150мВт 800 шт. 35В 100мА 250МГц 350
22802 ST MICROELECTRONICS
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Защитный 600Вт 1000шт. 12V
22837 ON SEMICONDUCTOR
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
1 SO20 SMD Логика 1000шт.
22838 СНГ
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением. 0.43 КТ-14 Полевой DIP МОП р-канальный 20В 15мА 200мВт 100шт.
22969 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 30Вт 100шт. 70В 20МГц 25
22971 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 50
22974 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный. Предназначен для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В. 5 КТ-4-2 Биполярный Винт NPN 2.5Вт 50шт. 65В 400мА 350МГц 15
22975 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в усилителях, преобразователях и импульсных устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 25Вт 100шт. 45В 1МГц 100
22977 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 60Вт 100шт. 100В 10А 3МГц 12
22978 СНГ
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 60Вт 100шт. 40В 10А 3МГц 15
22979 СНГ
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 60Вт 100шт. 100В 10А 3МГц 12
22981 СНГ
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный. Предназначен для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В. 5 КТ-4-2 Биполярный Винт NPN 2.5Вт 50шт. 65В 400мА 350МГц 15
22983 СНГ
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 60Вт 100шт. 50В 10А 3МГц 20
22984 INTEGRAL
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 30Вт 100шт. 70В 7,5A 1МГц 40
22988 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный структуры n-p-n усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN 10Вт 200шт. 300В 100мА 90МГц 25
22989 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор КТ644Б кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p универсальный. TO126 Биполярный DIP PNP 1Вт 200шт. 60В 200МГц 300
22990 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор КТ816Б кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP PNP 25Вт 200шт. 45В 3МГц 25
22991 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор КТ814Б кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный. 0.7 TO126 Биполярный DIP PNP 10Вт 200шт. 40В 1.5А 3МГц 40